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英特爾計劃投資70億美元升級美國工廠
2月11日消息，據(jù)國外媒體報道，英特爾CEO歐德寧周二表示，公司將在未來2年里投資70億美元，在美建造先進(jìn)的制造工廠，工廠將采用最先進(jìn)的32納米制造工藝。這也是英特爾歷史上為單一制造工藝投入的最大一筆資金，從200
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Qimonda關(guān)廠減產(chǎn)雙管齊下 力保46nm Buried Wordline技術(shù)開發(fā)
處于水深火熱之中的德國DRAM芯片制造商Qimonda宣布將在Dresden工廠中削減25%的產(chǎn)能。該公司表示，這樣做是為了應(yīng)對糟糕的市場，減少虧損以保護(hù)資金流動性。 Qimonda在早些市場也已宣布關(guān)閉Virginia的300mm工廠。 在
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NAND Flash品牌廠商2008年營收排名出爐 三星蟬聯(lián)榜首
2008年第四季全球NANDFlash品牌廠商整體營收為22億2千7百萬美元，較上一季的27億6千1百萬美元下跌19.3%。2008年第四季NANDFlash品牌廠商營收均呈現(xiàn)衰退，由于持續(xù)受到全球總體經(jīng)濟(jì)表現(xiàn)疲弱的沖擊，全球消費(fèi)者信心指數(shù)
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業(yè)界最低功耗高速全差動放大器（TI）
日前，德州儀器 (TI) 宣布推出可針對單通道與多通道逐次逼近寄存器 (SAR) 與 Δ-Σ 模數(shù)轉(zhuǎn)換器 (ADC) 實現(xiàn)最高精度數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換的新型全差動放大器產(chǎn)品系列，能夠滿足工業(yè)、醫(yī)療以及音頻等各種應(yīng)用的需求。THS4521、THS4
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新型Bulk Metal箔表面貼裝電阻（Vishay）
Vishay Intertechnology, Inc.目前推出采用 Bulk Metal® 箔技術(shù)制造的多款表面貼裝電阻，以實現(xiàn)最高端領(lǐng)域?qū)ζ骷呖煽啃院透叻€(wěn)定性的嚴(yán)苛要求。這次發(fā)布的器件中，包括新改進(jìn)的 VSMP（0805 至 2512）系列、及VC
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英飛凌擴(kuò)大面向可再生能源和傳統(tǒng)電機(jī)驅(qū)動應(yīng)用的功率模塊生產(chǎn)
英飛凌科技股份公司在其位于德國慕尼黑Neubiberg的總部宣布，該公司正在擴(kuò)建其位于匈牙利Cegléd的生產(chǎn)工廠，以滿足日益增長的對于可再生能源和傳統(tǒng)系統(tǒng)的需求。從現(xiàn)在開始到2012年，公司將投資近1,700萬歐元用
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全新電流/數(shù)字轉(zhuǎn)換器（ADI）
Analog Devices, Inc.（ADI）最新推出一款全新的電流/數(shù)字轉(zhuǎn)換器芯片—— ADAS1128，它使得高層數(shù)CT系統(tǒng)能夠以高精度和豐富信息量捕獲實時移動圖像（如跳動的心臟）。CT（計算機(jī)斷層掃描）掃描的應(yīng)用隨著技術(shù)進(jìn)步正在
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愛立信攜手意法半導(dǎo)體出擊手機(jī)芯片領(lǐng)域
在手機(jī)芯片領(lǐng)域，愛立信和意法半導(dǎo)體(ST)選擇了攜手出擊。兩家公司日前宣布，已完成愛立信手機(jī)平臺與ST-NXP Wireless 的整合，成立雙方各持股50%的合資公司。在業(yè)界看來，此合資公司的成立，將對高通的霸主地位形成挑
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聯(lián)電CEO:Q1將為公司運(yùn)營谷底 今年不配發(fā)股利
2月11日，據(jù)臺灣媒體報道，繼臺積電CEO蔡力行指出，首季運(yùn)營可能是谷底后，聯(lián)電CEO孫世偉昨在股東說明會上進(jìn)一步表示：“近期從公司內(nèi)部的定單及出貨情況來看，定單有改善且有急單出現(xiàn)，客戶信心逐漸恢復(fù)，但急單是不
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英特爾投資70億美元升級32納米芯片技術(shù)
2月11日消息，英特爾計劃在未來兩年里投資70億美元升級其在美國的工廠。這個跡象表明經(jīng)濟(jì)衰退還沒有消滅芯片廠商追求高級設(shè)備的欲望。 英特爾首席執(zhí)行官歐德寧本周二在華盛頓的講話中宣布的這個投資表明半導(dǎo)體行業(yè)需
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移相全橋變換器的建模與仿真
本文主要是通過Buck變換器推導(dǎo)出移相全橋變換器的小信號電路模型，接著用MATLAB軟件進(jìn)行仿真，來判斷系統(tǒng)的穩(wěn)定性。
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英飛凌發(fā)布2009財年第一季度財務(wù)數(shù)據(jù)
近日，英飛凌在其位于德國慕尼黑Neubiberg的總部公布了截止到2008年12月31日的2009財年第一季度的財務(wù)數(shù)據(jù)（依照國際財務(wù)報告準(zhǔn)則IFRS編制）。 英飛凌2009財年第一季度實現(xiàn)營收8.30億歐元，環(huán)比下降28%，同比下降24
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2009年大陸晶圓代工廠搶攻臺系MEMS訂單
對于微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)市場，不僅臺灣半導(dǎo)體廠商抱持高度興趣，就連大陸晶圓代工廠同樣十分關(guān)注，臺系MEMS設(shè)計公司透露，繼中芯國際(SMIC)日前宣布投入MEMS晶圓代工后，再度有大陸晶圓代工廠加入MEMS晶圓代工行列。
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三星研制出首款40納米內(nèi)存 年內(nèi)量產(chǎn)
繼05年率先開發(fā)出60納米內(nèi)存、06年開發(fā)出50納米內(nèi)存后，三星電子日前研發(fā)出了世界首款40納米1GDDR2動態(tài)內(nèi)存(1納米等于十億分之一米)，今年第3季度將實現(xiàn)量產(chǎn)。 據(jù)了解，40納米內(nèi)存與目前普遍使用的50、60納米內(nèi)存相
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2008年Hynix巨虧32億美元
在存儲器市況惡劣的背景下，Hynix日前公布第四季度虧損9.64億美元。 相比之下，去年同期虧損額為3.35億美元，第三季度虧損12億美元。 “DRAM價格下跌43%，NAND flash價格下跌18%，而位出貨量DRAM為持平，NAND flas
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