在嵌入式系統(tǒng)與電子設(shè)備中，有一種特殊的存儲介質(zhì)既能像ROM一樣長期保存數(shù)據(jù)，又能通過電信號靈活改寫內(nèi)容，這就是EEPROM（Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory，電可擦寫可編程只讀存儲器）。從智能手表的用戶設(shè)置到汽車ECU的校準(zhǔn)參數(shù)，EEPROM憑借其“斷電不丟失數(shù)據(jù)”且“可重復(fù)修改”的特性，成為存儲關(guān)鍵信息的核心組件。深入探究EEPROM的工作原理，不僅能理解數(shù)據(jù)如何在半導(dǎo)體中實(shí)現(xiàn)電擦寫，更能洞察其在電子設(shè)備中的不可替代價值。

EEPROM的核心存儲單元由一只特殊的“浮柵場效應(yīng)晶體管”（Floating Gate Field-Effect Transistor，簡稱浮柵管）構(gòu)成，其精妙之處在于通過柵極結(jié)構(gòu)的設(shè)計，實(shí)現(xiàn)電荷的“捕獲”與“釋放”，從而穩(wěn)定存儲二進(jìn)制數(shù)據(jù)。 

浮柵管的結(jié)構(gòu)包含兩個柵極——控制柵（Control Gate）和浮柵（Floating Gate），兩者之間被一層極薄的氧化層（通常為二氧化硅，厚度僅5-10納米）分隔，浮柵下方則通過另一層氧化層與半導(dǎo)體襯底（通常為P型硅）隔離。這種結(jié)構(gòu)讓浮柵成為一個被絕緣層包裹的“電荷陷阱”：當(dāng)電子被注入浮柵后，會被氧化層的絕緣特性禁錮其中，即使斷電也能長期保留；而通過特定的電信號刺激，這些電子又能被“引誘”離開浮柵，實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)的擦除。 

在初始狀態(tài)下，浮柵中沒有額外電子，此時在控制柵施加電壓，晶體管會導(dǎo)通，對應(yīng)二進(jìn)制數(shù)據(jù)“1”；當(dāng)需要寫入“0”時，通過電信號將電子注入浮柵，負(fù)電荷會削弱控制柵的電場，使晶體管導(dǎo)通所需的電壓升高（即閾值電壓上升），此時即使施加常規(guī)電壓，晶體管也保持截止?fàn)顟B(tài)。通過檢測晶體管的導(dǎo)通狀態(tài)，就能判斷存儲的是“0”還是“1”，這就是EEPROM存儲數(shù)據(jù)的基本原理。 

與早期的EPROM（紫外線可擦除ROM）相比，EEPROM的浮柵與襯底之間的氧化層更薄，且控制柵的電壓控制方式更精細(xì)，這使得它無需依賴紫外線照射，僅通過電信號就能完成擦寫，為在線編程提供了可能。

EEPROM的工作過程圍繞“電荷遷移”展開，寫入、擦除和讀取三個操作分別對應(yīng)不同的電信號施加方式，每個環(huán)節(jié)都需要精確控制電壓、時間和電流，以確保數(shù)據(jù)的穩(wěn)定性與可靠性。 

寫入操作的核心是將電子注入浮柵，主要通過“熱電子注入”或“Fowler-Nordheim隧道效應(yīng)”兩種方式實(shí)現(xiàn)。熱電子注入時，控制柵被施加高電壓（通常12-20V），同時源極接地、漏極施加中等電壓，此時溝道中的電子獲得足夠能量（“熱電子”），會沖破浮柵下方的氧化層進(jìn)入浮柵；隧道效應(yīng)法則是在控制柵施加負(fù)電壓、襯底施加正電壓，使浮柵與襯底之間形成強(qiáng)電場，電子在電場作用下通過量子隧道效應(yīng)穿過氧化層進(jìn)入浮柵?，F(xiàn)代EEPROM多采用隧道效應(yīng)，因其對氧化層的損傷更小，能延長器件壽命。寫入過程通常需要幾微秒到幾十微秒，且每個字節(jié)可獨(dú)立寫入，這與需要按塊操作的Flash存儲器形成顯著區(qū)別。 

擦除操作則是讓浮柵中的電子釋放，本質(zhì)是寫入的逆過程。此時控制柵施加正電壓，襯底接地（或施加負(fù)電壓），浮柵與襯底之間的強(qiáng)電場使電子從浮柵通過隧道效應(yīng)回到襯底，浮柵恢復(fù)無額外電荷的狀態(tài)，晶體管的閾值電壓降低，回到“1”的狀態(tài)。與寫入相同，EEPROM支持字節(jié)級擦除，無需像Flash那樣整體擦除一塊數(shù)據(jù)，這使其在需要頻繁修改少量數(shù)據(jù)的場景中極具優(yōu)勢——例如修改傳感器的校準(zhǔn)參數(shù)時，只需擦除對應(yīng)字節(jié)再重新寫入，無需動及其他數(shù)據(jù)。