在高驅(qū)動(dòng)電流下GaN的效率降低了，關(guān)于這個(gè)下降起源的爭(zhēng)論一直在持續(xù)著，光電流測(cè)量為它帶來(lái)轉(zhuǎn)機(jī)。

據(jù)估計(jì)，由InGaN量子阱諧振光激勵(lì)生成的載流子限制了LED,使它不具備這個(gè)特定的層結(jié)構(gòu)。但來(lái)自RPI的FredSchubert及合作伙伴展示了這些受光激發(fā)的載流子能從阱中泄露出去，即便是當(dāng)這些結(jié)構(gòu)長(zhǎng)得不偏不倚的。

這個(gè)發(fā)現(xiàn)為L(zhǎng)ED下降的早期性實(shí)驗(yàn)研究投下了陰影。Schubert小組之前宣布電子泄露是下降的原因，他們猜想，在一個(gè)InGaN/GaN異質(zhì)結(jié)構(gòu)中，它所含InGaN層的諧振光激勵(lì)不能導(dǎo)致載流子逃逸，就如實(shí)驗(yàn)說(shuō)明的。PhilipsLumi作相同的猜想，他們宣稱(chēng)光學(xué)實(shí)驗(yàn)揭示了俄歇式復(fù)合導(dǎo)致了下降問(wèn)題。

RPI現(xiàn)在的觀點(diǎn)是，他們的實(shí)驗(yàn)無(wú)法決定到底哪個(gè)才是下降的原因，俄歇復(fù)合還是載荷逃逸?

這個(gè)光電流實(shí)驗(yàn)用到的是一個(gè)300×300μm器件，器件內(nèi)含一個(gè)常規(guī)的InGaN/GaN多量子阱以及一個(gè)電子阻擋層。當(dāng)使用405nm的光源泵浦時(shí)，這些406nmLED可在全偏條件下產(chǎn)生明顯的光電流，在激發(fā)功率是1mW時(shí)，零偏壓器件的光電流超過(guò)15μA.

一些LED團(tuán)體的研究人員認(rèn)為，不同的樣品才是導(dǎo)致不同下降起源的根本原因;為了解決這個(gè)問(wèn)題，RPI開(kāi)始調(diào)查這些來(lái)自其他制造商的樣品，F(xiàn)red的兒子Martin Schubert表示，“我們測(cè)量所有樣品在諧振激勵(lì)下的載流子逃逸”.

現(xiàn)在這個(gè)小組打算重溫早期的工作，包括外量子效率和光致光效率之間的對(duì)比。MartinSchubert解釋道，“我們也將期待其他的實(shí)驗(yàn)，更進(jìn)一步研究偏壓條件下LED在干些什么”.

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