?2020年2月3日，美國新澤西州普林斯頓---美商聯(lián)合碳化硅股份有限公司(UnitedSiC)宣布推出采用流行的扁平型DFN 8x8表面貼裝封裝、同時具有業(yè)界最低RDS(on)的SiC FET器件UF3SC065030D8和UF3SC065040D8，這些650V SiC FET能夠取代已有的標(biāo)準(zhǔn)硅器件，使工程師可以采用比分立設(shè)計方法具有更高效率和更高功率密度的解決方案來構(gòu)建開關(guān)電路。
2019年7月24日，美國新澤西州普林斯頓---新型功率半導(dǎo)體企業(yè)美商聯(lián)合碳化硅股份有限公司(UnitedSiC)宣布，在公司快速發(fā)展的650V SiC FET硬開關(guān)UF3C FAST產(chǎn)品系列中新增兩種TO220-3L封裝選項。
近年來，隨著各國開啟能源轉(zhuǎn)型，在汽車領(lǐng)域，由于電動汽車具有高效節(jié)能、零排放等優(yōu)點，已逐漸成為汽車行業(yè)的發(fā)展潮流，多國政府也出臺了相關(guān)產(chǎn)業(yè)政策和法規(guī)，支持電動汽車行業(yè)的發(fā)展。從目前的情況來看，中國、歐洲、美國的電動汽車行業(yè)發(fā)展走在世界前列，共計占據(jù)了全球電動汽車產(chǎn)量的97%。
人類世代的演變很慢，在現(xiàn)在人們的記憶中，有“嬰兒潮”一代，然后是X世代、千禧一代（Y世代）和Z世代，最后到現(xiàn)在又奇怪地稱為“A”世代。我覺得這是因為字母已經(jīng)被用光了。而在半導(dǎo)體領(lǐng)域，世代的發(fā)展較快，從2020年11月UnitedSiC推出750V SiC FET開始，UnitedSiC SiC FET現(xiàn)已發(fā)展到了第4代。
在最新的功率半導(dǎo)體技術(shù)中，開關(guān)速度是最顯眼的屬性，但是在實際電路中，高邊緣速率會造成獨有的問題。本博客將講解這個問題和簡單的解決方法。
7 款 D2PAK 表貼器件提供出色的靈活性
該在線電源設(shè)計工具的增強(qiáng)型功能使確定最優(yōu)SiC FET設(shè)計解決方案更加容易
2021年5月20日，美國新澤西州普林斯頓 --- 全球領(lǐng)先的碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體制造商美商聯(lián)合碳化硅股份有限公司(UnitedSiC)宣布繼續(xù)擴(kuò)展FET產(chǎn)品組合，并推出六款全新的650V和1200V產(chǎn)品。
易于使用的在線功率設(shè)計工具可以幫助工程師找出理想的SiC FET設(shè)計解決方案
業(yè)界首批750V器件為高增長電源應(yīng)用設(shè)定性能基準(zhǔn)
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