MOS管將是下述內(nèi)容的主要介紹對象，通過這篇文章，小編希望大家可以對MOS管的相關情況以及信息有所認識和了解，詳細內(nèi)容如下。

一、MOS管應用

MOS管在車載逆變器中的應用主要是用于控制電路的開關，實現(xiàn)直流電到交流電的轉換。MOS管具有開關速度快、損耗小、可靠性高等優(yōu)點，因此在車載逆變器中得到了廣泛應用。

1、車載逆變器

車載逆變器是將汽車電池的直流電轉換為交流電，以供車載電器使用的設備。在車載逆變器中，常用的三種電路控制方式包括推挽控制、防反接保護電路和全橋電路。

-推挽控制是一種常用的逆變器控制方式。它通過NPN和PNP兩個晶體管來控制輸出電壓的正負極性。

通過交替控制兩個晶體管的導通和截止，可以實現(xiàn)輸出電壓的正負切換：

當NPN晶體管導通時輸出電壓為正;當PNP晶體管導通時輸出電壓為負。通過交替控制兩個晶體管的導通和截止，可以實現(xiàn)輸出電壓的正負切換。

-防反接保護電路是一種保護逆變器的電路，它能夠防止逆變器輸出端口接反而導致的損壞。它通常由一個二極管和一個開關管組成：當輸出端口接反時，二極管導通，將反向電流引到開關管上，使開關管斷開，保護逆變器從而不受損壞。

-全橋電路是一種高效的逆變器控制方式，它通過四個開關管來控制輸出電壓的正負極性：

當兩個對角線上的開關管導通時，輸出電壓為正;當另外兩個對角線上的開關管導通時，輸出電壓為負。通過交替控制四個開關管的導通和截止，可以實現(xiàn)輸出電壓的正負切換。

2、MOS管在車載逆變器中的應用

MOS管的電壓和電流承受能力也是非常強的，可以滿足車載逆變器的高功率需求。

在車載逆變器中，MOS管通常被用作開關元件。通過控制MOS管的導通和截止，可以實現(xiàn)直流電到交流電的轉換。

MOS管在車載逆變器中的三種控制方式的應用情況如下：

1. 防反接保護電路：主要用于防止電池的正負極接反而導致MOS管損壞。通過在MOS管的控制端加入二極管，當電池正負極接反時，二極管導通，起到保護MOS管的作用。

2. 推挽控制：主要用于控制車載逆變器的輸出電壓。通過兩個MOS管交替導通，實現(xiàn)輸出電壓的正負半周控制。簡單來講，當一個MOS管導通時，另一個MOS管截止，輸出正半周電壓;反之則輸出負半周電壓。

3. 全橋電路：主要用于控制車載逆變器的輸出頻率。通過四個MOS管交替導通，實現(xiàn)對輸出頻率的控制。具體而言，當兩個對角線上的MOS管導通時，輸出正半周電壓;反之，當另外兩個對角線上的MOS管導通時，則輸出負半周電壓。

MOS管在工作狀態(tài)時，具有低導通電阻、高開關速度、低驅動電壓等優(yōu)勢，但也存在著漏電流大、靜態(tài)功耗高等劣勢。

二、MOS管的正確用法

(1)NPN型三極管，適合射極接GND集電極接負載到VCC的情況。只要基極電壓高于射極電壓(此處為GND)0.7V，即發(fā)射結正偏(VBE為正)，NPN型三極管即可開始導通。

基極用高電平驅動NPN型三極管導通(低電平時不導通);基極除限流電阻外，更優(yōu)的設計是，接下拉電阻10-20k到GND;優(yōu)點是，①使基極控制電平由高變低時，基極能夠更快被拉低，NPN型三極管能夠更快更可靠地截止;②系統(tǒng)剛上電時，基極是確定的低電平。

(2)PNP型三極管，適合射極接VCC集電極接負載到GND的情況。只要基極電壓低于射極電壓(此處為VCC)0.7V，即發(fā)射結反偏(VBE為負)，PNP型三極管即可開始導通。

基極用低電平驅動PNP型三極管導通(高電平時不導通);基極除限流電阻外，更優(yōu)的設計是，接上拉電阻10-20k到VCC;優(yōu)點是，①使基極控制電平由低變高時，基極能夠更快被拉高，PNP型三極管能夠更快更可靠地截止;②系統(tǒng)剛上電時，基極是確定的高電平。

所以，如上所述，對NPN三極管來說，最優(yōu)的設計是，負載R12接在集電極和VCC之間。不夠周到的設計是，負載R12接在射極和GND之間。

對PNP三極管來說，最優(yōu)的設計是，負載R14接在集電極和GND之間。不夠周到的設計是，負載R14接在集電極和VCC之間。

這樣，就可以避免負載的變化被耦合到控制端。從電流的方向可以明顯看出。

(3)PMOS，適合源極接VCC漏極接負載到GND的情況。只要柵極電壓低于源極電壓(此處為VCC)超過Vth(即Vgs超過-Vth)，PMOS即可開始導通。

柵極用低電平驅動PMOS導通(高電平時不導通);柵極除限流電阻外，更優(yōu)的設計是，接上拉電阻10-20k到VCC，使柵極控制電平由低變高時，柵極能夠更快被拉高，PMOS能夠更快更可靠地截止。

(4)NMOS，適合源極接GND漏極接負載到VCC的情況。只要柵極電壓高于源極電壓(此處為GND)超過Vth(即Vgs超過Vth)，NMOS即可開始導通。

柵極用高電平驅動NMOS導通(低電平時不導通);柵極除限流電阻外，更優(yōu)的設計是，接下拉電阻10-20k到GND，使柵極控制電平由高變低時，柵極能夠更快被拉低，NMOS能夠更快更可靠地截止。

所以，如上所述，對PMOS來說，最優(yōu)的設計是，負載R16接在漏極和GND之間。不夠周到的設計是，負載R16接在源極和VCC之間。

對NMOS來說，最優(yōu)的設計是，負載R18接在漏極和VCC之間。不夠周到的設計是，負載R18接在源極和GND之間。

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