內(nèi)存、閃存大漲價(jià)要來了!明年將出現(xiàn)缺貨潮
11月8日消息,據(jù)國(guó)內(nèi)媒體報(bào)道,NAND Flash(閃存)控制IC廠商群聯(lián)CEO潘健成7日表示,隨著主要存儲(chǔ)芯片廠相繼減產(chǎn),加上部分終端市場(chǎng)回溫,NAND市況開始走強(qiáng)、報(bào)價(jià)上漲。
他還表示,近期客戶拉貨更趨積極,但市場(chǎng)供給持續(xù)因大廠減產(chǎn)受限縮,預(yù)期明年將出現(xiàn)缺貨潮。
根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新研究顯示,預(yù)估第四季度移動(dòng)DRAM(內(nèi)存)及NAND Flash(閃存)合約價(jià)均上漲,漲勢(shì)或?qū)⒀永m(xù)至明年第一季度。
其中,第四季移動(dòng)DRAM(內(nèi)存)合約價(jià)季漲幅預(yù)估將擴(kuò)大至13~18%。NAND Flash(閃存)方面,eMMC、UFS第四季合約價(jià)漲幅約10~15%。
據(jù)悉,此次漲價(jià)潮主要包括以下原因:
供應(yīng)方面,三星擴(kuò)大減產(chǎn)、美光宣布20%的漲幅等,持續(xù)奠定同業(yè)漲價(jià)信心的基礎(chǔ)。
需求方面,2023下半年移動(dòng)DRAM(內(nèi)存)及NAND Flash閃存(eMMC、UFS)除了受傳統(tǒng)旺季帶動(dòng),華為Mate 60系列等也刺激其他中國(guó)智能手機(jī)品牌擴(kuò)大生產(chǎn)目標(biāo),短時(shí)間內(nèi)涌入的需求也成為推動(dòng)第四季度合約價(jià)漲勢(shì)的原因之一。
預(yù)計(jì),這波漲勢(shì)將延續(xù)到明年第一季度。