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SK海力士在臺(tái)積電北美技術(shù)研討會(huì)上,首次公開(kāi)展示了其HBM4技術(shù),這也是唯一一家展示HBM4技術(shù)的公司,同時(shí)還展示了幾款新產(chǎn)品。

在HBM4內(nèi)存方面,SK海力士領(lǐng)先于競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手,有消息稱SK海力士已經(jīng)準(zhǔn)備好商業(yè)版本,而競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手如美光和三星仍處于樣品階段。

根據(jù)介紹,SK海力士的HBM4容量可達(dá)48GB,帶寬高達(dá)2.0TB/s,I/O速度為8.0Gbps,SK海力士表示計(jì)劃在2025年下半年進(jìn)行量產(chǎn),這意味著該工藝最早可能在年底前集成到產(chǎn)品中。

除了HBM4,SK海力士還展示了全球首例16層HBM3E技術(shù),帶寬為1.2TB/s,SK海力士聲稱通過(guò)先進(jìn)的MR-MUF和TSV技術(shù)實(shí)現(xiàn)了如此多層的堆疊。

這個(gè)特定的標(biāo)準(zhǔn)將用在英偉達(dá)的GB300“Blackwell Ultra”AI集群中,英偉達(dá)還計(jì)劃在Vera Rubin中升級(jí)到HBM4。

此外,SK海力士還展示了其服務(wù)器內(nèi)存模塊產(chǎn)品線,包括RDIMM和MRDIMM產(chǎn)品,基于新的1c DRAM標(biāo)準(zhǔn)制造,速度可達(dá)12500MB/s。

SK海力士表示:“公司展示了一系列旨在提升AI和數(shù)據(jù)中心性能并降低功耗的模塊,包括速度為12.8Gbps、容量為64GB、96GB和256GB的MRDIMM產(chǎn)品;速度為8Gbps、容量為64GB和96GB的RDIMM模塊;以及256GB 3DS RDIMM。”
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