杭州中天微系統(tǒng)加入電子系統(tǒng)設(shè)計(jì)聯(lián)盟

杭州中天微系統(tǒng)有限公司，一家來自中國(guó)杭州的32位嵌入式CPU內(nèi)核的領(lǐng)先供應(yīng)商，今日成為電子系統(tǒng)設(shè)計(jì)(ESD)聯(lián)盟的成員，享有表決權(quán)。電子系統(tǒng)設(shè)計(jì)(ESD)聯(lián)盟是一家旨在為全球半導(dǎo)體設(shè)計(jì)生態(tài)系統(tǒng)提供商品和服務(wù)的國(guó)際企業(yè)協(xié)會(huì)。

SIA聯(lián)盟論劍浦江，中國(guó)傳感器產(chǎn)業(yè)發(fā)展迎合IoT多元需求

傳感器作為物聯(lián)網(wǎng)(IoT)的硬件基礎(chǔ)、數(shù)據(jù)采集的入口，被譽(yù)為物聯(lián)網(wǎng)的“五官”，市場(chǎng)前景巨大。BCC Research預(yù)計(jì)全球傳感器市場(chǎng)規(guī)模在2016~2021年間復(fù)合增長(zhǎng)率為11%，到2021年將達(dá)到近2,000億美元。

富士通FRAM“上天入地”，拓展更多低功耗、高可靠性應(yīng)用空間

在前不久落下帷幕的深圳國(guó)際電子展現(xiàn)場(chǎng)，聚集了大量專業(yè)觀眾的富士通展臺(tái)格外亮眼，而引發(fā)這場(chǎng)圍觀的“黑科技”之一就是已“上天入地”的鐵電隨機(jī)存儲(chǔ)器(FRAM)。

東芝供貨蘋果閃存，iPhone 7勇棄16GB

最近谷歌在一則廣告中也間接諷刺蘋果存儲(chǔ)容量太小這一弊病?？梢娡饨绲姆答伿谴俪商O果徹底取消16G入門版機(jī)型的重要原因。

華邦電有望在移動(dòng)DRAM動(dòng)蕩期嶄露頭角

分析師表示，時(shí)序邁入第3季出貨旺季，由于三星旗艦機(jī)Note 7剛上市、新一代iPhone即將推出，加上中國(guó)品牌手機(jī)出貨未見停歇，都讓移動(dòng)式存儲(chǔ)器的需求同步大增。

16Gbps！下代顯卡存儲(chǔ)器GDDR6零八年問世

三星公開討論了后GDDR5時(shí)代的顯卡存儲(chǔ)器標(biāo)準(zhǔn)，提出新一代顯卡存儲(chǔ)器速率在14-16Gbps，電壓1.35V，簡(jiǎn)單來說就是在保持時(shí)鐘頻率1.75GHz的情況下，將數(shù)據(jù)頻率至少翻倍。

宇宙才是你的極限，貿(mào)澤電子攜手格蘭特•今原開啟國(guó)際空間站3D打印設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)

半導(dǎo)體與電子元器件頂尖工程設(shè)計(jì)資源與全球授權(quán)分銷商貿(mào)澤電子宣布與貿(mào)澤電子的長(zhǎng)期客戶、全球備受贊譽(yù)的工程師、“流言終結(jié)者”格蘭特·今原開啟“國(guó)際空間站設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)”。

產(chǎn)能轉(zhuǎn)移——3D NAND殺戮戰(zhàn)場(chǎng)明年來臨

NAND Flash缺貨壓力已獲緩解。然而以三星、美光、英特爾、東芝等業(yè)者的擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃來看，3D NAND產(chǎn)能將在明年大量開出，明年將是3D NAND殺戮戰(zhàn)場(chǎng)。

一線ODM/OEM廠生產(chǎn)鏈或添新丁——鈺創(chuàng)USB-PD控制IC

鈺創(chuàng)下半年受惠于英特爾Kaby Lake平臺(tái)放量出貨，以及PC市場(chǎng)進(jìn)入傳統(tǒng)備貨旺季，總體出貨量在8月之后已見明顯增溫。其中，USB-PD控制IC獲得英特爾Kaby Lake平臺(tái)參考設(shè)計(jì)認(rèn)證通過，可望順利打進(jìn)一線ODM/OEM廠生產(chǎn)鏈。

英特爾成長(zhǎng)策略的制勝法寶——FPJA

科再奇在主題演講中明確闡述FPGA是英特爾成長(zhǎng)策略的關(guān)鍵，其動(dòng)力來自成長(zhǎng)引發(fā)的良性循環(huán)。在智慧化與連網(wǎng)化的世界中，“萬物”能被擷取成一段資料、即時(shí)量測(cè)、還能從任何地方存取這些資料。

3D NAND技術(shù)大戰(zhàn)爆發(fā)前廠商們?cè)谧錾?/a>

手機(jī)缺少LPDD4和雙通道RAM就Out啦

據(jù)悉，今年的iPhone 7系列可能會(huì)搭載3GB RAM，提升整體性能。至于Android 7.0，一個(gè)醒目的新功能分屏多任務(wù)，將成為系統(tǒng)的基本功能，或許多RAM容量的要求會(huì)更高。

英特爾CEO科再奇:融合現(xiàn)實(shí)——讓虛擬世界和真實(shí)世界渾然一體

英特爾公司CEO科再奇 (Brian M. Krzanich) 在此期間撰文，闡述英特爾推動(dòng)“融合現(xiàn)實(shí)”(Merged Reality)世界的愿景，及其為開發(fā)者、創(chuàng)客和發(fā)明者提供的革命性技術(shù)進(jìn)步。

聊聊模電中的場(chǎng)管和運(yùn)放

按理說，場(chǎng)管不是教材的重點(diǎn)，但目前實(shí)際中應(yīng)用最廣，遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過雙極型晶體管(BJT)。場(chǎng)效應(yīng)管，包括最常見的MOSFET，在電源、照明、開關(guān)、充電等等領(lǐng)域隨處可見。

3D NAND 高壓競(jìng)爭(zhēng)，三星獨(dú)家領(lǐng)先

平面NAND閃存的制程己經(jīng)達(dá)15納米，幾乎接近它的物理極限，因此為了提高存儲(chǔ)器的容量及帶寬，向3D NAND技術(shù)邁進(jìn)是必然趨勢(shì)。