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  • IBM聯(lián)手合作伙伴開發(fā)28納米芯片

    北京時間4月16日消息，據(jù)報道，IBM、三星、意法半導體及其他幾家公司正在聯(lián)手開發(fā)體積更小、能耗更低的芯片。 IBM及其合作伙伴宣布，已經(jīng)開發(fā)了28納米芯片技術(shù)，比英特爾和AMD目前正在使用的45nm技術(shù)更加先進。IBM發(fā)

  • 臺積電訂單能見度到6月 重啟12寸廠擴充腳步

    受大陸家電下鄉(xiāng)刺激，臺積電、世界先進與聯(lián)電8寸廠產(chǎn)能利用率急拉，臺積電擴充12寸廠腳步也重新啟動，上游硅晶圓供貨商表示，近期明顯感受到8寸硅晶圓產(chǎn)能供不應求，據(jù)了解MEMC目前8寸硅晶圓產(chǎn)能呈現(xiàn)滿載。半導體業(yè)者

  • iPhone將給三星帶來大筆NAND訂單

    NAND閃存價格上漲,需求在攀升，至少對于某些廠商來說是這樣。在NAND市場略有反彈之際，市場中的初步贏家似乎是韓國的三星(Samsung)電子。 Lazard Capital Markets的分析師Daniel Amir最近在報告中表示：“我們了解到

  • 集成專用驅(qū)動器在開關(guān)電源中的應用

    介紹了開關(guān)電源中驅(qū)動部分的工作情況，集中說明了柵極專用驅(qū)動器IR2110的使用方法及其抗干擾措施。由于IR2110本身的缺陷，常規(guī)使用方法只能適合小功率場合，在中大功率場合根本無法使用。

  • 集成專用驅(qū)動器在開關(guān)電源中的應用

    ADSL接入技術(shù)已成為終端用戶最主要的寬帶接入技術(shù)。ADSL技術(shù)的關(guān)鍵是ADSL調(diào)制解調(diào)器，即ADSLMODEM。ADSL用戶端調(diào)制解調(diào)器驅(qū)動器是一個寬頻帶功率放大器，他能不失真放大和傳輸電話線上已編碼的數(shù)字信號。本文通過對ADSL調(diào)制解調(diào)器驅(qū)動器特點、結(jié)構(gòu)和性能的分析，給出了一種ADSL用戶端MODEM驅(qū)動器的實現(xiàn)電路。

  • 微波pin二極管電阻與溫度的關(guān)系

    研究了四種pin二極管電阻的溫度特性。結(jié)果表明二極管結(jié)面積的大小，也就是二極管結(jié)電容的大小，影響著二極管的表面復合和二極管的載流子壽命，決定了二極管的溫度性能。器件的鈍化方式和幾何結(jié)構(gòu)對二極管電阻的溫度性能影響不大。結(jié)電容為0．1～1．0 pF的微波二極管，具有正的溫度系數(shù)，約為線性關(guān)系，結(jié)電容越大，電阻隨溫度變化越大。研究結(jié)果可以用來預測pin二極管開關(guān)和衰減器的溫度性能，進一步可以應用于電路溫度補償設(shè)計。

  • LED光源在礦井工作面照明燈中的應用

    對目前我國煤礦用燈作了簡單的介紹，指出了煤礦用燈的發(fā)展方向應為節(jié)能、本質(zhì)安全型；闡述了采煤工作面本質(zhì)安全型LED照明燈應該具備的條件，分析了LED的發(fā)光機理。通過光譜分析，得出了LED在實際照明應用中散熱的重要性；介紹了LED燈的一次散熱方法及二次散熱方法；對LED燈隔爆兼本安驅(qū)動電路作了設(shè)計并對小功率LED燈進行了合理的排列，結(jié)果表明隔爆兼本質(zhì)安全型LED照明燈在采煤工作面是完全可以應用并具備廣泛發(fā)展前景的。

  • 8 bit 800 Msps高速采樣保持電路的設(shè)計

    為適應目前無線通信領(lǐng)域?qū)Ω咚貯／D轉(zhuǎn)換器的要求，采用在Cadence Spectre環(huán)境下進行仿真驗證的方法，對高速A／D前端采樣保持電路進行了研究。提出的高速采樣保持電路(SH)采用SiGe BiCMOS工藝設(shè)計，該工藝提供了0．35μm的CMOS和46 GHz fT的SiGe HBT?；贐iCMOS開關(guān)射極跟隨器(SEF)的SH，旨在比二極管橋SH消耗更少的電流和面積。在SH核心，電源電壓3．3 V，功耗44 mW。在相干采樣模式下，時鐘頻率為800 MHz時，其無雜波動態(tài)范圍(SFDR)為一52．8 dB，總諧波失真(THD)為一50．4 dB，滿足8 bit精度要求。結(jié)果顯示設(shè)計的電路可以用于中精度、高速A／D轉(zhuǎn)換器。

  • 三款新型 Gigaspira 積層磁珠產(chǎn)品（TDK）

    TDK公司近日宣布，已新開發(fā)出三款MMZ1005-E Gigaspira積層GHz頻帶貼片磁珠系列產(chǎn)品。該新產(chǎn)品具有業(yè)內(nèi)最高1阻抗效果，并計劃于6月開始批量生產(chǎn)。 通過獨創(chuàng)的積層結(jié)構(gòu)技術(shù)和鐵氧體技術(shù)的開發(fā)，該產(chǎn)品成功實現(xiàn)了阻抗

    模擬
    2009-04-17
    阻抗 磁珠 TDK SPI

  • 透視電源產(chǎn)業(yè)發(fā)展新機遇

    由中國電源學會和賽迪顧問股份有限公司共同主辦的“2009電源行業(yè)發(fā)展高峰論壇”將于6月19日在深圳舉行。此次高峰論壇將是電源行業(yè)界首次在全國范圍內(nèi)圍繞“市場發(fā)展與產(chǎn)業(yè)升級”研討的高水平、高

  • 意法半導體推出LIS352AX基于MEMS的運動傳感器

    全球領(lǐng)先消費電子和便攜設(shè)備運動傳感器芯片供應商意法半導體推出一款內(nèi)置絕對模擬輸出的三軸加速傳感器，進一步擴大超微型高性能的MEMS產(chǎn)品陣容。意法半導體的LIS352AX在2.16V到3.6V之間任何電源電壓都可以操作，適用

  • 集成線性霍爾編碼器（奧地利微電子）

    奧地利微電子公司發(fā)布首款可實現(xiàn)亞微米分辨率并基于線性霍爾效應傳感器的磁編碼器AS5311。與2mm極對長度的磁條一起使用，AS5311可通過其增量輸出和串行輸出分別提供1.95微米和488納米分辨率的信號。奧地利微電子編碼

  • 集成電路Cu互連線的XRD研究

    對硫酸鹽體系中電鍍得到的Cu鍍層，使用XRD研究不同電沉積條件、不同襯底和不同厚度鍍層的織構(gòu)情況和擇優(yōu)取向。對比了直流電鍍和脈沖電鍍在有添加劑和無添加劑條件下的織構(gòu)情況。實驗結(jié)果表明，對于在各種條件下獲得的lμm Cu鍍層，均呈現(xiàn)(111)晶面擇優(yōu)，這樣的鍍層在集成電路Cu互連線中有較好的抗電遷移性能。

  • 新型部分耗盡SOI器件體接觸結(jié)構(gòu)

    提出了一種部分耗盡SOI MOSFET體接觸結(jié)構(gòu)，該方法利用局部SIMOX技術(shù)在晶體管的源、漏下方形成薄氧化層，采用源漏淺結(jié)擴散，形成體接觸的側(cè)面引出，適當加大了Si膜厚度來減小體引出電阻。利用ISE一TCAD三維器件模擬結(jié)果表明，該結(jié)構(gòu)具有較小的體引出電阻和體寄生電容、體引出電阻隨器件寬度的增加而減小、沒有背柵效應。而且，該結(jié)構(gòu)可以在不增加寄生電容為代價的前提下，通過適當?shù)脑黾觭i膜厚度的方法減小體引出電阻，從而更有效地抑制了浮體效應。

    模擬
    2009-04-16
    器件 電容 BSP BOX

  • ∑-△ADC的降采樣濾波器的設(shè)計與實現(xiàn)

    介紹了一種帶寬150 kHz、16 bit的∑-△模數(shù)轉(zhuǎn)換器中的降采樣低通濾波器的設(shè)計和實 現(xiàn)。系統(tǒng)采用Sharpened CIC(cascaded integrator-comb)和ISOP(interpolated second-order polynomials)頻率補償技術(shù)對通帶的下降進行補償，最后級聯(lián)三個半帶濾波器輸出。芯片采用SMIC O．18μmCMOS工藝實現(xiàn)，系統(tǒng)仿真和芯片測試結(jié)果表明，性能滿足設(shè)計指標要求。與傳統(tǒng)音頻領(lǐng)域的∑-△ADC應用相比，該設(shè)計在很大程度上拓展了處理帶寬，提高了處理精度，并且便于集成在SOC芯片中，主要應用于醫(yī)療儀器、移動通信、過程控制和PDA(personal digital assistants)等領(lǐng)域。

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