本電路使用了面接型N溝道FET,是一種由完善的推挽電路組成的緩沖放大器,能夠縮短上升和下降的時(shí)間,及用在要求頻帶寬、轉(zhuǎn)換速度快、輸入阻抗高、輸出阻抗低的電路中。
TT1和TT2為N溝道、P溝道的FET,他們的VGB與ID關(guān)系特性必須相同,否則輸出、輸入之間就會(huì)產(chǎn)生失調(diào)電壓。如果本電路用在OP放大器等的反饋電路中,失調(diào)電壓則可忽略不計(jì)。
面接型FET的柵-源電壓直接成為輸出電路基極射極間的偏壓。輸出電路基極-基極之間大約需要1.5V,因此必須選用漏極飽和電流IBSS相等的FET增加。TT3的目的是使FET的偏差不至造成輸出級(jí)的偏流發(fā)生變化。當(dāng)要求用更高的速度工作時(shí),應(yīng)盡量加大電流,使輸出級(jí)始終在線性范圍內(nèi)工作。
根據(jù)最大集電極電流和允許功耗選擇輸出晶體管,應(yīng)選用FT高、COB小的器件。
雖然本電路從原理來看比較理想,但是輸入級(jí)使用的FET(TT1.2)的VGB與ID的關(guān)系特性如發(fā)生偏差、會(huì)使工作點(diǎn)發(fā)生變化,所以必須選擇合適的漏極飽和電流。并加以控制。
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