由于當(dāng)前半導(dǎo)體晶圓工廠不斷增加，對于半導(dǎo)體在光刻工藝中所需的薄膜材料需求增加，加上部分半導(dǎo)體廠商致力于開發(fā)更為先進的半導(dǎo)體材料進一步增加需求
眾所周知，芯片產(chǎn)業(yè)是一個天然的周期性行業(yè)。原因就在于市場供應(yīng)與市場需求，是存在時間上的錯位的。
12 月 10 日消息，半導(dǎo)體分析師 Dylan Patel 稱意法半導(dǎo)體未來將進軍 10nm 工藝，不過考慮到提到的晶圓廠直到 2026 年才能滿負(fù)荷生產(chǎn) 18nm 工藝，實現(xiàn) 10nm 工藝的具體時間可能較晚。
在信息化的時代，數(shù)據(jù)中心是像水廠、電廠一樣的重要基礎(chǔ)設(shè)施，是數(shù)字經(jīng)濟的動力引擎。而數(shù)據(jù)中心的發(fā)展帶動以服務(wù)器、存儲為代表的IT算力設(shè)備的快速增長。
激光芯片是光纖通訊、數(shù)據(jù)傳輸?shù)年P(guān)鍵部件。激光芯片在實際使用時，需要監(jiān)控輸出功率，以保證傳輸信號眼圖質(zhì)量。邊發(fā)射激光芯片是光纖通訊、數(shù)據(jù)傳輸?shù)年P(guān)鍵部件。
半導(dǎo)體器件是導(dǎo)電性介于良導(dǎo)電體與絕緣體之間，利用半導(dǎo)體材料特殊電特性來完成特定功能的電子器件，可用來產(chǎn)生、控制、接收、變換、放大信 號和進行能量轉(zhuǎn)換。
本周末，6nm工藝的手機CPU芯片正式發(fā)布，其中還有八核CPU架構(gòu)，支持5G高速連接，并且有著強勁的性能，采用1+3+4三叢集八個CPU核心，包括一個2.7GHz A76大核、三個2.3GHz A76大核、四個2.1GHz A55小核，3MB三級緩存。
12月19日消息，近日市場研究機構(gòu)Counterpoint Research公布了2023年三季度全球智能手機AP市場報告，從出貨量來看，聯(lián)發(fā)科仍位居第一，但市場份額降至了35%。排名第二的高通的市場份額則上升到了31%。
為了能夠最大限度地加快電池的化學(xué)反應(yīng)速度，縮短充電電池達到滿充狀態(tài)的時間，同時，保證電池正負(fù)極板的極化現(xiàn)象盡量地少或輕，提高電池使用效率。
5G微基站射頻芯片是應(yīng)用于5G微基站的射頻芯片，中國首個5G微基站射頻芯片YD9601由南京宇都通訊科技有限公司經(jīng)過自主研發(fā)流片成功 。中國首個5G微基站射頻芯片YD9601，2020年在南京宇都通訊科技有限公司經(jīng)過自主研發(fā)流片成功，正在進行封裝測試 。
晶體管泛指一切以半導(dǎo)體材料為基礎(chǔ)的單一元件，包括各種半導(dǎo)體材料制成的二極管、三極管、場效應(yīng)管、晶閘管等。晶體管具有檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號調(diào)制等多種功能，晶體管可用于各種各樣的數(shù)字和模擬功能。
“預(yù)計到2020年，國際上微電子技術(shù)水平將發(fā)展到14納米。我們應(yīng)該清醒地認(rèn)識到，核心技術(shù)是買不來的，必須靠我們自己，只是一代又一代的引進新的生產(chǎn)能力是趕不上世界先進水平的。
3D打印(3DP)即快速成型技術(shù)的一種，又稱增材制造 [1] ，它是一種以數(shù)字模型文件為基礎(chǔ)，運用粉末狀金屬或塑料等可粘合材料，通過逐層打印的方式來構(gòu)造物體的技術(shù)。
據(jù)報道，臺積電3nm代工價目前已經(jīng)突破2萬美元(約合人民幣14.3萬元)，下游成本大幅拉升。據(jù)悉，目前臺積電先進制程代工價一直上漲的原因之一是三星電子5/4nm及3nm制程良率較低，其中三星3nm制程自量產(chǎn)以來，良率不超過20%。
OLED(Organic Light-Emitting Diode)全稱為“有機發(fā)光二極管”，是一種電致發(fā)光器件。在顯示技術(shù)的演進歷程中，陸續(xù)出現(xiàn)過CRT、LCD、LED、OLED等,經(jīng)過多年的研究投入與不斷的技術(shù)突破,LCD憑借其高性價比成為20世紀(jì)最主流的顯示技。
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