根據(jù)設(shè)計(jì)制作出的音控裝置達(dá)到任意控制4路輸出的目的。功能為:間斷掌聲(間斷時(shí)間大于0.8 s)可使前幾路或4路都同時(shí)通電;連續(xù)掌聲(間斷時(shí)間小于0.8 s)可選擇任意路通電;連續(xù)掌聲加間斷掌聲可使后幾路或第4路都同時(shí)通電;第5掌聲使CD4022復(fù)位,但通電的路數(shù)仍保持通電;CD4022復(fù)位后,也可以采用前述的間斷掌聲或連續(xù)掌聲切斷欲關(guān)斷的路數(shù)。如果要簡(jiǎn)單地切斷任意一路輸出,可將雙D觸發(fā)器的異步復(fù)位端RD由接地改為接8進(jìn)制計(jì)數(shù)器CD4022的Y0輸出端。當(dāng)Y0為高電平,4路D觸發(fā)器都被復(fù)位,4路輸出都被切斷。
本設(shè)計(jì)是基于LPC2138的梯度均值法A/D系統(tǒng)的實(shí)現(xiàn),將LPC2138內(nèi)部A/D轉(zhuǎn)換器的分辨率由10位提高到12位。梯度均值法在不改變系統(tǒng)噪聲水平的條件下,實(shí)現(xiàn)降低等效量化單位,進(jìn)一步提高系統(tǒng)分辨率。使用了LPC2138內(nèi)部的A/D和D/A轉(zhuǎn)換器,外圍電路較簡(jiǎn)單,移植μC/OS—II操作系統(tǒng),用C語(yǔ)言編程完成控制和數(shù)據(jù)處理,并輸出最后結(jié)果。
介紹ADI公司的大帶寬AD8351運(yùn)算放大器特性及其引腳功能;描述AD8351在采樣速率為400 Ms/s的多路模數(shù)轉(zhuǎn)換系統(tǒng)中的應(yīng)用:給出多路差分模擬放大電路的詳細(xì)設(shè)計(jì)方案和參考電路,同時(shí)也對(duì)工作中可能出現(xiàn)的問(wèn)題 進(jìn)行了討論,以供硬件設(shè)計(jì)者參考。
基于開(kāi)關(guān)電容濾波器的原理,提出了一種采用MAX263的新型程控濾波器的設(shè)計(jì)。該濾波器可設(shè)置為低通或高通模式,截止頻率及增益均由程序控制。整個(gè)系統(tǒng)設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,經(jīng)過(guò)實(shí)際測(cè)試具有良好效果。
Vishay Intertechnology, Inc. 宣布推出新型 20-V 和 30-V p-通道 TrenchFET® 功率 MOSFET --- Si7633DP和Si7135DP。這次推出的器件采用 SO-8 封裝,具有 ±20-V 柵源極電壓以及業(yè)內(nèi)最低的導(dǎo)通電阻。
隨著SoC技術(shù)的發(fā)展,應(yīng)用單芯片滿足應(yīng)用中的各種需求已經(jīng)成為一種趨勢(shì)。將更多設(shè)計(jì)中必需的通用外設(shè)集成到芯片內(nèi)部,不但可以降低成本,而且可以提高系統(tǒng)的穩(wěn)定性。本文給出一種基于AT91SAM7X的單芯片多路USB2.O數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)的解決方案。芯片本身集成USB2.O接口和8路10位A/D轉(zhuǎn)換器,外部標(biāo)準(zhǔn)的一5~+5 V信號(hào)可以直接接入本系統(tǒng)進(jìn)行采集,達(dá)到了降低成本、提高系統(tǒng)穩(wěn)定性的目的。
分析了兩種傳統(tǒng)的基于共源共柵結(jié)構(gòu)的低噪聲放大器LNA技術(shù):實(shí)現(xiàn)噪聲優(yōu)化和輸入匹配SNIM技術(shù)并在功耗約束下同時(shí)實(shí)現(xiàn)噪聲優(yōu)化和輸入匹配PCSNIM技術(shù)。針對(duì)其固有不足,提出了一種新的低功耗、低噪聲放大器設(shè)計(jì)方法。
到2010年,超過(guò)75%的新手機(jī)將具有MP3音樂(lè)播放功能。隨著音樂(lè)手機(jī)普及,音頻性能成為設(shè)計(jì)者的關(guān)注焦點(diǎn)。新手機(jī)設(shè)計(jì)將更要求改進(jìn)降噪性能,意法半導(dǎo)體(ST)針對(duì)新的市場(chǎng)需求,推出全新濾波器EMIF02-SPK02F2。 在珍
介紹了Linear公司的雙路電流輸出的數(shù)模(D/A)轉(zhuǎn)換器LTC2753的主要特性、電路結(jié)構(gòu)及應(yīng)用電路。并在此基礎(chǔ)上設(shè)計(jì)了偏移量和增益調(diào)整電路。
低壓差線性穩(wěn)壓器(LDO)是一種高性能、高效率、使用方便、成本低廉的線性穩(wěn)壓器件。首先對(duì)線性穩(wěn)壓器的基本類型作了比較,然后詳細(xì)闡述LDO的電路設(shè)計(jì)要點(diǎn)及LDO的布局,最后對(duì)LDO的常見(jiàn)故障加以分析。
日前,由臺(tái)灣地區(qū)最高經(jīng)濟(jì)主管機(jī)構(gòu)緊急召開(kāi)的當(dāng)?shù)卮鎯?chǔ)芯片業(yè)拯救會(huì)議,并沒(méi)有出現(xiàn)期待中的直接以資金落實(shí)救援的計(jì)劃。 該機(jī)構(gòu)負(fù)責(zé)人之一、“協(xié)助DRAM產(chǎn)業(yè)項(xiàng)目小組”召集人施顏祥表示,將采用直接資金援助外加整合的
花旗調(diào)降韓國(guó)海力士半導(dǎo)體(000660.KS)目標(biāo)股價(jià)及營(yíng)業(yè)利潤(rùn)預(yù)測(cè),但花旗指稱,海力士中期展望有扭轉(zhuǎn)回升的可能性。 在一份12月17日的研究報(bào)告中,花旗將海力士目標(biāo)價(jià)由25,500韓圜降至22,500韓圜,并調(diào)降海力士2008年第
半導(dǎo)體供應(yīng)商之一意法半導(dǎo)體與韓國(guó)最大的化工企業(yè)LG化學(xué),公布了一項(xiàng)新的汽車(chē)電池組技術(shù)的細(xì)節(jié),這項(xiàng)技術(shù)既可以降低汽油消耗,又可減少汽車(chē)的二氧化碳排放量,可以顯著提升電動(dòng)及混合動(dòng)力電動(dòng)汽車(chē)(HEV)的市場(chǎng)潛力。
意法半導(dǎo)體(ST)推出全新ESD保護(hù)二極管產(chǎn)品系列,新產(chǎn)品的尺寸比上一代縮小 67%,能夠承受最嚴(yán)格的IEC61000-4-2標(biāo)準(zhǔn)的 ESD測(cè)試脈沖,低鉗位電壓特性有助于提高對(duì)調(diào)制解調(diào)器等低壓芯片的保護(hù)性能。 ESDALCxx-1U2
日前,Vishay Intertechnology, Inc.日前宣布推出新型 20-V 和 30-V p-通道 TrenchFET® 功率 MOSFET --- Si7633DP和Si7135DP。這次推出的器件采用 SO-8 封裝,具有 ±20-V 柵源極電壓以及業(yè)內(nèi)最低的導(dǎo)通電阻。