PnP全稱Plug-and-Play，譯文為即插即用。PnP的作用是自動(dòng)配置低層計(jì)算機(jī)中的板卡和其他設(shè)備，然后告訴對(duì)應(yīng)設(shè)備都做了什么。PnP的任務(wù)是把物理設(shè)備和軟件設(shè)備驅(qū)動(dòng)程序相配合，并操作設(shè)備，在每個(gè)設(shè)備和它的驅(qū)動(dòng)程序之間建立通信信道。然后，PnP分配下列資源給設(shè)備和硬件：I/O地址、IRQ、DMA通道和內(nèi)存段。
1947年12月，貝爾實(shí)驗(yàn)室的約翰·巴丁、沃爾特·豪澤·布喇頓在威廉·肖克利的指導(dǎo)下共同發(fā)明了點(diǎn)接觸形式的雙極性晶體管。
雙極性晶體管(英語(yǔ)：bipolar transistor)，全稱雙極性結(jié)型晶體管(bipolar junction transistor, BJT)，俗稱三極管，是一種具有三個(gè)終端的電子器件，由三部分摻雜程度不同的半導(dǎo)體制成，晶體管中的電荷流動(dòng)主要是由于載流子在PN結(jié)處的擴(kuò)散作用和漂移運(yùn)動(dòng)。這種晶體管的工作，同時(shí)涉及電子和空穴兩種載流子的流動(dòng)，因此它被稱為雙極性的，所以也稱雙極性載流子晶體管。
每根相線(火線)與中性線(零線)間的電壓叫相電壓，其有效值用UA、UB、UC表示;相線間的電壓叫線電壓，其有效值用UAB、UBC、UCA表示。因?yàn)槿嘟涣麟娫吹娜齻€(gè)線圈產(chǎn)生的交流電壓相位相差120°，三個(gè)線圈作星形連接時(shí)，線電壓等于相電壓的根號(hào)3倍。我們通常講的電壓是220伏，380伏，就是三相四線制供電時(shí)的相電壓和線電壓。
三相電源是主板上的電源路數(shù)，也就是常常說(shuō)的幾相供電。3相供電是指電腦主板電源的相數(shù)。最多可以達(dá)到8相供電。
非線性電路是指含有非線性元件的電路。這里的非線性元件不包括獨(dú)立電源。非線性元器件在電工中得到廣泛應(yīng)用。非線性電路的研究和其他學(xué)科的非線性問(wèn)題的研究相互促進(jìn)。含有除獨(dú)立電源之外的非線性元件的電路。電工中常利用某些元器件的非線性。這里的非線性元件不包括獨(dú)立電源。
半導(dǎo)體芯片：在半導(dǎo)體片材上進(jìn)行浸蝕，布線，制成的能實(shí)現(xiàn)某種功能的半導(dǎo)體器件。不只是硅芯片，常見的還包括砷化鎵(砷化鎵有毒，所以一些劣質(zhì)電路板不要好奇分解它)，鍺等半導(dǎo)體材料。半導(dǎo)體也像汽車有潮流。二十世紀(jì)七十年代，因特爾等美國(guó)企業(yè)在動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存(D-RAM)市場(chǎng)占上風(fēng)。但由于大型計(jì)算機(jī)的出現(xiàn)，需要高性能D-RAM的二十世紀(jì)八十年代，日本企業(yè)名列前茅。
厚膜集成電路是指用絲網(wǎng)印刷和燒結(jié)等厚膜工藝在同一基片上制作無(wú)源網(wǎng)絡(luò)，并在其上組裝分立的半導(dǎo)體器件芯片或單片集成電路或微型元件，再外加封裝而成的混合集成電路。厚膜混合集成電路是一種微型電子功能部件。
微芯片是由杰克·基爾比(Jack Kilby)在1958年9月12日發(fā)明的，這個(gè)裝置揭開了人類二十世紀(jì)電子革命的序幕，同時(shí)宣告了數(shù)字時(shí)代的來(lái)臨。微芯片是采用微電子技術(shù)制成的集成電路芯片，它已發(fā)展到進(jìn)入千兆(芯片GSI)時(shí)代。
晶片是LED最主要的原物料之一，是LED的發(fā)光部件，LED最核心的部分，晶片的好壞將直接決定LED的性能。晶片是由是由Ⅲ和Ⅴ族復(fù)合半導(dǎo)體物質(zhì)構(gòu)成。在LED封裝時(shí)，晶片來(lái)料呈整齊排列在晶片膜上。
術(shù)語(yǔ)“核心”來(lái)自傳統(tǒng)的變壓器，其繞組環(huán)繞磁芯。 在核心存儲(chǔ)器中，導(dǎo)線通過(guò)任何給定的核心 - 它們是單圈設(shè)備。 用于存儲(chǔ)器核心的材料的性質(zhì)與用于電力變壓器的材料的性質(zhì)顯著不同。 用于核心存儲(chǔ)器的磁性材料需要高度的磁剩磁，保持高度磁化的能力和低矯頑力，從而需要更少的能量來(lái)改變磁化方向。 核心可以采用兩種狀態(tài)，編碼一位，當(dāng)“感應(yīng)線”“選擇”時(shí)可以讀取。 即使存儲(chǔ)器系統(tǒng)斷電(非易失性存儲(chǔ)器)，核心存儲(chǔ)器內(nèi)容也會(huì)保留。 但是，當(dāng)讀取內(nèi)核時(shí)，它會(huì)重置為“零”值。 然后，計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)器系統(tǒng)中的電路在立即重寫周期中恢復(fù)信息。
磁芯存儲(chǔ)器是隨機(jī)存取計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)器的主要形式，存在20年。這種存儲(chǔ)器通常被稱為核心存儲(chǔ)器，或者非正式地稱為核心存儲(chǔ)器。核心使用微小的磁環(huán)(環(huán))，核心通過(guò)線程來(lái)寫入和讀取信息。 每個(gè)核心代表一點(diǎn)信息。 磁芯可以以兩種不同的方式(順時(shí)針或逆時(shí)針)磁化，存儲(chǔ)在磁芯中的位為零或一，取決于磁芯的磁化方向。 布線被布置成允許單個(gè)芯被設(shè)置為1或0，并且通過(guò)向所選擇的導(dǎo)線發(fā)送適當(dāng)?shù)碾娏髅}沖來(lái)改變其磁化。 讀取內(nèi)核的過(guò)程會(huì)導(dǎo)致內(nèi)核重置為零，從而將其擦除。 這稱為破壞性讀數(shù)。 在不進(jìn)行讀寫操作時(shí)，即使關(guān)閉電源，內(nèi)核也會(huì)保持最后的值。 這使它們成為非易失性的。
發(fā)展歷史在1984年，東芝公司的發(fā)明人舛岡富士雄首先提出了快速閃存存儲(chǔ)器(此處簡(jiǎn)稱閃存)的概念。
“優(yōu)盤”是閃存走進(jìn)日常生活的最明顯寫照，其實(shí)早在U盤之前，閃存已經(jīng)出現(xiàn)在許多電子產(chǎn)品之中。傳統(tǒng)的存儲(chǔ)數(shù)據(jù)方式是采用RAM的易失存儲(chǔ)，電池沒(méi)電了數(shù)據(jù)就會(huì)丟失。采用閃存的產(chǎn)品，克服了這一毛病，使得數(shù)據(jù)存儲(chǔ)更為可靠。除了閃存盤，閃存還被應(yīng)用在計(jì)算機(jī)中的BIOS、PDA、數(shù)碼相機(jī)、錄音筆、手機(jī)、數(shù)字電視、游戲機(jī)等電子產(chǎn)品中。追溯到1998年，優(yōu)盤進(jìn)入市場(chǎng)。接口由USB1.0發(fā)展到2.0再到最新的USB3.0，速度逐漸提高。
快閃存儲(chǔ)器(英語(yǔ)：flash memory)，是一種電子式可清除程序化只讀存儲(chǔ)器的形式，允許在操作中被多次擦或?qū)懙拇鎯?chǔ)器。這種科技主要用于一般性數(shù)據(jù)存儲(chǔ)，以及在計(jì)算機(jī)與其他數(shù)字產(chǎn)品間交換傳輸數(shù)據(jù)，如儲(chǔ)存卡與U盤。閃存是一種特殊的、以宏塊抹寫的EPROM。早期的閃存進(jìn)行一次抹除，就會(huì)清除掉整顆芯片上的數(shù)據(jù)。
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