基于stm32f103zet6之nor flash的學習
有時候，我們需要保存少量數(shù)據(jù)，但是用外擴的ROM又覺得不方便，這時候自然就想到了芯片內(nèi)部是否自帶flash（閃存），據(jù)我了解，stm32內(nèi)部的應(yīng)該是nor flash，因為如果是nand flash的話，肯定速度是跟不上的。不過如果是想看關(guān)于存儲器的區(qū)別，建議參考這個博文http://blog.csdn.net/king_bingge/article/details/8742708。
一、這次主要總結(jié)的就是關(guān)于如何實現(xiàn)對stm32內(nèi)部flash的讀寫
1、根據(jù)以往學習msp430的經(jīng)驗，本能的以為對stm32的內(nèi)部flash的操作也是有地址范圍限制的，比如說430那塊片子就限制我們，用戶可以操作的flash是A、B兩個區(qū)各128個字節(jié)，通過查閱資料，發(fā)現(xiàn)stm32不是這樣的，畢竟是高級的芯片。只要是非程序空間，也就是我們下載程序的時候沒有用到的那些空間，我們都是可以對那部分的nand flash進行操作的，這樣一來我們可以存儲的數(shù)據(jù)就打了，爽到了吧！不過不用高興的太早，nor可是非常寶貴的，如果程序比較大，還是建議用外擴的ROM吧！
2、其實那本stm32的flash中文手冊對我們的如何進行flash的變成方法已經(jīng)介紹的很清楚了，這里
二、好了到這里為止就開始貼代碼了，然后慢慢分析！
[csharp]view plaincopyprint?
#include"stm32f10x.h"
#include"stdio.h"
u16data[2]={0x0001,0x0002};
intFlash_Test(void)
{
u32count=0;
RCC_HSICmd(ENABLE);//保證內(nèi)部高速晶振開啟
FLASH_Unlock();//打開寫保護
FLASH_ClearFlag(FLASH_FLAG_EOP|FLASH_FLAG_PGERR|FLASH_FLAG_WRPRTERR);//清除標志位
FLASH_ErasePage(0x8002000);//擦除的地址空間，一定要先擦除
while(count<2)
{
//flash為一個字節(jié)存儲，16位數(shù)據(jù)必須地址加2
FLASH_ProgramHalfWord((0x8002000+count*2),data[count]);
count++;
}
FLASH_Lock();//關(guān)閉寫保護
count=0;
printf("rnTheFiveDataIs:rn");
while(count<2)
{
printf("r%dr",*(u8*)(0x8002000+count*2));//讀取方法
count++;
}
}
這個代碼用來測是沒有任何問題的，然后下面轉(zhuǎn)載的是對flash讀寫的具體分析，本人覺得分析的很好，所以就直接拿來用了，謝謝！
1．解除Flash鎖
復(fù)位后，閃存編程/擦除控制器（FPEC）模塊是被保護的，不能寫入 FLASH_CR 寄存器；通過寫入特定的序列到FLASH_KEYR寄存器可以打開FPEC模塊，這個特定的序列是在 FLASH_KEYR 寄存器寫入兩個鍵值(KEY1和KEY2)；錯誤的操作序列都會在下次復(fù)位前鎖死FPEC模塊和FLASH_CR寄存器。
其中KEY1為0x45670123，KEY2為0xCDEF89AB，編程如下：
FLASH->KEYR = FLASH_KEY1;
FLASH->KEYR = FLASH_KEY2;
2．頁擦除
在FLASH操作中，最小擦除單位為一頁，不能一個字節(jié)一個字節(jié)的擦除，其實所謂的擦除就是將指定的位置填寫成0XFF，下面是頁擦除的過程：
-檢查FLASH_SR寄存器的BSY位，以確認沒有其他正在進行的閃存操作；
-用FLASH_AR寄存器選擇要擦除的頁；
-設(shè)置FLASH_CR寄存器的PER位為1；
-設(shè)置FLASH_CR寄存器的STRT位為1；
-等待BSY位變?yōu)?；
-讀出被擦除的頁并做驗證。
編程如下：
//等待前次操作完畢(檢查FLASH_SR寄存器的BSY位)
status = FLASH_WaitForLastOperation(EraseTimeout);
if(status == FLASH_COMPLETE)//如果FLASH處于可以操作狀態(tài)，開始進行頁擦除操作
{
FLASH->CR|= CR_PER_Set; //設(shè)置FLASH_CR寄存器的PER位為1
FLASH->AR = Page_Address; //用FLASH_AR寄存器選擇要擦除的頁
FLASH->CR|= CR_STRT_Set; //設(shè)置FLASH_CR寄存器的STRT位為1
//等待擦除操作完畢(等待BSY位變?yōu)?)
status = FLASH_WaitForLastOperation(EraseTimeout);
if(status != FLASH_BUSY)//如果SR的BSY為0
{
//如果擦除操作完成，禁止CR的PER位
FLASH->CR &= CR_PER_Reset;
}
}
3. 全部擦除
全部擦除就是將全部FLASH都填寫成0xFF，其過程如下：
-檢查FLASH_SR寄存器的BSY位，以確認沒有其他正在進行的閃存操作；
-設(shè)置FLASH_CR寄存器的MER位為1；
-設(shè)置FLASH_CR寄存器的STRT位為1；
-等待BSY位變?yōu)?；
-讀出所有頁并做驗證。
編程如下：
//等待前次操作完畢(檢查FLASH_SR寄存器的BSY位)
status = FLASH_WaitForLastOperation(EraseTimeout);
if(status == FLASH_COMPLETE)//如果FLASH出于可以操作狀態(tài)，開始進行全部頁擦除操作
{
FLASH->CR |= CR_MER_Set;//設(shè)置FLASH_CR寄存器的MER位為1
FLASH->CR |= CR_STRT_Set;//設(shè)置FLASH_CR寄存器的STRT位為1
//等待全部頁擦除操作完畢(等待BSY位變?yōu)?)
status = FLASH_WaitForLastOperation(EraseTimeout);
if(status != FLASH_BUSY)//如果SR的BSY為0
{
//如果擦除操作完成，禁止CR的PER位
FLASH->CR &= CR_MER_Reset;
}
}
4. 編程
編程就是將數(shù)據(jù)寫入指定的FLASH地址，STM32的FLASH每次編程都是16位（在32位系統(tǒng)中，我們叫做半字），過程如下：
-檢查FLASH_SR寄存器的BSY位，以確認沒有其他正在進行的編程操作；
-設(shè)置FLASH_CR寄存器的PG位為1；
-寫入要編程的半字到指定的地址；
-等待BSY位變?yōu)?；
-讀出寫入的地址并驗證數(shù)據(jù)。
編程如下：
//檢查參數(shù)是否正確
assert_param(IS_FLASH_ADDRESS(Address));
//等待前次操作完畢(檢查FLASH_SR寄存器的BSY位)
status = FLASH_WaitForLastOperation(ProgramTimeout);
if(status == FLASH_COMPLETE)//如果FLASH處于可以操作狀態(tài)，開始進行編程操作
{
FLASH->CR |= CR_PG_Set;//設(shè)置FLASH_CR寄存器的PG位為1
*(vu16*)Address = Data;//寫入要編程的半字到指定的地址
//等待半字編程操作完畢(等待BSY位變?yōu)?)
status = FLASH_WaitForLastOperation(ProgramTimeout);
if(status != FLASH_BUSY)
{
//如果半字編程完畢，禁止PG位
FLASH->CR &= CR_PG_Reset;
}
}
6. 選擇字節(jié)編程
選擇字節(jié)的編程就是向上面講到的選擇字節(jié)里面寫入指定的數(shù)據(jù)，其過程如下：
-檢查FLASH_SR寄存器的BSY位，以確認沒有其他正在進行的編程操作；
-解除FLASH_CR寄存器的OPTWRE位；
-設(shè)置FLASH_CR寄存器的OPTPG位為1；
-寫入要編程的半字到指定的地址；
-等待BSY位變?yōu)?；
-讀出寫入的地址并驗證數(shù)據(jù)。
編程過程如下：
//等待前次操作完畢(檢查FLASH_SR寄存器的BSY位)
status = FLASH_WaitForLastOperation(ProgramTimeout);
if(status == FLASH_COMPLETE)//如果FLASH處于可以操作狀態(tài)，開始進行編程操作
{
//解鎖 CR寄存器中的OPTWRE位
FLASH->OPTKEYR = FLASH_KEY1;
FLASH->OPTKEYR = FLASH_KEY2;
FLASH->CR |= CR_OPTPG_Set;//設(shè)置FLASH_CR寄存器的OPTPG位為1
*(vu16*)Address = Data;//寫入要編程的半字到指定的地址
//等待半字編程操作完畢(等待BSY位變?yōu)?)
status = FLASH_WaitForLastOperation(ProgramTimeout);
if(status != FLASH_BUSY)
{
//如果半字編程完畢，禁止OPTPG位
FLASH->CR &= CR_OPTPG_Reset;
}
}
7．STM32的代碼保護
通 過選擇字節(jié)的設(shè)置，可以實現(xiàn)代碼的讀保護和寫保護，在上面6中講到的，RDP和WRP分別是讀保護和寫保護，將RDP設(shè)置指定的數(shù)值，可以實現(xiàn)代碼的讀保 護，也就是不允許任何設(shè)備讀取FLASH里面的應(yīng)用代碼，將WRP里設(shè)置指定的數(shù)值，可以實現(xiàn)代碼的寫保護，不允許任何設(shè)備改寫FLASH里面的應(yīng)用代 碼。其中設(shè)置讀保護的代碼如下：
//等待前次操作完畢(檢查FLASH_SR寄存器的BSY位)
status = FLASH_WaitForLastOperation(EraseTimeout);
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