一、RC電路充、放電過程仿真及時間常數(shù)的測定

1、按圖5-1給定參數(shù)繪制仿真電路圖，并用信號發(fā)生器輸出方波（幅值Amplitude=2V、偏移Offset=2V、頻率Frequency=1KHz、占空比Duty Cycle=50%）作為激勵電壓。調(diào)整信號發(fā)生器和示波器，使之處于工作狀態(tài)。在示波器上讀出的時間常數(shù)τ值。

圖5-1  R=10KΩ、C=3300pF時的仿真波形

2、改變R、C的參數(shù)，使R=10KΩ、C=0.01μF，如圖5-2所示。

圖5-2  R=10KΩ、C=0.01μF時的仿真波形

3、使用參數(shù)掃描分析（Parameter Sweep Analysis）同時觀察上述兩種情況

按圖5-3在【Simulate】仿真菜單中的選擇分析方法（Analysis），單擊參數(shù)掃描分析項（Parameter Sweep...），打開如圖5-4的對話框，在各選項中進行設(shè)置后，按仿真按鈕，出現(xiàn)圖5-5所示的結(jié)果。

圖5-3  仿真菜單

圖5-4  參數(shù)掃描分析對話框

圖5-5  RC電路充、放電過程的仿真

二、積分電路的仿真

按圖5-6繪制仿真電路圖，設(shè)定參數(shù)，激勵信號為方波（Amplitude=2V、Offset=2V、Frequency=1KHz、Duty Cycle=50%），用示波器觀察電容電壓 波形變化的情況。繼續(xù)增大R或C值，或減小信號發(fā)生器的頻率，定性地觀察對響應(yīng) 的影響。

圖5-6  積分電路的仿真

三、微分電路的仿真

　　按圖5-7繪制仿真電路圖，設(shè)定合適的參數(shù)進行仿真，激勵信號為方波　?。?/span>Amplitude=2V、Offset=2V、Frequency=1KHz、Duty Cycle=50%），用示波器觀察電阻電壓 波形變化的情況。繼續(xù)減小R或C值，定性地觀察對響應(yīng) 的影響。

圖5-7  微分電路的仿真

四、耦合電路的仿真

　　按圖5-8繪制仿真電路圖，設(shè)定合適的參數(shù)并進行仿真，激勵信號為方波（Amplitude=2V、Offset=2V、Frequency=1KHz、Duty Cycle=50%），用示波器觀察電阻電壓 波形變化的情況。繼續(xù)增大R或C值，定性地觀察對響應(yīng) 的影響。

圖5-8  耦合電路的仿真