繼2017年完成大范圍技術驗證以及在產品形態(tài)上實現(xiàn)從大型驗證終端向小型預商用終端的突破后，5G終端在2018年進入了部分無線接入型終端實現(xiàn)小規(guī)模商用與驗證型手機研發(fā)成功的新階段，5G第一階段標準化完成、多個廠商終端芯片平臺發(fā)布及首批5G網絡商用計劃發(fā)布等成為5G終端發(fā)展的主要驅動力。

主要廠商均已發(fā)布5G芯片及終端計劃

隨著今年6月3GPP批準5G SA（獨立組網）功能凍結，加上2017年12月完成的NSA（非獨立組網）標準，5G完成了第一階段全功能標準化（R15）工作，這有助于加速包括終端在內的5G產業(yè)鏈發(fā)展，并為5G真正商用沖刺做準備。

目前，主要的4G終端芯片平臺廠商都已發(fā)布5G產品和后續(xù)演進規(guī)劃，其中高通率先于2017年10月發(fā)布可支持5G NSA標準的手機商用芯片X50，X50可同時支持Sub-6GHz（600-6000MHz）和毫米波（26GHz以上）頻段，隨后華為海思發(fā)布Balong5000，MTK發(fā)布Helio M70，Intel發(fā)布XMM8060，三星發(fā)布Exynos Modem 5100，展訊發(fā)布Roc。展望2019年5G產品也將成為這些廠商的研發(fā)重點。目前，部分廠商產品已支持某些應用場景下的小規(guī)模5G終端商用，今年10月AT&T就展示了全球首款可商用的5G終端Netgear Nighthawk移動熱點，支持5G NSA標準和28GHz毫米波頻段，并計劃今年底前在美國12個城市投入5G網絡商用。

國外部分運營商公布了2019-2020年首批5G網絡商用計劃，其中日本和韓國主要基于NSA標準，推出毫米波頻段的寬帶無線接入業(yè)務以及支持3.5GHz頻段為主的手機業(yè)務，美國則以支持毫米波頻段的寬帶無線接入業(yè)務為主，其中AT&T的5G業(yè)務基于NSA標準，Verizon的則基于SA標準，T-Mobile的5G計劃雖然比競爭對手稍晚，但會一開始就開通基于SA標準和2.6GHz頻段的手機業(yè)務。

射頻、功耗等仍是挑戰(zhàn)

本部分將探討現(xiàn)階段影響5G終端發(fā)展的若干關鍵問題，并對其未來的發(fā)展作出一定展望?？梢哉f，在目前5G尚未啟動規(guī)模商用的情況下，影響5G終端發(fā)展的主要是技術研發(fā)挑戰(zhàn)，包括射頻前端復雜、終端功耗大等。

射頻前端研發(fā)挑戰(zhàn)

5G將有更多的頻段資源被投入使用，這增加了射頻前端的芯片需求，同時Massive MIMO（多進多出）、波束成形、CA（載波聚合）、毫米波等關鍵技術，也會對射頻前端部分的元器件性能、布局設計以及成本提出新的、更高的要求。

目前已規(guī)劃出的5G頻段主要在2.6GHz以上，相對主要在2.6GHz頻道以下的2G/3G/4G頻率更高、衰減更多，需增大射頻套件的輸出功率以支持更好的空間覆蓋，這會對射頻廠商的設計與射頻器件性能提出更高要求。

5G頻段增多使射頻前端需搭配更多射頻器件，例如一部支持3.5GHz和4.9GHz兩個頻段的5G多模智能機，其射頻功放的通路個數(shù)至少從現(xiàn)在的3路增加至5路，如果未來需進一步支持毫米波，還要增加到6路或以上，在移動終端越來越輕薄的趨勢下，這會對射頻前端的尺寸提出非常高的要求。另外，如果采用MIMO技術實現(xiàn)更高速率的信號傳輸，射頻前端還需要倍數(shù)級的器件進行支持。

由于兼容2G/3G/4G將是5G終端長期的重要發(fā)展需求，多模多頻段將使5G終端（尤其手機）內部的電磁環(huán)境更為復雜，包括移動通信頻段和WLAN及GPS的共存干擾、手機其他功能模塊如攝像頭工作時對接收頻段的干擾等，對射頻前端的設計都將是不可忽視的挑戰(zhàn)。

此外，增加射頻通路個數(shù)需要單獨的硬件進行支持，同時5G要求單載波的帶寬達到100MHz以上，較4G的20MHz提升了5倍，這對濾波器、數(shù)模轉換器件提了更高的性能要求，這些都將加大成本壓力。

終端芯片功耗挑戰(zhàn)

除多天線發(fā)射和高發(fā)射功率帶來的功耗增加外，5G上下行的速率大幅提升會使基帶芯片功耗明顯增加。另外，由于5G商用初期的網絡覆蓋不足，以及有待持續(xù)優(yōu)化的發(fā)展階段不可逾越，在5G網絡信號不佳的情況下，終端（尤其移動終端）容易出現(xiàn)不停地自動搜索優(yōu)質網絡信號，高頻率的斷網和聯(lián)網會增加終端芯片的運行負荷和功耗。以上這些都將明顯影響到電池容量有限的5G移動終端的待機和續(xù)航能力。

其它終端技術挑戰(zhàn)

除了射頻前端設計與終端芯片功耗外，5G終端研發(fā)還面臨著來自其它終端技術的挑戰(zhàn)。

首先是5G終端上多協(xié)議共存增加了研發(fā)難度：NSA與SA兩種5G標準協(xié)議共存的問題，雖然5G終端發(fā)展成熟后主流產品普遍將同時支持NSA跟SA，但在5G發(fā)展初期，出于降低研發(fā)難度并加快產品上市進度的考慮，僅支持NSA或SA需廠商根據自身研發(fā)實力、市場需求等作出選擇；多模問題，對于非純5G運營商，5G移動終端需同時支持2G/3G/4G多模，以在5G網絡覆蓋完善前提升移動業(yè)務的無縫覆蓋體驗；雙卡問題，在中國、印度等市場，雙卡手機已成為市場主流，5G手機研發(fā)也需考慮雙卡互操作問題。

其次，移動邊緣計算有望成為5G可帶給消費者更好體驗的新應用，但網絡邊緣體驗提升需5G終端深度參與，這對5G終端研發(fā)提出了新的研發(fā)要求。而SUL（5G的補充上行鏈路技術）和CA是提升5G網絡體驗的重要技術手段，但其價值實現(xiàn)需要終端研發(fā)支持并充分優(yōu)化。

預計不會出現(xiàn)瓶頸效應

雖然現(xiàn)階段5G終端研發(fā)仍面臨著射頻前端復雜、終端芯片功耗大等挑戰(zhàn)，但綜合5G商用推進及終端產業(yè)鏈發(fā)展等，可預判5G終端非但不會產生瓶頸效應，而且可較好支持5G商用，其中CPE等5G固定終端有望在2019年底前初步成熟，而支持NSA標準和Sub-6Ghz的5G手機和便攜型終端將在2020年下半年后開始逐漸進入主流消費者市場。

與4G發(fā)展初期高通在終端芯片平臺領域領先優(yōu)勢較大不同，5G終端芯片平臺領域有望從一開始就進入多家廠商激烈競爭的格局。在4G發(fā)展初期，高通在終端芯片平臺處于壟斷地位，市場份額較小的廠商GCT和Marvell等后來都相繼退出了市場，目前4G終端芯片平臺挑戰(zhàn)廠商MTK、海思等則比高通晚了1-2年才推出了自家產品。目前5G已進入正式商用前的準備沖刺階段，雖然高通仍在5G終端芯片平臺領域保持一定領先，但Intel、海思、MTK、三星等不僅都發(fā)布了可支持手機的5G終端芯片，而且與高通的差距已縮小到1年以內，市場的激烈競爭將成為避免終端環(huán)節(jié)產生瓶頸效應的最有效因素。

從5G終端類型的發(fā)展維度看，CPE等5G固定終端有望率先走向成熟，隨后是僅支持Sub 6GHz頻段和NSA標準的手機和便攜型終端，最后將是能同時支持NSA/SA標準以及毫米波頻段的手機和小型可穿戴終端發(fā)展成熟。

與3G和4G 發(fā)展初期相似，CPE等5G固定終端由于對終端體積和功耗要求較低，只要成本降到一定水平、產品運行穩(wěn)定即可規(guī)模上市。手機等移動終端由于容易受困于體積、重量尤其功耗，走向成熟的時間更長，目前基于10～16nm制造工藝、全部為獨立基帶芯片的第一代5G終端平臺的手機已經可支持實驗室環(huán)境下NSA標準的5G業(yè)務，但體積較大、功耗也較高，主要用于業(yè)務演示與研發(fā)實力展示，市場化商用的價值則比較有限。

預計2019年下半年，基于7-10nm制造工藝、以獨立基帶芯片為主的第二代5G終端平臺有望商用，這些產品需要跟4G?SoC手機芯片組合起來才能研發(fā)出5G多模手機，以滿足5G移動用戶漫游到2G/3G/4G網絡的需求，這些手機的功耗雖然可較第一代5G手機下降20%以上，但仍明顯高于同期的4G機型，需配置更大容量的電池（或者配置相同容量電池但影響待機和運行時間），在終端體積和重量上會略顯笨重，在市場上將以吸引先鋒性消費者為主。

2020年下半年，隨著5nm制造工藝規(guī)模投產，屆時以SoC多模芯片為主的第三代5G終端平臺有望商用，配合終端射頻前端持續(xù)優(yōu)化，預計屆時僅支持Sub 6GHz頻段的5G手機功耗可跟目前主流4G手機接近，5G手機由此逐漸進入主流消費者市場。未來，隨著毫米波技術發(fā)展、終端研發(fā)推進尤其射頻前端新技術設計投入應用，在2022年前后小型可穿戴5G終端以及支持毫米波頻段的5G手機有望走向成熟。