為了避免過(guò)于理論化,我們從一個(gè)實(shí)驗(yàn)入手看看功耗與溫度之間是如何相互關(guān)聯(lián)的。在14引腳的雙列直插式封裝外殼里裝入一個(gè)1歐電阻,電阻的兩端連接到引腳7和14,另外還要將一個(gè)溫度傳感器連接到引腳1和2,以便我們能了解封裝內(nèi)的溫度。通過(guò)改變引腳7和14上的電壓,就能夠控制封裝內(nèi)的功耗。
然后,將這個(gè)封裝放在溫箱內(nèi)的靜止空氣中,將環(huán)境溫度設(shè)定為86度F(30℃)而且功耗設(shè)定為零。幾分鐘后,封裝里的溫度將依然保持在30℃的水平。
接著,繪出一個(gè)內(nèi)部溫度與功耗的關(guān)系曲線。每次讀數(shù)的間隔時(shí)間必須足夠讓電路重新達(dá)到熱平衡。圖2.23顯示了實(shí)驗(yàn)結(jié)果。
圖2.23 一個(gè)14引腳塑料雙列直插封裝內(nèi)的溫度與功耗的關(guān)系曲線
數(shù)據(jù)點(diǎn)構(gòu)成了一條線,預(yù)示著每消耗1W能量會(huì)使溫度上升83℃,溫度和功率之間的之一線性關(guān)系對(duì)所有的邏輯器件封裝都具有代表性。
圖2.24顯示了在30℃,70℃和110℃的不同環(huán)境溫度下的實(shí)驗(yàn)結(jié)果。溫度曲線的斜率在所有的情況下都是相同的,只是起始點(diǎn)有一個(gè)偏移量。等于環(huán)境溫度加上與內(nèi)部功耗P成比例的偏移量:T結(jié)=T環(huán)境+θJAP
比例常數(shù)θJA稱為從結(jié)到環(huán)境的封裝熱阻。常數(shù)θJA這個(gè)特征值與管芯在封裝內(nèi)的附著方式、封裝材料、封裝尺寸以及在任何附加在封裝上的特定散熱部件的特性相關(guān)。
有時(shí)制造商會(huì)根據(jù)封裝內(nèi)的工作方式及其裝配方法將熱阻分為幾個(gè)部分。最常用的方式是分別計(jì)算從結(jié)到容器的溫度升高和從容器到外部環(huán)境的溫度升高。
θJA=θJC+θCA
制造商之所以采用這種分割法是因?yàn)橥ǔN覀儫o(wú)法改變?chǔ)菾C,但有許多方法可以影響θCA,外加散熱器的制造商提供了詳細(xì)的文獻(xiàn)和技術(shù)報(bào)告,敘述其產(chǎn)品對(duì)于θCA的改進(jìn)措施。使用專用散熱器時(shí),為了預(yù)測(cè)最大的內(nèi)部結(jié)溫,必須得到來(lái)自器件封裝廠商的θJC數(shù)據(jù)和來(lái)自散熱器制造商的θCA數(shù)據(jù),以及我們自己計(jì)算出的器件總功耗。
如果說(shuō)臺(tái)積電成功的首要原因是是開(kāi)創(chuàng)了半導(dǎo)體業(yè)界首個(gè)代工的模式,那么,持續(xù)不斷的在邏輯制程上的自主研發(fā),則是維持臺(tái)積電一直成功前行的燃料。從1987年的3微米制程到預(yù)計(jì)2022年量產(chǎn)的3納米,臺(tái)積電平均2年開(kāi)發(fā)一代新制程,...
關(guān)鍵字: 光刻技術(shù) 封裝技術(shù) EUV光刻機(jī)如果說(shuō)臺(tái)積電成功的首要原因是是開(kāi)創(chuàng)了半導(dǎo)體業(yè)界首個(gè)代工的模式,那么,持續(xù)不斷的在邏輯制程上的自主研發(fā),則是維持臺(tái)積電一直成功前行的燃料。從1987年的3微米制程到預(yù)計(jì)2022年量產(chǎn)的3納米,臺(tái)積電平均2年開(kāi)發(fā)一代新制程,...
關(guān)鍵字: 光刻技術(shù) 封裝技術(shù) EUV光刻機(jī)(全球TMT2022年5月9日訊)今年一季度,北京數(shù)字經(jīng)濟(jì)實(shí)現(xiàn)增加值 3873.6億元,首次占地區(qū)GDP比重超過(guò)四成,率先讓數(shù)字經(jīng)濟(jì)成為經(jīng)濟(jì)轉(zhuǎn)型發(fā)展的新動(dòng)能。浪潮信息作為科技創(chuàng)新助力數(shù)字經(jīng)濟(jì)發(fā)展的標(biāo)桿企業(yè)接受采訪,浪潮...
關(guān)鍵字: 數(shù)字經(jīng)濟(jì) 數(shù)據(jù)中心 熱阻 傳導(dǎo)2022第一季度財(cái)務(wù)亮點(diǎn): 一季度實(shí)現(xiàn)收入為人民幣81.4億元,同比增長(zhǎng)21.2%,創(chuàng)歷年同期新高。 一季度經(jīng)營(yíng)活動(dòng)產(chǎn)生現(xiàn)金人民幣16.4億元,同比增長(zhǎng)36.1%...
關(guān)鍵字: 長(zhǎng)電科技 晶圓 封裝技術(shù) 半導(dǎo)體器件統(tǒng)計(jì)發(fā)現(xiàn),在中國(guó)大陸半導(dǎo)體封測(cè)領(lǐng)域,長(zhǎng)電科技有效專利數(shù)量最高,超過(guò)3000件,有效專利持有量也占絕對(duì)領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)。
關(guān)鍵字: 長(zhǎng)電科技 封裝技術(shù) 半導(dǎo)體日前,長(zhǎng)電科技首席技術(shù)長(zhǎng)李春興(Lee Choon Heung)先生,與美國(guó)Semiconductor Engineering網(wǎng)站進(jìn)行了一次涉及半導(dǎo)體市場(chǎng)前景、摩爾定律、小芯片(Chiplet)、扇出型封裝(Fan-ou...
關(guān)鍵字: 長(zhǎng)電科技 封裝技術(shù) 半導(dǎo)體