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[導(dǎo)讀]  一、LTPS 簡介低溫多晶硅(Low Temperature Poly-silicon;LTPS,以下以LTPS 代稱)是平板顯示器領(lǐng)域中的又一新技術(shù)。繼非晶硅(Amorphous-Silicon,以下以a-Si 代稱)之后的下一代技術(shù)。Polysilicon (多晶硅) 是

  一、LTPS 簡介

低溫多晶硅(Low Temperature Poly-silicon;LTPS,以下以LTPS 代稱)是平板顯示器領(lǐng)域中的又一新技術(shù)。繼非晶硅(Amorphous-Silicon,以下以a-Si 代稱)之后的下一代技術(shù)。

Polysilicon (多晶硅) 是一種約為0.1 至數(shù)個um 大小、以硅為基底的材料,由許多硅粒子組合而成。在半導(dǎo)體制造產(chǎn)業(yè)中,多晶硅通常經(jīng)由LPCVD(Low Pressure Chemical Vapor Deposition) 處理后, 再以高于900C 的退火程序, 此方法即為SPC (Solid Phase Crystallization) 。然而此種方法卻不適合用于平面顯示器制造產(chǎn)業(yè),因為玻璃的最高承受溫度只有650℃。因此,LTPS 技術(shù)即是特別應(yīng)用在平面顯示器的制造上。

傳統(tǒng)的非晶硅材料(a-Si)的電子遷移率只有0.5 cm2/V.S,而低溫多晶硅材料(LTPS)的電子遷移率可達50~200 cm2/V.S,因此與傳統(tǒng)的非晶硅薄膜電晶體液晶顯示器(a-Si TFT-LCD)相比,低溫多晶硅TFT-LCD具有更高解析度、反應(yīng)速度快、亮度高(開口率apertureratio高)等優(yōu)點,同時可以將周邊驅(qū)動電路同時制作在玻璃基板上,達到在玻璃上集成系統(tǒng)(SOG)的目標(biāo),所以能夠節(jié)省空間和成本此外,LTPS技術(shù)又是發(fā)展主動式有機電致發(fā)光(AM-OLED)的技術(shù)平臺,因此LTPS技術(shù)的發(fā)展受到了廣泛的重視。

二、非晶硅(a-Si)與低溫多晶硅(LTPS)的區(qū)別

一般情況下低溫多晶硅的制程溫度應(yīng)低于攝氏 600℃,尤其對LTPS區(qū)別于a-Si制造的制造程序“激光退火”(laser anneal)要求更是如此。與a-Si相比,LTPS的電子移動速度要比a-Si快100 倍,這個特點可以解釋兩個問題:首先,每個LTPS PANEL 都比a-Si PANEL反應(yīng)速度快;其次,LTPS PANEL 外觀尺寸都比a-Si PANEL小。下面是LTPS與a-Si 相比所持有的顯著優(yōu)點:

1、把驅(qū)動IC的外圍電路集成到面板基板上的可行性更強;

2、反應(yīng)速度更快,外觀尺寸更小,聯(lián)結(jié)和組件更少;

3、面板系統(tǒng)設(shè)計更簡單;

4、面板的穩(wěn)定性更強;

5、解析度更高,

激光退火:

p-Si 與 a-Si的顯著區(qū)別是LTPS TFT在制造過程中應(yīng)用了激光照射。LTPS制造過程中在a-Si層上進行了激光照射以使a-Si結(jié)晶。由于封裝過程中要在基板上完成多晶硅的轉(zhuǎn)化,LTPS必須利用激光的能量把非結(jié)晶硅轉(zhuǎn)化成多晶硅,這個過程叫做激光照射。

電子移動性:

a-Si TFT的電子移動速率低于1cm2/V.SS,同時驅(qū)動IC需要較高的運算速率來驅(qū)動電路。這就是為什么a-Si TFT不易將驅(qū)動IC集成到基板上。相比之下,p-Si電子的移動速率可以達到100 cm2/V.S,同時也更容易將驅(qū)動IC集成到基板上。結(jié)果是,首先由于將驅(qū)動IC、PCB和聯(lián)結(jié)器集成到基板上而降低了生產(chǎn)成本,其次使產(chǎn)品重量更輕、厚度更薄。

解析度:

由于p-Si TFT 比傳統(tǒng)的a-Si小,所以解析度可以更高。

p-Si TFT的驅(qū)動IC合成在玻璃基板上有兩點好處:首先,與玻璃基板相連接的連接器數(shù)量減少,模塊的制造成本降低;其次,模塊的穩(wěn)定性將得以戲劇性的升高。

  三、LTPS薄膜制備方法

1、Metal Induced Crystallization (MIC):屬于SPC方法之一。然相較于傳統(tǒng)的SPC,此方法能在較低溫下(約500~600℃)制造出多晶硅。這是因為薄層金屬在結(jié)晶形成前即先被包覆,而金屬成分即扮演了降低結(jié)晶化的活性功能。

2、Cat-CVD: 一種無須經(jīng)由蒸汽萃取、而可直接沉積多晶薄膜(poly-film)的方法。沉積溫度可低于300℃。成長機制包含SiH4-H2混合體的catalytic cracking reaction。

3、Laser anneal: 此為目前最廣為運用的方法。Excimer激光為主要動力,用于加熱及融化a-Si,含有低量氫成分然后再結(jié)晶為poly-film。

低溫多晶硅技術(shù)LTPS(Low Temperature Poly-silicon)最初是日本北美的技術(shù)企業(yè)為了降低Note-PC顯示屏的能耗,令Note-PC顯得更薄更輕而研發(fā)的技術(shù),大約在九十年代中期這項技術(shù)開始走向試用階段。由LTPS衍生的新一代有機發(fā)光液晶面板OLED也于1998年正式走上實用階段,它的最大優(yōu)勢在于超薄、重量輕、低耗電,同時其自身發(fā)光的特點,因而可以提供更艷麗的色彩和更清晰的影像,而更為重要的是:生產(chǎn)成本只有普通液晶面板的1/3。

目前LTPS-OLED面板并沒有獲得大多數(shù)上有液晶面板企業(yè)的支持,除了技術(shù)上的專利問題,原有的大規(guī)模液晶廠投資也不大可能放棄,這些面板企業(yè)通過研究更大型基板生產(chǎn)線,強化生產(chǎn)效益來與LTPS競爭。所以市場上大多數(shù)的液晶顯示器還是采用傳統(tǒng)的液晶,即主流非晶矽(Amorphous-Silicon,a-Si),傳統(tǒng)液晶(a-Si)技術(shù)經(jīng)過10多年的發(fā)展已經(jīng)非常成熟,業(yè)界無論在量產(chǎn)技術(shù)和面板設(shè)計技術(shù)的掌握度上都具有相當(dāng)經(jīng)驗,短時間內(nèi)LTPS技術(shù)仍無法達到。因此盡管理論上LTPS-OLED面板的制造成本低得多,但是目前它的價格依舊沒有優(yōu)勢。

但是作為最初研發(fā)的初衷,低溫多晶矽(LTPS)的薄膜電晶體可在玻璃基板上嵌入驅(qū)動元件,大幅減少并保留驅(qū)動IC的空間,因而可以使薄膜電晶體的尺寸更小,并同時增加顯示器的亮度并減少功率消耗,從而大大提升液晶性能及可靠度,也使面板的制造成本降低,具有更高的解析度:LTPS所提供的TFT主動矩陣驅(qū)動以及驅(qū)動電路和TFT可同時整合制造,可在保持輕薄化優(yōu)勢情形下,解決解析度不足的問題(因為電子在多晶矽的傳輸速度較快品質(zhì)也較優(yōu)良),可以使2.5寸的面板具備200ppi的高解析度。[!--empirenews.page--]

提高壽命和降低能耗:作為研發(fā)LTPS技術(shù)一項重要指標(biāo),降低液晶溫度對于液晶來說意味著很多事情,穩(wěn)定性和壽命都獲得了提升,目前為止這還是只是一個技術(shù)上定性的結(jié)論,相信大家也很容易理解,相對較低的溫度下顯示器的工作壽命將延長;早期的Note-PC對能耗的要求非??粗?,也是研發(fā)LTPS的理由之一,再降低工作溫度的同時,LTPS面板的能耗也大幅減小,當(dāng)然,液晶顯示器的能耗本來就很小,這一點對于Note-PC的意義要超過PC monitor。

縮小尺寸:盡管平面顯示器對于尺寸的要求并不高,但是對于更輕更薄液晶顯示器的追求卻一直是一個熱點,由于低溫多晶矽(LTPS)的薄膜電晶體可以直接在玻璃基板上嵌入驅(qū)動元件,所以LTPS液晶顯示器的外殼幾乎可以只保留液晶面板本身的厚度,而不需預(yù)留驅(qū)動IC的空間,最大限度的降低厚度。

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