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  • 集成專用驅(qū)動(dòng)器在開關(guān)電源中的應(yīng)用

    ADSL接入技術(shù)已成為終端用戶最主要的寬帶接入技術(shù)。ADSL技術(shù)的關(guān)鍵是ADSL調(diào)制解調(diào)器，即ADSLMODEM。ADSL用戶端調(diào)制解調(diào)器驅(qū)動(dòng)器是一個(gè)寬頻帶功率放大器，他能不失真放大和傳輸電話線上已編碼的數(shù)字信號(hào)。本文通過對(duì)ADSL調(diào)制解調(diào)器驅(qū)動(dòng)器特點(diǎn)、結(jié)構(gòu)和性能的分析，給出了一種ADSL用戶端MODEM驅(qū)動(dòng)器的實(shí)現(xiàn)電路。

  • 微波pin二極管電阻與溫度的關(guān)系

    研究了四種pin二極管電阻的溫度特性。結(jié)果表明二極管結(jié)面積的大小，也就是二極管結(jié)電容的大小，影響著二極管的表面復(fù)合和二極管的載流子壽命，決定了二極管的溫度性能。器件的鈍化方式和幾何結(jié)構(gòu)對(duì)二極管電阻的溫度性能影響不大。結(jié)電容為0．1～1．0 pF的微波二極管，具有正的溫度系數(shù)，約為線性關(guān)系，結(jié)電容越大，電阻隨溫度變化越大。研究結(jié)果可以用來預(yù)測(cè)pin二極管開關(guān)和衰減器的溫度性能，進(jìn)一步可以應(yīng)用于電路溫度補(bǔ)償設(shè)計(jì)。

  • LED光源在礦井工作面照明燈中的應(yīng)用

    對(duì)目前我國(guó)煤礦用燈作了簡(jiǎn)單的介紹，指出了煤礦用燈的發(fā)展方向應(yīng)為節(jié)能、本質(zhì)安全型；闡述了采煤工作面本質(zhì)安全型LED照明燈應(yīng)該具備的條件，分析了LED的發(fā)光機(jī)理。通過光譜分析，得出了LED在實(shí)際照明應(yīng)用中散熱的重要性；介紹了LED燈的一次散熱方法及二次散熱方法；對(duì)LED燈隔爆兼本安驅(qū)動(dòng)電路作了設(shè)計(jì)并對(duì)小功率LED燈進(jìn)行了合理的排列，結(jié)果表明隔爆兼本質(zhì)安全型LED照明燈在采煤工作面是完全可以應(yīng)用并具備廣泛發(fā)展前景的。

  • 8 bit 800 Msps高速采樣保持電路的設(shè)計(jì)

    為適應(yīng)目前無線通信領(lǐng)域?qū)Ω咚貯／D轉(zhuǎn)換器的要求，采用在Cadence Spectre環(huán)境下進(jìn)行仿真驗(yàn)證的方法，對(duì)高速A／D前端采樣保持電路進(jìn)行了研究。提出的高速采樣保持電路(SH)采用SiGe BiCMOS工藝設(shè)計(jì)，該工藝提供了0．35μm的CMOS和46 GHz fT的SiGe HBT。基于BiCMOS開關(guān)射極跟隨器(SEF)的SH，旨在比二極管橋SH消耗更少的電流和面積。在SH核心，電源電壓3．3 V，功耗44 mW。在相干采樣模式下，時(shí)鐘頻率為800 MHz時(shí)，其無雜波動(dòng)態(tài)范圍(SFDR)為一52．8 dB，總諧波失真(THD)為一50．4 dB，滿足8 bit精度要求。結(jié)果顯示設(shè)計(jì)的電路可以用于中精度、高速A／D轉(zhuǎn)換器。

  • 八通道多協(xié)議串行通信控制器的功能驗(yàn)證

    超大規(guī)模集成電路芯片的驗(yàn)證是一項(xiàng)復(fù)雜的任務(wù)，占據(jù)了整個(gè)芯片設(shè)計(jì)工作量的70％。實(shí)現(xiàn)了一款八通道多協(xié)議串行通信控制器芯片的功能驗(yàn)證，介紹了基于總線功能模型驗(yàn)證平臺(tái)的建立方法，并根據(jù)此芯片的設(shè)計(jì)特點(diǎn)，研究了該芯片的驗(yàn)證策略，設(shè)計(jì)了驗(yàn)證平臺(tái)，同時(shí)完成了芯片的后仿真和樣片測(cè)試。實(shí)踐證明，該驗(yàn)證策略具有較高的功能覆蓋率，驗(yàn)證平臺(tái)具有較好的復(fù)用性，對(duì)同類具有復(fù)雜通信協(xié)議電路的功能驗(yàn)證有一定的參考價(jià)值。

  • 為背光LCD和電視選擇LED驅(qū)動(dòng)IC

    作者：飛思卡爾半導(dǎo)體公司 Michael Jennings發(fā)光二極管（LED）的內(nèi)在品質(zhì)使它能夠替代冷陰極熒光燈管（CCFL）成為下一代電視機(jī)、臺(tái)式機(jī)和筆記本顯示器的背光解決方案。LED的功耗遠(yuǎn)小于CCFL，壽命比后者長(zhǎng)5倍，效率更

  • 電容式觸控面板IC與光學(xué)技術(shù)發(fā)展前景

    觸控科技的萌芽雖可追溯至1970年代，但直到近幾年，它才真正嶄露頭角。觸控技術(shù)得以商品化，除了得益于平面顯示器的普及、操作系統(tǒng)納入人機(jī)接口應(yīng)用、材料與生產(chǎn)制造技術(shù)上的突破外，最重要的還包括了蘋果(Apple)的i

  • 集成電路Cu互連線的XRD研究

    對(duì)硫酸鹽體系中電鍍得到的Cu鍍層，使用XRD研究不同電沉積條件、不同襯底和不同厚度鍍層的織構(gòu)情況和擇優(yōu)取向。對(duì)比了直流電鍍和脈沖電鍍?cè)谟刑砑觿┖蜔o添加劑條件下的織構(gòu)情況。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明，對(duì)于在各種條件下獲得的lμm Cu鍍層，均呈現(xiàn)(111)晶面擇優(yōu)，這樣的鍍層在集成電路Cu互連線中有較好的抗電遷移性能。

  • 新型部分耗盡SOI器件體接觸結(jié)構(gòu)

    提出了一種部分耗盡SOI MOSFET體接觸結(jié)構(gòu)，該方法利用局部SIMOX技術(shù)在晶體管的源、漏下方形成薄氧化層，采用源漏淺結(jié)擴(kuò)散，形成體接觸的側(cè)面引出，適當(dāng)加大了Si膜厚度來減小體引出電阻。利用ISE一TCAD三維器件模擬結(jié)果表明，該結(jié)構(gòu)具有較小的體引出電阻和體寄生電容、體引出電阻隨器件寬度的增加而減小、沒有背柵效應(yīng)。而且，該結(jié)構(gòu)可以在不增加寄生電容為代價(jià)的前提下，通過適當(dāng)?shù)脑黾觭i膜厚度的方法減小體引出電阻，從而更有效地抑制了浮體效應(yīng)。

    模擬
    2009-04-16
    器件 電容 BSP BOX

  • ∑-△ADC的降采樣濾波器的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)

    介紹了一種帶寬150 kHz、16 bit的∑-△模數(shù)轉(zhuǎn)換器中的降采樣低通濾波器的設(shè)計(jì)和實(shí) 現(xiàn)。系統(tǒng)采用Sharpened CIC(cascaded integrator-comb)和ISOP(interpolated second-order polynomials)頻率補(bǔ)償技術(shù)對(duì)通帶的下降進(jìn)行補(bǔ)償，最后級(jí)聯(lián)三個(gè)半帶濾波器輸出。芯片采用SMIC O．18μmCMOS工藝實(shí)現(xiàn)，系統(tǒng)仿真和芯片測(cè)試結(jié)果表明，性能滿足設(shè)計(jì)指標(biāo)要求。與傳統(tǒng)音頻領(lǐng)域的∑-△ADC應(yīng)用相比，該設(shè)計(jì)在很大程度上拓展了處理帶寬，提高了處理精度，并且便于集成在SOC芯片中，主要應(yīng)用于醫(yī)療儀器、移動(dòng)通信、過程控制和PDA(personal digital assistants)等領(lǐng)域。

  • L波段寬帶低相噪VCO的設(shè)計(jì)與制作

    提出了一種基于PCB工藝的L波段寬帶低相噪VCO電路拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。采用基極和發(fā)射極雙端調(diào)諧的方式，并引入可變電容反饋，實(shí)現(xiàn)了電路的超寬帶。同時(shí)在低損耗的FR4基板上制作微帶小電感以形成高Q諧振器，降低了VCO的相位噪聲?；诖朔椒ㄔO(shè)計(jì)得到的L波段寬帶VCO比同類薄膜工藝產(chǎn)品相位噪聲低了5 dB以上。

  • SiC襯底X波段GaN MMIC的研究

    使用國(guó)產(chǎn)6H—SiC襯底的GaN HEMT外延材料研制出高工作電壓、高輸出功率的A1GaN／GaN HEMT。利用ICCAP軟件建立器件大信號(hào)模型，利用ADS軟件仿真優(yōu)化了雙級(jí)GaNMMIC，研制出具有通孔結(jié)構(gòu)的GaN MMIC芯片，連續(xù)波測(cè)試顯示，頻率為9．1～10．1 GHz時(shí)連續(xù)波輸出功率大于10W，帶內(nèi)增益大于12 dB，增益平坦度為±0．2 dB。該功率單片為第一個(gè)采用國(guó)產(chǎn)SiC襯底的GaN MMIC。

    模擬
    2009-04-16
    波段 BSP GAN SIC

  • 一種應(yīng)用于SoC的高速數(shù)模轉(zhuǎn)換器的設(shè)計(jì)

    本文提出了一種應(yīng)用于SoC的高速高精度DAC的設(shè)計(jì)，并在深亞微米CMOS工藝下實(shí)現(xiàn)了IP硬核形式的設(shè)計(jì)。該設(shè)計(jì)在高速條件下具有良好的性能，且功耗與面積都較小，能夠有效滿足通信、測(cè)量、自動(dòng)控制、多媒體等領(lǐng)域的SoC系統(tǒng)設(shè)計(jì)的應(yīng)用需求。

  • 帶增益調(diào)度的風(fēng)力發(fā)電變槳距控制研究

    介紹了風(fēng)力發(fā)電變槳控制的基本原理，對(duì)以輸出功率作為控制量的變槳控制方法進(jìn)行了仿真，并引入了一種帶增益調(diào)度的變槳控制策略，通過仿真驗(yàn)證對(duì)比，證明了這種帶增益調(diào)度的控制策略可以改善變槳控制效果。

  • 電控柜的兼容設(shè)計(jì)

    文章介紹了電磁干擾的基本概念和造成電磁干擾的因素，從這些因素入手實(shí)現(xiàn)電控柜電磁兼容的主要方法。

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