量子通信中有三項核心技術，分別是單光子源技術、量子編碼和傳輸技術、單光子檢測技術。大量研究已經證明，使用單光子源的量子通信是絕對安全的，并且具有很高的效率。由此可見，理想的單光子源是量子通信的基礎，其特性的研究具有很高的價值。

基于安全性方面考慮，為了保證在通信過程中不會被光子數分束攻擊，理想的單光子源應該嚴格滿足每個脈沖中僅含有一個光子。然而，現(xiàn)階段大多數實驗所用的光源都是經過強烈弱光脈沖衰減得到，其光子數服從泊松分布。這種光源嚴格意義上講是無法實現(xiàn)單光子脈沖的，實際做法是盡量降低每個脈沖里含有兩個以上光子的幾率，降低到不會對安全性產生影響。通信系統(tǒng)中是存在損耗的，即使脈沖中含有兩個以上的光子也很少帶來安全隱患，此外由于脈沖大多是不含光子的空脈沖，因此嚴重降低了密鑰分配系統(tǒng)的傳輸效率，同時也增加了系統(tǒng)的誤碼率。所以高性能單光子源的研究已經成為影響量子通信發(fā)展的重要課題之一。

量子點單光子源：使用量子點可以穩(wěn)定地發(fā)出單個光子流，每個光子可由光譜過濾器分離出來。與其他單光子源相比，量子點單光子源具有較高的振子強度，較窄的譜線寬度，且不會發(fā)生光退色。目前的半導體基本上可以覆蓋從可見光到紅外波段。

量子點單光子源的研究一直很活躍。2001年斯坦福大學的科研人員在GaAs襯底上制造出一層發(fā)光波長為877nm的InGaAs量子點，通過激光器發(fā)射把激光發(fā)射到量子點的臺面上。結果表明，在激光脈沖的作用下產生的激子進入一個量子點后，量子點吸收一個光子后再吸收第二個光子的可能性大大降低，這使產生反聚束光子流成為可能。Toshiba-Cambridge大學的歐洲聯(lián)合研究小組在2002年采用量子點結構的LED實現(xiàn)了電注入單光子發(fā)射。2005年他們成功利用量子點制造出波長在1.3μm通信波段的單光子光源。2007年，我國中科院半導體研究所超晶格國家重點實驗室相關研究人員成功實現(xiàn)了量子點的單光子發(fā)射:8K溫度下脈沖激光激發(fā)InAs單量子點，可以觀測到932nm的單光子發(fā)射，發(fā)射速率大于10kHz。但是，這一領域仍然有很多難題需要解決，比如尺寸、形狀的均一性控制，光譜的單色控制，以及對低溫的要求等。

納米天線單光子源：基于SPP共振效應的納米天線結構可以有效收集光能量，并將其限制在亞波長尺度，其巨大的局域場增強效應為納米光子學提供了廣闊的應用前景。

目前，每個脈沖產生一個光子的器件已經研制成功，問題是怎樣將產生的光子沿某一特定的方向高效率地發(fā)射出去。光子晶體、介質球、光學微腔結構、金屬表面等都可以改變光場方向，而共振光學天線對光場的改變更為局限化。它可以將入射光場有效限制在亞波長區(qū)域，也可使納米尺度的小顆粒輻射強度顯著增強，同時改變輻射方向。實驗證明，天線的等離子模式調到附近分子電子躍遷的頻率附近時會產生共振，發(fā)光分子與天線產生足夠強的耦合，這樣就可以控制發(fā)光方向。Van Hulst小組將長為80nm的鋁制單耦天線接近一個熒光分子，通過改變天線與光的耦合方式，分子發(fā)出的光可以被調整90°。R.Esteban小組于2009年介紹了一種金屬等離子電線產生單光子激發(fā)的方案，該方案是在等離子腔中利用金屬光學共振原理和避雷針尖端放電理論提出的，并且給出了數值模擬結果。隨著表面等離子體的發(fā)展，納米天線單光子源一定會從理論走向應用。