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[導(dǎo)讀] 電阻不再是電阻——高頻時(shí)確實(shí)如此許多設(shè)計(jì)師沒有意識(shí)到實(shí)際元件中的寄生因素會(huì)影響它們的值。當(dāng)頻率達(dá)到幾百兆赫茲時(shí),諸如電阻、電感和電容等基本元件都會(huì)呈現(xiàn)出非理想的特性。這種變化在設(shè)計(jì)濾波器或試

 電阻不再是電阻——高頻時(shí)確實(shí)如此

許多設(shè)計(jì)師沒有意識(shí)到實(shí)際元件中的寄生因素會(huì)影響它們的值。當(dāng)頻率達(dá)到幾百兆赫茲時(shí),諸如電阻、電感電容等基本元件都會(huì)呈現(xiàn)出非理想的特性。這種變化在設(shè)計(jì)濾波器或試圖優(yōu)化供電網(wǎng)絡(luò)、旁路網(wǎng)絡(luò)或偏置電路時(shí)將變得非常關(guān)鍵。

我們將在后續(xù)文章中討論電容和電感?,F(xiàn)在讓我們討論最常見的電阻。下面是電阻的理想阻抗曲線,正如你期望的那樣,是一條直線。

圖1:理想電阻的阻抗與頻率之間的關(guān)系曲線表明在所有頻率下阻抗都是相同的值。

現(xiàn)在讓我們考慮一個(gè)具有短引線的碳質(zhì)電阻。通過增加引線的寄生電感和電阻端帽之間的并聯(lián)電容就可以得到下面這種高頻時(shí)的簡化模型。

圖2:典型電阻在高頻時(shí)的簡化模型,其中包含了并聯(lián)電容和串聯(lián)電感。

(引線長度為1/4英寸的)碳質(zhì)電阻的典型串聯(lián)電感為14nH,并聯(lián)電容為1-2pF。

如果繪出這種簡化模型的頻率曲線,你應(yīng)該會(huì)看到下面這個(gè)理想的阻抗圖。

圖3:實(shí)際電阻的理想阻抗圖上有幾個(gè)不同的點(diǎn),分別展示了電阻主導(dǎo)、電容減少阻抗和電感增加阻抗的特性。

在較低頻率時(shí),圖中的曲線是純阻性的(水平直線)。但隨著頻率的增加,并聯(lián)電容將占主導(dǎo)地位,阻抗開始以20dB/10倍頻下降。電阻現(xiàn)在變成了電容,這里出現(xiàn)了轉(zhuǎn)折點(diǎn)。

圖中還有一個(gè)容性電抗等于感性電抗的點(diǎn)。在這個(gè)短暫的瞬間,阻抗再一次變?yōu)榧冏栊?雖然阻值要小得多)。串聯(lián)諧振就發(fā)生在這個(gè)轉(zhuǎn)折點(diǎn)。

在這個(gè)點(diǎn)之后,串聯(lián)的引線電感占主導(dǎo)地位,可憐的電阻變成了電感。它的阻抗曲線以20dB/10倍頻的斜率上升。

為了幫助說明,我測量了一個(gè)引線長度為1/4英寸的碳質(zhì)電阻,并繪出了下面這張圖。

圖4:帶短引線的1kΩ碳質(zhì)電阻的阻抗測量圖。

由于圖中只給出了從1MHz到450MHz的頻率變化,因此看不到由于串聯(lián)電感而引起的阻抗增加那段曲線。然而在100MHz時(shí),你可以看到1kΩ電阻的阻抗已經(jīng)下降到約730Ω。在300MHz時(shí),阻抗只有300Ω了。

即使在使用串聯(lián)電感為1-2nH、并聯(lián)電容為0.2-0.4pF的典型表貼元件時(shí),高達(dá)數(shù)百兆赫茲的頻率也會(huì)影響阻抗測量值。

通過理解實(shí)際元件的寄生因素對(duì)阻抗的影響,你將明白為何要保持引線長度和電路走線盡可能短、為何在高頻設(shè)計(jì)中表貼元件性能更加優(yōu)異。

你遇到過隨著頻率的增加串聯(lián)電感或并行電容改變的情況嗎?這種情況將如何影響你的設(shè)計(jì)性能呢?

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