100 V和 200 V器件與SOD-128封裝占位兼容,引線寬度大于SlimSMA封裝器件。
汽車級(jí)產(chǎn)品提高精度,溫度系數(shù)低至 ± 5 ppm / K,公差僅為 ± 0.05 %
2 A和3 A器件反向電壓從45 V到200 V,正向壓降低至0.36 V
通用器件輸入電壓范圍寬達(dá)4.5V至60V,內(nèi)部補(bǔ)償功能減少外部元器件
這款通孔器件采用鐵粉磁芯技術(shù),直流電阻低,有助于減少功耗,提高效率
新型傳感器采用16位分辨率,提高靈敏度和線性度
器件采用PowerPAK? SO-8單體封裝,導(dǎo)通電阻降至2.35 mΩ,柵極電荷為55 nC,COSS為614 pF。
汽車級(jí)金屬化聚丙烯薄膜器件工作溫度高達(dá)+125 °C,適用于混合動(dòng)力和電動(dòng)汽車
小型器件紋波電流提高至5.05 A,85 °C條件下使用壽命達(dá)5,000小時(shí)
這款邊繞通孔器件采用鐵粉合金磁芯技術(shù)降低DCR,減少功耗提高效率
日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào):VSH)宣布,推出采用小型熱增強(qiáng)型PowerPAK? 1212-8SCD封裝新款共漏極雙N溝道60 V MOSFET---SiSF20DN。
器件占位面積10.89 mm2,RDS(ON)降至3.5 m?,F(xiàn)OM降至172 m?*nC,均為業(yè)內(nèi)最佳水平
產(chǎn)品為設(shè)計(jì)人員提供無線充電使用最廣范的線圈
器件在溫度85°C,相對(duì)濕度85%,額定電壓條件下經(jīng)過1000小時(shí)THB測試以確保在惡劣環(huán)境條件下具有極長使用壽命
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