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不景氣中不斷涌現(xiàn)的低成本封裝技術(shù)（二）
IC晶片正在持續(xù)微縮，但導(dǎo)線架的小型化看來(lái)卻已達(dá)到極限了，這導(dǎo)致連接二者的金導(dǎo)線正在逐步增加其長(zhǎng)度。更長(zhǎng)的導(dǎo)線意味著消耗的金屬更多、成本更高，同時(shí)也會(huì)對(duì)接合的可靠性帶來(lái)?yè)p害。如果因線徑增加而提升了金線
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英飛凌與飛兆對(duì)功率MOSFET用封裝實(shí)行通用化
德國(guó)英飛凌科技與美國(guó)飛兆半導(dǎo)體宣布，雙方就功率MOSFET用封裝達(dá)成合作伙伴協(xié)議。 合作的封裝是英飛凌的“PowerStage 3x3”及飛兆的“MLP 3x3（Power33）”。據(jù)稱，此次合作旨在避免該封裝供貨上的風(fēng)險(xiǎn)，該封裝集
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GlobalFoundries來(lái)勢(shì)洶洶 晶圓雙雄小心迎戰(zhàn)
DIGITIMES Research分析師柴煥欣分析，晶圓代工市場(chǎng)新秀GlobalFoundries挾著阿布扎比先進(jìn)技術(shù)投資公司(Advanced Technology Investment Co.，ATIC)雄厚資金來(lái)勢(shì)洶洶，在12吋產(chǎn)能擴(kuò)充一舉超越聯(lián)電(UMC)，成為全球擁
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Brewer Science發(fā)布新型光感化合物專利 用于MEMS器件制造
半導(dǎo)體及微電子市場(chǎng)高新技術(shù)創(chuàng)新公司Brewer Science宣布公司在美國(guó)獲得了一項(xiàng)新專利，該專利是關(guān)于一種新型光感化合物，在MEMS器件的制造過(guò)程中可用作保護(hù)層。 Brewer Science, Inc., Issued U.S. Patent for Protec
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清洗機(jī)按照集成電路制造的工序過(guò)程進(jìn)行清洗工作
高壓水清洗機(jī)（Cleaning Machine）采用不同的方法清洗包裝容器、包裝材料、包裝輔助物、包裝件，達(dá)到預(yù)期清潔程度的機(jī)器。 高壓清洗機(jī)品種分類 高壓清洗機(jī)品種有：液壓高壓清洗機(jī)、冷水高壓清洗機(jī)、熱水高壓
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崇越硅晶圓Q2漲一到二成，Q3仍有調(diào)漲條件
半導(dǎo)體材料代理商崇越(5434)董事會(huì)通過(guò)決議，去年度盈余預(yù)計(jì)每股將分派股利共計(jì)1.7元，其中包括現(xiàn)金股息1.5元與股票股利0.2元。以23日收盤價(jià)45.1元計(jì)算，崇越現(xiàn)金股息殖利率約3.3%。 崇越評(píng)估，由于全球主要供貨商
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駁斥臺(tái)積電存貨預(yù)警傳言，瑞信：需求仍強(qiáng)，目標(biāo)價(jià)77元
本周重量級(jí)半導(dǎo)體法說(shuō)會(huì)臺(tái)積電(2330)、聯(lián)電(2303)即將登場(chǎng)，瑞士信貸證券臺(tái)股研究部主管艾藍(lán)迪(Randy Abrams)今天出具晶圓代工、封測(cè)產(chǎn)業(yè)研究報(bào)告指出，經(jīng)調(diào)查5大供應(yīng)鏈族群以及17家芯片廠，包括10家晶圓代工客戶，調(diào)
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iSuppli：今年半導(dǎo)體硅晶圓需求將跳升17% 12吋成主流
科技市調(diào)機(jī)構(gòu)iSuppli 23日發(fā)表研究報(bào)告指出，全球?qū)χ圃彀雽?dǎo)體所用的硅晶圓需求將在今(2010)年強(qiáng)勁彈升，并將由12吋晶圓所帶動(dòng)。根據(jù)該機(jī)構(gòu)預(yù)測(cè)，2010年半導(dǎo)體用硅晶圓出貨面積將由2009年的70億平方英呎攀升17.4%至
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業(yè)界最全無(wú)損耗封裝（LFPAK）功率SO-8 MOSFET系列產(chǎn)品隆重登場(chǎng)
恩智浦半導(dǎo)體（NXP Semiconductors）近日成為首個(gè)發(fā)布以LFPAK為封裝（一種緊湊型熱增強(qiáng)無(wú)損耗的封裝）全系列汽車功率MOSFET的供應(yīng)商。結(jié)合了恩智浦在封裝技術(shù)及TrenchMOS技術(shù)方面的優(yōu)勢(shì)和經(jīng)驗(yàn)，新的符合Q101標(biāo)準(zhǔn)的LF
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GlobalFoundries宣布開(kāi)發(fā)20nm工藝 與22nm共存
GlobalFoundries今天宣布將會(huì)開(kāi)發(fā)20nm半導(dǎo)體制造工藝，但與臺(tái)積電不同，新工藝將與22nm共存，而且GF認(rèn)為這種半代工藝并不會(huì)消失。 臺(tái)積電不久前剛剛宣布，將跳過(guò)22nm工藝，改而直接上馬更先進(jìn)的20nm工藝，采用增強(qiáng)
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臺(tái)積電和聯(lián)電業(yè)績(jī)前景看好,受推出新產(chǎn)品帶動(dòng)
* 發(fā)布項(xiàng):臺(tái)積電和聯(lián)電第一季業(yè)績(jī) * 發(fā)布時(shí)間分別為4月27日和28日 * 第一季凈利料強(qiáng)勁,今年全年收益或增加 * StarMine SmartEstimate數(shù)據(jù)顯示,臺(tái)積電財(cái)年業(yè)績(jī)將意外大幅上升 路透臺(tái)北4月23日電---世界兩
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日月光半導(dǎo)體將收購(gòu)EEMS的新加坡及中國(guó)工廠
日月光半導(dǎo)體制造股份有限公司(Advanced Semiconductor Engineering Inc., ASX)計(jì)劃收購(gòu)歐洲芯片測(cè)試公司EEMS Italia SpA (EEMS.MI)旗下位于新加坡和中國(guó)蘇州的工廠，臺(tái)灣《工商時(shí)報(bào)》周一援引未具名公司管理人士的消
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聯(lián)芯科技：為何推自主研發(fā)TD芯片
4月26日消息，許久未露面的TD芯片核心企業(yè)、聯(lián)芯科技總裁孫玉望首次透露，聯(lián)芯已經(jīng)推出自主研發(fā)的TD系列芯片，從而彌補(bǔ)了以往聯(lián)發(fā)科平臺(tái)芯片的一些不足，但與聯(lián)發(fā)科的合作將繼續(xù)。推出自主研發(fā)的TD芯片聯(lián)芯科技是大唐
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追隨三星之路爾必達(dá)推出32GB容量模塊
日韓DRAM大廠制程競(jìng)賽延伸至產(chǎn)品規(guī)格之戰(zhàn)，在三星電子(SamsungElectronics)于3月底，宣布推出由32GB大容量服務(wù)器內(nèi)存模塊后，日系內(nèi)存大廠爾必達(dá)(Elpida)也宣布4GbDDR3芯片正式問(wèn)世，不但采40奈米制程生產(chǎn)，未來(lái)也將
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海力士：一季度DRAM芯片平均售價(jià)季漲3%
以收入計(jì)全球第二大電腦記憶芯片制造商海力士半導(dǎo)體公司(HynixSemiconductorInc.)22日公布，一季度公司動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)平均售價(jià)季比上升3%，09年四季度漲幅為26%。然而，海力士半導(dǎo)體公司在一份聲明中稱，一
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