英飛凌科技股份公司在其位于德國慕尼黑Neubiberg的總部宣布,該公司正在擴建其位于匈牙利Cegléd的生產工廠,以滿足日益增長的對于可再生能源和傳統(tǒng)系統(tǒng)的需求。從現(xiàn)在開始到2012年,公司將投資近1,700萬歐元用
Analog Devices, Inc.(ADI)最新推出一款全新的電流/數(shù)字轉換器芯片—— ADAS1128,它使得高層數(shù)CT系統(tǒng)能夠以高精度和豐富信息量捕獲實時移動圖像(如跳動的心臟)。CT(計算機斷層掃描)掃描的應用隨著技術進步正在
在手機芯片領域,愛立信和意法半導體(ST)選擇了攜手出擊。兩家公司日前宣布,已完成愛立信手機平臺與ST-NXP Wireless 的整合,成立雙方各持股50%的合資公司。在業(yè)界看來,此合資公司的成立,將對高通的霸主地位形成挑
2月11日,據(jù)臺灣媒體報道,繼臺積電CEO蔡力行指出,首季運營可能是谷底后,聯(lián)電CEO孫世偉昨在股東說明會上進一步表示:“近期從公司內部的定單及出貨情況來看,定單有改善且有急單出現(xiàn),客戶信心逐漸恢復,但急單是不
2月11日消息,英特爾計劃在未來兩年里投資70億美元升級其在美國的工廠。這個跡象表明經濟衰退還沒有消滅芯片廠商追求高級設備的欲望。 英特爾首席執(zhí)行官歐德寧本周二在華盛頓的講話中宣布的這個投資表明半導體行業(yè)需
本文主要是通過Buck變換器推導出移相全橋變換器的小信號電路模型,接著用MATLAB軟件進行仿真,來判斷系統(tǒng)的穩(wěn)定性。
近日,英飛凌在其位于德國慕尼黑Neubiberg的總部公布了截止到2008年12月31日的2009財年第一季度的財務數(shù)據(jù)(依照國際財務報告準則IFRS編制)。 英飛凌2009財年第一季度實現(xiàn)營收8.30億歐元,環(huán)比下降28%,同比下降24
對于微機電系統(tǒng)(MEMS)市場,不僅臺灣半導體廠商抱持高度興趣,就連大陸晶圓代工廠同樣十分關注,臺系MEMS設計公司透露,繼中芯國際(SMIC)日前宣布投入MEMS晶圓代工后,再度有大陸晶圓代工廠加入MEMS晶圓代工行列。
繼05年率先開發(fā)出60納米內存、06年開發(fā)出50納米內存后,三星電子日前研發(fā)出了世界首款40納米1GDDR2動態(tài)內存(1納米等于十億分之一米),今年第3季度將實現(xiàn)量產。 據(jù)了解,40納米內存與目前普遍使用的50、60納米內存相
在存儲器市況惡劣的背景下,Hynix日前公布第四季度虧損9.64億美元。 相比之下,去年同期虧損額為3.35億美元,第三季度虧損12億美元。 “DRAM價格下跌43%,NAND flash價格下跌18%,而位出貨量DRAM為持平,NAND flas
據(jù)有關消息報道,從AMD公司的剝離出來的制造部分,與阿布扎比的ATIC公司共同組建,并獲得紐約州政府12億美元激勵資金的The Foundry Company,將在紐約州的馬耳他鎮(zhèn)開始其建造晶圓工廠的新計劃。該公司計劃位于Luther
介紹一種能測量心電波、呼吸波、心率、呼吸率、體溫、脈率、血氧和血壓等多種生理參數(shù)的無線集散醫(yī)療監(jiān)護系統(tǒng)。通過三個獨立的OEM模塊分別和一個具有控制、顯示和無線收發(fā)功能的模塊連接,實現(xiàn)上述參數(shù)的測量以及和上位機的信息交互。該方案設計的系統(tǒng)具有體積小、便于攜帶、分散控制、集中管理、開發(fā)周期短、性能可靠、易于維護、便于升級等優(yōu)點。
依據(jù)帶隙基準原理,采用華潤上華(CSMC)O.5μm互補金屬氧化物半導體(CMOS)工藝,設計了一種用于總線低電壓差分信號(Bus Low Voltage Differential Signal,簡稱BLVDS)的總線收發(fā)器帶隙基準電路。該電路有較低的溫度系數(shù)和較高的電源抑制比。Hspice仿真結果表明,在電源電壓yD0==3.3 V,溫度強25℃時,輸出基準電壓V~r=1.25 V。在溫度范圍為-45℃~+85℃時,輸出電壓的溫度系數(shù)為20 pm/℃,電源電壓的抑制比6(PSRR)=一58.3 dB。
日前,Vishay Intertechnology, Inc.推出兩款新型超高精度Z箔分壓器電阻 --- 300144Z 和 300145Z。這些電阻在55°C~+125°C(參考值為 +25°C)范圍內具有±0.2 ppm/°C的低典型 TCR,0.1ppm/°C 的 TCR 跟
日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布推出新系列螺釘安裝式高電壓圓盤電容器,這些器件為設計人員提供了多種直徑和電容值選擇,其額定電壓為 10kVDC~40kVDC。 憑借低交流與直流系數(shù),以及可忽略的壓電/電致伸縮效