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[導讀]記者手上有一份一位美國公民來往我國的出入境證明細表。上面的內(nèi)容顯示,僅從2010年1月到今年2月,就先后5次入境,4次離境,而其中每次回美國的時間長則一個星期,短則只有3天,總計在中國工作的時間有280多天。這份

記者手上有一份一位美國公民來往我國的出入境證明細表。上面的內(nèi)容顯示,僅從2010年1月到今年2月,就先后5次入境,4次離境,而其中每次回美國的時間長則一個星期,短則只有3天,總計在中國工作的時間有280多天。

這份出入境證明明細表的主人,就是寧波比亞迪半導體有限公司聘請的海外工程師TAO HE(賀濤)。

雖然在寧波比亞迪公司工作的時間還不長,但賀濤對公司的貢獻卻不?。涸谒闹鞒窒?,公司在國內(nèi)率先完成了IGBT芯片關(guān)鍵工藝的開發(fā)工作,自主研發(fā)的IGBT芯片在深圳比亞迪汽車有限公司順利組裝成IGBT模塊,并成功開始電動汽車臺架測試,這標志著比亞迪終于打破了IGBT芯片技術(shù)長期為國外壟斷的堅冰,填補了國內(nèi)電動汽車用功率器件領(lǐng)域的一項空白。

引進海外工程師的背景:借用“外腦”在核心技術(shù)上求突破

從2009年開始,順應比亞迪集團垂直整合的發(fā)展思路,通過整合產(chǎn)業(yè)鏈、增強企業(yè)核心競爭力,實現(xiàn)電動汽車量產(chǎn)化、商業(yè)化的進程,寧波比亞迪承擔了其中的重要步驟“關(guān)鍵零部件的自主開發(fā)制造”。公司將研發(fā)重點轉(zhuǎn)向半導體功率器件,如絕緣柵雙極晶體管(IGBT)、快恢復二極管(FRD)、金屬氧化物半導體場效應管(MOSFET)等,尤其是電動汽車用功率器件的自主研發(fā)制造。

以IGBT為例,目前,IGBT已經(jīng)基本上取代了大功率晶體管,成為電力電子電路主要采用的功率器件,廣泛應用在電力電子、工業(yè)控制、消費電子、網(wǎng)絡(luò)通信、計算機、汽車電子等各個領(lǐng)域。而IGBT產(chǎn)品的研發(fā)和量產(chǎn),目前國內(nèi)尚處于起步階段,有著巨大的發(fā)展?jié)摿?。因此,寧波比亞迪公司希望借助海?strong>工程師突破發(fā)展瓶頸,加速企業(yè)成長。通過多方協(xié)調(diào)努力,2010年初,寧波比亞迪公司終于成功聘請到了美籍專家賀濤博士擔任FRD和MOSFET項目總監(jiān)。

這個“外腦”不簡單:突破芯片技術(shù)瓶頸,增強核心競爭力

1968年4月出生的賀濤,1995年5月在美國德州大學達拉斯分校獲得了碩士學位后,先后在諾基亞(美國)公司擔任系統(tǒng)集成經(jīng)理、項目研發(fā)經(jīng)理、高級項目經(jīng)理。

從去年1月開始擔任寧波比亞迪公司項目總監(jiān)后,賀濤憑借其在半導體器件領(lǐng)域扎實的專業(yè)背景,并結(jié)合其多年海外學習和工作積累的豐富經(jīng)驗,對產(chǎn)品研發(fā)、攻克技術(shù)難題方面提出了一系列創(chuàng)新思路,并在實際應用中產(chǎn)生了很好的效果,有效地提升了寧波比亞迪產(chǎn)品的技術(shù)水平和核心競爭力。

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