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[導(dǎo)讀]TCD1206是一款高靈敏度、低暗電流、2160像元的雙溝道線陣CCD圖像傳感器。由2236個PN結(jié)光電二極管構(gòu)成光敏元陣列,其中前64個和后12個是用作暗電流檢測而被遮蔽的,中間2160個光電二極管是曝光像敏單元,每個光敏單元

TCD1206是一款高靈敏度、低暗電流、2160像元的雙溝道線陣CCD圖像傳感器。由2236個PN結(jié)光電二極管構(gòu)成光敏元陣列,其中前64個和后12個是用作暗電流檢測而被遮蔽的,中間2160個光電二極管是曝光像敏單元,每個光敏單元的尺寸為長14μm、高14μm,中心距亦為14μm。光敏元陣列總長為30.24 mm。

  TCD1206的主要特性有:1)光敏像元數(shù)為2 160像元;2)像敏單元為:14μmxl 414μm(相鄰像元中心距為14μm);3)光譜范圍為250~l 100 nm:4)光敏區(qū)域采用高靈敏度PN結(jié)作為光敏單元;5)時鐘為二相(5 V);6)內(nèi)部電路包含采樣保持電路,輸出預(yù)放大電路;7)采用22引腳DIP封裝。

  TCD1206的結(jié)構(gòu)原理和引腳功能

 結(jié)構(gòu)原理

  TCD1206是二相電極的雙溝道線型CCD,其結(jié)構(gòu)原理如圖1所示。中間一排是由多個光敏二極管構(gòu)成的光敏陣列,有效單元為2 160位,其作用是接收照射到CCD硅片的光,并將其轉(zhuǎn)化成電荷信號,光敏元兩側(cè)是存儲其電荷的MOS電容列一存儲柵。MOS電容列兩側(cè)是轉(zhuǎn)移柵電極SH。轉(zhuǎn)移柵的兩側(cè)為CCD模擬移位寄存器,其輸出部分由信號輸出單元和補(bǔ)償單元構(gòu)成。

  


 

  引腳功能

  TCD1206器件采用DIP封裝,各引腳功能如表1所示。

  

 

   驅(qū)動時序及驅(qū)動設(shè)計(jì)

  驅(qū)動時序分析

  TCD1206在圖2所示的驅(qū)動脈沖作用下工作。當(dāng)SH脈沖高電平到來時,φ1脈沖為高電平,其下形成深勢阱,同時SH的高電平使φ1電極下的深勢阱與MOS電容存儲勢阱溝通。MOS電容中的信號電荷包通過轉(zhuǎn)移柵轉(zhuǎn)移到模擬移位寄存器的φ1電極下的勢阱中。當(dāng)φSH由高變低時,φSH低電平形成的淺勢阱將存儲柵下的勢阱與φ1電極下的勢阱隔離開。存儲柵勢阱進(jìn)入光積分狀態(tài),而模擬移位寄存器將在φ1與φ2脈沖的作用下驅(qū)使轉(zhuǎn)移到φ1電極下的勢阱中的信號電荷向左轉(zhuǎn)移,并經(jīng)輸出電路由OS電極輸出。DOS端輸出補(bǔ)償信號。

  

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