在下述的內(nèi)容中，小編將會(huì)對(duì)MOS管實(shí)際應(yīng)用電路予以報(bào)道，如果MOS管實(shí)際應(yīng)用電路是您想要了解的焦點(diǎn)之一，不妨和小編共同閱讀這篇文章哦。

一、MOS管

MOS管是一種由金屬氧化物半導(dǎo)體構(gòu)成的三極管，它的工作原理是通過(guò)控制門電壓來(lái)控制通過(guò)源極和漏極的電流。當(dāng)門電壓為正時(shí)，源極和漏極之間的電容會(huì)被放電，從而使源極和漏極之間的電壓差變小，從而使源極和漏極之間的電流增大；當(dāng)門電壓為負(fù)時(shí)，源極和漏極之間的電容會(huì)被充電，從而使源極和漏極之間的電壓差變大，從而使源極和漏極之間的電流減小。

MOS管是由源極、漏極、門極和金屬氧化物層組成，其中金屬氧化物層是MOS管的核心部分，它由一層金屬和一層氧化物組成，金屬層和氧化物層之間有一個(gè)很小的空隙，這個(gè)空隙可以控制電子的流動(dòng)，從而控制MOS管的電流。

MOS管可以根據(jù)其結(jié)構(gòu)特點(diǎn)分為兩大類：一類是普通MOS管，它的結(jié)構(gòu)由源極、漏極、門極和金屬氧化物層組成；另一類是雙極MOS管，它的結(jié)構(gòu)由源極、漏極、門極和兩層金屬氧化物層組成。

二、MOS管實(shí)際應(yīng)用電路分享

根據(jù)實(shí)際項(xiàng)目經(jīng)驗(yàn)小結(jié)一下MOS管的具體應(yīng)用電路，供參考。

1. 電平轉(zhuǎn)換或者隔離電路

電路設(shè)計(jì)時(shí)，不同的子系統(tǒng)之間無(wú)可避免的需要數(shù)字信號(hào)傳遞，不同的系統(tǒng)之間或者設(shè)備之間，數(shù)字接口電平經(jīng)常不一致，故需要用到電平轉(zhuǎn)換電路；

市面上有專門集成的IC實(shí)行電平轉(zhuǎn)換（或者隔離），從省成本的角度（未必省）也可以用MOS管或者三極管自己搭建，如下為MOS管搭建：

注意電平的高低和MOS管方向，外接電路電平是否確定，是否雙向通信和通信速率等因素均影響具體電路的細(xì)節(jié)考慮，上述供參考。

2. 防反接電路

在電源接口設(shè)計(jì)時(shí)，有很多場(chǎng)合需要考慮反接的問題，沒有相應(yīng)的電路設(shè)計(jì)的話很容易將電路燒壞，造成損失；MOS管防反接，好處就是壓降小，能規(guī)避普通二極管壓降大的弊端；

PMOS管常用在正極，NMOS管常用在負(fù)極；

上圖只是示意結(jié)構(gòu)，G極具體需要接上阻容器件，同時(shí)可以起到緩啟動(dòng)作用；

3. 開關(guān)電路

作為電子開關(guān)控制電源的通斷，一般正極用PMOS管，負(fù)極用NMOS管控制；

4. 緩啟動(dòng)電路

上述開關(guān)作用中，如果負(fù)載容性較大需要緩啟動(dòng)設(shè)計(jì)，參見下圖：

5. 邏輯轉(zhuǎn)換電路

信號(hào)除了電平高低的轉(zhuǎn)換，很多時(shí)候需要電平邏輯高低轉(zhuǎn)換，MOS管和三極管都可以實(shí)現(xiàn)，下面是MOS管的方式，供參考：

6. 放大電路

對(duì)于跨導(dǎo)大的VD-MOS管，可以用來(lái)搭建放大電路，如下所示為MOS管放大電路仿真：

MOS管在電路中還有很多其他用途，暫時(shí)先介紹上面幾種；

注意在大功率電路設(shè)計(jì)中，務(wù)必理解各種參數(shù)的實(shí)際意義和關(guān)聯(lián)關(guān)系，以免造成嚴(yán)重后果。

最后，小編誠(chéng)心感謝大家的閱讀。你們的每一次閱讀，對(duì)小編來(lái)說(shuō)都是莫大的鼓勵(lì)和鼓舞。最后的最后，祝大家有個(gè)精彩的一天。