TI公司的模擬封裝產(chǎn)品經(jīng)理Matt Romig指出，TI的PowerStack方法是第一種可以堆疊高側(cè)垂直MOSFET的3D封裝技術(shù)。這種技術(shù)將由銅夾固定位置的高側(cè)和低側(cè)MOSFET整合在一起，并使用地電位的裸露焊盤提供熱優(yōu)化設(shè)計(jì)（圖2）。采用兩個(gè)銅夾連接輸入和輸出電壓引腳可以形成更高集成度的扁平方形無引線（QFN）封裝功率器件的熱量管理具有更大的挑戰(zhàn)性。更高頻率的信號(hào)處理和縮小封裝尺寸的需求使傳統(tǒng)冷卻技術(shù)逐漸邊緣化。Advanced Thermal Solutions公司總裁兼首席執(zhí)行官Kaver Azar建議使用帶水冷式微通道的嵌入式薄膜熱電器件。Azar構(gòu)想了這樣一個(gè)解決方案：最大限度地減小散熱路徑中的最大熱阻--擴(kuò)散熱阻，方法是將一個(gè)散熱裝置直接綁定到微處理器裸片（圖3）。這種方法可以將小型微處理器裸片上聚集的熱量發(fā)散到更大的散熱器基座上，然后再將熱量散發(fā)到周圍環(huán)境中。這種內(nèi)置強(qiáng)制熱擴(kuò)散器在硅封裝中整合了微通道和迷你通道。通道內(nèi)的水流速度大約為0.5至1升/分鐘。仿真結(jié)果表明，在球柵陣列（BGA）封裝中的10×10mm裸片上，一個(gè)120×120mm的散熱器底盤面積可以產(chǎn)生0.055K/W的熱阻。使用熱導(dǎo)率等于或大于鉆石的散熱材料可以產(chǎn)生0.030K/W的熱阻。Nextreme Thermal Solutions公司營銷與業(yè)務(wù)發(fā)展副總裁Paul Magill也推薦熱電冷卻技術(shù)，并宣稱應(yīng)從芯片級(jí)開始冷卻。該公司提供元件內(nèi)部深度的局部熱管理技術(shù)。該技術(shù)使用了名為熱泵的微型薄膜熱電（eTEC）結(jié)構(gòu)（圖4）。這種主動(dòng)散熱材料被嵌入倒裝芯片互連（如銅柱焊錫凸塊）供在封裝中使用。在芯片晶圓、裸片和封裝級(jí)實(shí)現(xiàn)局部冷卻可以產(chǎn)生重要的經(jīng)濟(jì)效益。例如，在擁有成千上百個(gè)先進(jìn)微處理器的數(shù)據(jù)中心，這種方法的效率要比使用價(jià)格更高、體積更大的空調(diào)系統(tǒng)散熱高得多。在像LED等一些器件中，組合使用被動(dòng)和主動(dòng)冷卻技術(shù)可以提高器件性能和壽命（圖5）。例如，在散熱器中使用風(fēng)扇通?？梢詫嶙铚p小到0.5℃/W,這與單獨(dú)使用被動(dòng)冷卻（散熱器）達(dá)到的典型10℃/W相比有顯著的改善。重復(fù)仿真熱量控制一直是而且還將繼續(xù)是實(shí)現(xiàn)更高IC性能的限制因素之一。在這些越來越小的IC及它們的封裝中，空間越來越寶貴，幾乎沒有空間留出來幫助冷卻。這迫使設(shè)計(jì)工程師考慮使用外部冷卻技術(shù)以及不斷改進(jìn)的新型冷卻材料。不管怎樣，基本的前提仍然成立：設(shè)計(jì)工程師必須更多地關(guān)注熱力科學(xué)才能實(shí)現(xiàn)最優(yōu)的冷卻解決方案。整個(gè)過程應(yīng)從熱分析軟件開始，這遠(yuǎn)早于設(shè)計(jì)投入生產(chǎn)之時(shí)。這正是仿真軟件工具入場的絕好時(shí)機(jī)。像明導(dǎo)資訊公司（Mentor Graphics）的Flotherm 3D V.9軟件工具等產(chǎn)品就能幫助3D IC設(shè)計(jì)工程師確定發(fā)熱量，并在熱問題發(fā)生時(shí)幫助他們解決。這種計(jì)算流體力學(xué)（CFD）產(chǎn)品提供了瓶頸（Bn）和捷徑（Sc）場的映像。這樣工程師就可以知道設(shè)計(jì)中哪里發(fā)生了熱流擁塞并確定發(fā)生的原因。據(jù)明導(dǎo)公司機(jī)械分析事業(yè)部總經(jīng)理Erich Bürgel介紹，創(chuàng)新的Bn場可以表明設(shè)計(jì)的散熱路徑在哪里發(fā)生了擁塞，因?yàn)樗偸瞧髨D從高結(jié)溫點(diǎn)向周圍環(huán)境點(diǎn)流動(dòng)。Sc場強(qiáng)調(diào)了通過增加一個(gè)簡單要素（如空隙焊盤或機(jī)箱突出物）創(chuàng)建一個(gè)新的高效熱流路徑的可能方法。Flotherm 3D V.9支持導(dǎo)入XML模型和幾何數(shù)據(jù)，用于幫助該軟件集成進(jìn)數(shù)據(jù)流。Flotherm還能直接連接明導(dǎo)的Expedition PCB設(shè)計(jì)平臺(tái)。因此，用戶可以增加、編輯或刪除各個(gè)對(duì)象，如散熱器、熱過孔、切塊和電磁罐等，以實(shí)現(xiàn)更加精確的熱建模。有了熱仿真后，設(shè)計(jì)工程師無需建立和測試原型就能預(yù)測初始設(shè)計(jì)和后續(xù)設(shè)計(jì)的熱性能。諸如散熱片數(shù)量、散熱片厚度、散熱器底座厚度以及散熱界面材料的熱阻等設(shè)計(jì)變量應(yīng)加以考慮。正確的熱模型對(duì)于計(jì)劃使用由薄裸片組成的邏輯和存儲(chǔ)器件的未來3D IC來說非常重要，因?yàn)楸÷闫瑫?huì)顯著減少側(cè)向熱量擴(kuò)散。隨著裸片厚度的縮小，更高溫度的點(diǎn)將變得更加普遍。邏輯裸片上的熱點(diǎn)會(huì)造成存儲(chǔ)器裸片中的局部溫升，這可能會(huì)縮短DRAM數(shù)據(jù)保持時(shí)間。比利時(shí)大學(xué)間微中心（IMEC）的研究人員已經(jīng)驗(yàn)證了用于下一代3D混合堆疊IC設(shè)計(jì)的正確熱模型。這些3D堆疊芯片非常像未來的商用芯片，由堆疊在商用DRAM之上的IMEC專有邏輯CMOS IC組成。堆疊是利用硅通孔（TSV）和微型凸塊實(shí)現(xiàn)的。這項(xiàng)研究工作是IMEC和合作伙伴富士通（Fujitsu）、Globalfoundries、Intel、美光（Micron）、松下（Panasonic）、高通（Qualcomm）、三星（Samsung）、索尼（Sony）和TSMC之間合作開展的。IBM計(jì)劃在今后的3D IC處理器中使用微通道水冷技術(shù)，如準(zhǔn)備在2013年推出的Power8處理器（圖6）。IBM公司瑞士蘇黎世研究中心高級(jí)熱封裝部經(jīng)理Bruno Michel透露，高能效的熱水冷卻技術(shù)是IBM零排放數(shù)據(jù)中心概念的一部分。為了冷卻在幾乎相同空間內(nèi)比單個(gè)處理器產(chǎn)熱更多的3D堆疊芯片，使用水替代空氣可減少能耗。PNY Technologies公司的XLR8 GTX 580 GeForce圖形卡中也采用了液體冷卻的CPU,這種圖形卡主要用于極具挑戰(zhàn)性的圖形密集型游戲產(chǎn)品。PNY還和CPU熱管理專業(yè)公司Asetek聯(lián)合生產(chǎn)一種提供給游戲迷和他們的GPU/CPU冷卻系統(tǒng)使用的產(chǎn)品。這種組合設(shè)計(jì)采用了閉環(huán)系統(tǒng)和Asetek的密封水冷卻器，可以為消費(fèi)者提供直接可用、方便安裝的產(chǎn)品，價(jià)格是649.99美元。PNY宣稱新系統(tǒng)與標(biāo)準(zhǔn)參考設(shè)計(jì)的Nvidia GeForce GTX 580圖形卡相比可以在冷卻溫度、噪音和性能方面提升高達(dá)30%的幅度。通過水冷進(jìn)行熱管理也被種類廣泛的功率器件所采用，如半導(dǎo)體閘流管、MOSFET和硅控整流器（SCR）。Ixys公司子公司W(wǎng)estcode Semiconductors開發(fā)的XW180GC34A/B就是一個(gè)很好的例子。這種鍍鎳散熱器具有127mm直徑的接觸盤，非常適合電極觸點(diǎn)直徑高達(dá)125mm的緊壓包裝器件使用。典型的散熱器到輸入水熱阻在流量為10升/分鐘的情況下是4.3K/kW（兩個(gè)冷卻器加一個(gè)半導(dǎo)體器件）和5.6K/kW（三個(gè)冷卻器加兩個(gè)半導(dǎo)體器件）。散熱器可以有也可以沒有完整的連接總線條。“冷卻器的典型應(yīng)用是迷你型兆瓦功率級(jí)器件和大功率整流器，比如在重工業(yè)應(yīng)用中，或用于電氣火車軌道旁的變電站，以及發(fā)電和配電應(yīng)用中?！盬estcode公司營銷與技術(shù)支持經(jīng)理Frank Wakeman表示，“這些冷卻器提供的高效冷卻功能可以幫助消費(fèi)者用更小的體積實(shí)現(xiàn)更高功率密度的系統(tǒng)?！?/p>