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[導讀]【2024年4月15日,德國慕尼黑訊】英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)推出其最新先進功率MOSFET 技術—— OptiMOS? 7 80 V的首款產(chǎn)品IAUCN08S7N013。該產(chǎn)品的特點包括功率密度顯著提高,和采用通用且穩(wěn)健的高電流SSO8 5 x 6 mm2 SMD封裝。這款OptiMOS? 7 80 V產(chǎn)品非常適合即將推出的 48 V板網(wǎng)應用。它專為滿足高要求汽車應用所需的高性能、高質(zhì)量和穩(wěn)健性而打造,包括電動汽車的汽車直流-直流轉(zhuǎn)換器、48 V電機控制(例如電動助力轉(zhuǎn)向系統(tǒng)(EPS))、48 V電池開關以及電動兩輪車和三輪車等。

【2024年4月15日,德國慕尼黑訊】英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)推出其最新先進功率MOSFET 技術—— OptiMOS? 7 80 V的首款產(chǎn)品IAUCN08S7N013。該產(chǎn)品的特點包括功率密度顯著提高,和采用通用且穩(wěn)健的高電流SSO8 5 x 6 mm2 SMD封裝。這款OptiMOS? 7 80 V產(chǎn)品非常適合即將推出的 48 V板網(wǎng)應用。它專為滿足高要求汽車應用所需的高性能、高質(zhì)量和穩(wěn)健性而打造,包括電動汽車的汽車直流-直流轉(zhuǎn)換器、48 V電機控制(例如電動助力轉(zhuǎn)向系統(tǒng)(EPS))、48 V電池開關以及電動兩輪車和三輪車等。

TDSON汽車OptiMOS? 7

與上一代產(chǎn)品相比,英飛凌IAUCN08S7N013的RDS(on)降低了50%以上,最高不超過1.3 mΩ,達到目前業(yè)內(nèi)的領先水平。該產(chǎn)品以5 x 6 mm2 封裝實現(xiàn)了更小的傳導損耗、超強的開關性能和更高的功率密度等優(yōu)點。此外,IAUCN08S7N013 還具有封裝電阻和電感低以及抗雪崩電流能力強的特點。該半導體器件在汽車應用方面已取得 AEC-Q101標準以上的認證。

供貨情況

IAUCN08S7N013 現(xiàn)已量產(chǎn)并上市。

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