在下述的內(nèi)容中，小編將會對MOS管的相關(guān)消息予以報道，如果MOS管是您想要了解的焦點之一，不妨和小編共同閱讀這篇文章哦。

一、MOS管

金屬-氧化物半導體場效應晶體管，簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,MOSFET)。 其屬于半導體主動元件中的分立器件，能以基極電流微小的變化量來控制集電極電流較大的變化量。 三極管是在一塊半導體基片上制作兩個相距很近的PN結(jié)，兩個PN結(jié)把整塊半導體分成三部分，中間部分是基區(qū)，兩側(cè)部分是發(fā)射區(qū)和集電區(qū)，排列方式有PNP和NPN兩種。 MOS管是一個由改變電壓來控制電流的器件，是電壓器件。

MOS管的三個極分別是：G(柵極)，D(漏極)，S(源極)，當柵極和源極之間電壓大于某一特定值，漏極和源極才能導通。

MOS管的柵極G和源極S之間是絕緣的，由于Sio2絕緣層的存在，在柵極G和源極S之間等效是一個電容存在，電壓VGS產(chǎn)生電場從而導致源極-漏極電流的產(chǎn)生。 此時的柵極電壓VGS決定了漏極電流的大小，控制柵極電壓VGS的大小就可以控制漏極電流ID的大小。

PMOS的工作原理與NMOS相類似。因為PMOS是N型硅襯底，其中的多數(shù)載流子是電子，少數(shù)載流子是空穴，源漏區(qū)的摻雜類型是P型，所以，PMOS的工作條件是在柵上相對于源極施加負電壓，亦即在PMOS的柵上施加的是負電荷電子，而在襯底感應的是可運動的正電荷空穴和帶固定正電荷的耗盡層，不考慮二氧化硅中存在的電荷的影響，襯底中感應的正電荷數(shù)量就等于PMOS柵上的負電荷的數(shù)量。當達到強反型時，在相對于源端為負的漏源電壓的作用下，源端的正電荷空穴經(jīng)過導通的P型溝道到達漏端，形成從源到漏的源漏電流。同樣地，VGS越負(絕對值越大)，溝道的導通電阻越小，電流的數(shù)值越大。

二、MOS管尖峰

（一）MOS管尖峰產(chǎn)生的原因

1、電感效應

在MOS管的工作電路中，由于導線、元件等存在一定的電感，當MOS管開關(guān)時，電流的變化會在電路中產(chǎn)生電感壓降（L*di/dt）。這個電感壓降會疊加在MOS管的漏極電壓上，形成電壓尖峰。特別是在MOS管快速開關(guān)的情況下，電流變化率（di/dt）較大，產(chǎn)生的電感壓降也較大，從而導致電壓尖峰更加明顯。

2、寄生電容效應

MOS管的源極和漏極之間存在寄生電容，這個電容在MOS管開關(guān)過程中會充放電。當MOS管從關(guān)閉狀態(tài)切換到開啟狀態(tài)時，漏極電位迅速下降，導致寄生電容迅速放電，從而在漏極-源極（C_DS）之間產(chǎn)生尖峰電壓。同樣地，當MOS管從開啟狀態(tài)切換到關(guān)閉狀態(tài)時，也會由于寄生電容的充放電過程而產(chǎn)生電壓尖峰。

3、柵源寄生電容效應

MOS管內(nèi)部存在柵源寄生電容，當MOS管關(guān)斷時，柵源寄生電容上的電荷釋放，也會產(chǎn)生電壓尖峰。這種電壓尖峰通常較小，但在某些特定情況下也可能對電路產(chǎn)生不良影響。

（二）MOS管尖峰的影響與解決方案

MOS管尖峰對電路的影響主要表現(xiàn)在以下幾個方面：一是可能導致電路中的其他元件損壞；二是可能使電路的穩(wěn)定性下降；三是可能使電路的功耗增加。為了減小MOS管尖峰對電路的影響，可以采取以下解決方案：

1、優(yōu)化電路設(shè)計

通過優(yōu)化電路設(shè)計來減小電感效應和寄生電容效應的影響。例如，采用低電感元件和導線、減小寄生電容的大小等。

2、增加并聯(lián)電阻和電容

在MOS管的源極和漏極之間增加并聯(lián)電阻和電容可以減小電壓尖峰的幅值。這是因為并聯(lián)電阻和電容可以吸收和釋放一部分電荷能量，從而減小電感壓降和寄生電容充放電過程對電路的影響。

3、選用高性能MOS管

選用具有高性能的MOS管可以減小其尖峰特性。例如，選用具有低閾值電壓、高開關(guān)速度等特性的MOS管可以減小電壓尖峰的幅值和頻率。

4、采用緩沖電路

在MOS管的兩端加入緩沖電路可以減小電壓尖峰的影響。緩沖電路可以吸收和釋放一部分電荷能量，從而減小電感壓降和寄生電容充放電過程對電路的影響。

最后，小編誠心感謝大家的閱讀。你們的每一次閱讀，對小編來說都是莫大的鼓勵和鼓舞。希望大家對MOS管已經(jīng)具備了初步的認識，最后的最后，祝大家有個精彩的一天。