2.BB l flash(MCP)同BB，以及其他總線設(shè)備的相對位置盡量按推薦的，保證BB到flash(MCP)的走線最順暢; l 晶振必須放在離芯片最近的地方，但不要放在靠近板邊的地方，包括13M(26M)、32.768K。 l 基帶處理芯片及外部MEMORY盡量靠近，并采用屏蔽蓋屏蔽。屏蔽蓋的焊接線的寬度視屏蔽蓋厚度而定，但至少0.8mm，元器件距離屏蔽蓋的焊接線距離至少0.3mm，同時要考慮器件的高度是否超出屏蔽蓋。 3.電源(VBAT、LDO) l 電源VBAT和LDO輸出線上的電容盡量靠近相應(yīng)的管腿; l 芯片電源的濾波電容必須放在芯片PIN 旁邊， 比如AVDDVBO 、AVDDVB、AVDDBB、AVDDAUX、AVDD36、VBAT、VDD、VDDIO、VMEM、DVDD3V、V28、VDDNF、VLCD等等。 4.EMI/ESD l BB 周圍器件(特別是模擬部分)要嚴格按照參考設(shè)計 l FPC的EMI器件盡量靠近connector; l ESD器件要就近擺放 l 元器件與元器件外框邊緣的距離大于0.25mm,一般最少為0.3mm，元器件距板邊的距離至少0.3mm以上，結(jié)構(gòu)定位器件除外 l 升壓電路，音頻電路、FPC遠離天線，充電電路遠離RF、Audio以及其它敏感電路。 l AUDIO部分濾波電路的輸入輸出級應(yīng)該相互隔離，不能有耦合