發(fā)展歷史在1984年，東芝公司的發(fā)明人舛岡富士雄首先提出了快速閃存存儲(chǔ)器(此處簡(jiǎn)稱閃存)的概念。與傳統(tǒng)電腦內(nèi)存不同，閃存的特點(diǎn)是非易失性(也就是所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)在主機(jī)掉電后不會(huì)丟失)，其記錄速度也非常快。Intel是世界上第一個(gè)生產(chǎn)閃存并將其投放市場(chǎng)的公司。1988年，公司推出了一款256K bit閃存芯片。它如同鞋盒一樣大小，并被內(nèi)嵌于一個(gè)錄音機(jī)里。後來(lái)，Intel發(fā)明的這類閃存被統(tǒng)稱為NOR閃存。它結(jié)合EPROM(可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器)和EEPROM(電可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器)兩項(xiàng)技術(shù)，并擁有一個(gè)SRAM接口。第二種閃存稱為NAND閃存。它由日立公司于1989年研制，并被認(rèn)為是NOR閃存的理想替代者。NAND閃存的寫周期比NOR閃存短90%，它的保存與刪除處理的速度也相對(duì)較快。NAND的存儲(chǔ)單元只有NOR的一半，在更小的存儲(chǔ)空間中NAND獲得了更好的性能。鑒于NAND出色的表現(xiàn)，它常常被應(yīng)用于諸如CompactFlash、SmartMedia、 SD、 MMC、 xD、 and PC cards、USB sticks等存儲(chǔ)卡上。

市場(chǎng)分析閃存市場(chǎng)仍屬于群雄爭(zhēng)霸的未成熟時(shí)期。三星、日立、Spansion和Intel是這個(gè)市場(chǎng)的四大生產(chǎn)商。由于戰(zhàn)略上的一些錯(cuò)誤，Intel在第一次讓出了它的榜首座椅，下落至三星、日立和Spansion之後。AMD閃存業(yè)務(wù)部門Spansion同時(shí)生產(chǎn)NAND和NOR閃存。它上半年的NOR閃存產(chǎn)量幾乎與Intel持平，成為NOR閃存的最大制造商。該公司在上半年贏利為13億美元，幾乎是它整個(gè)公司利潤(rùn)額(25億美元)的一半以上。總體而言，Intel和AMD在上半年成績(jī)喜人，但三星和日立卻遭受挫折。據(jù)市場(chǎng)調(diào)研公司iSuppli所做的估計(jì)，全球的閃存收益將達(dá)到166億美元，比2003年(116.4億美元)上漲46%。消息者對(duì)數(shù)碼相機(jī)、USB sticks和壓縮式MP3播放器內(nèi)存的需求將極大推動(dòng)閃存的銷售。據(jù)預(yù)測(cè)，2005年閃存的銷售額將達(dá)到175億美元。不過(guò)，iSuppli估計(jì)，2005年至2008年閃存的利潤(rùn)增漲將有所回落，最高將達(dá)224億美元。

替代品與許多壽命短小的信息技術(shù)相比，閃存以其16年的發(fā)展歷程，充分顯示了其“老前輩”的作風(fēng)。九十年代初，閃存才初入市場(chǎng);至2000年，利益額已突破十億美元。英飛凌科技閃存部門主任，彼得曾說(shuō)：“就閃存的生命周期而言，我們?nèi)蕴幱谝粋€(gè)上升的階段?！庇w凌相信，閃存的銷售仍具有上升空間，并在醞釀加入對(duì)該市場(chǎng)的投入。英飛凌宣布，其位于德累斯頓的200毫米DRAM工廠已經(jīng)開始生產(chǎn)512Mb NAND兼容閃存芯片。到2004年底，英飛凌公司計(jì)劃采用170納米制造工藝，每月制造超過(guò)10,000片晶圓。而2007年，該公司更希望在NAND市場(chǎng)成為前三甲。此外，Intel技術(shù)與制造集團(tuán)副總載Stefan Lai認(rèn)為，在2008年之前，閃存將不可替代。2006年，Intel將首先采用65納米技術(shù);到2008年，正在研發(fā)的新一代45納米技術(shù)將有望投放市場(chǎng)。Stefan Lai覺得，預(yù)測(cè)仍然比較淺顯，或許32納米、22納米技術(shù)完全有可能實(shí)現(xiàn)。但Stefan Lai也承認(rèn)，2008年至2010年，新的技術(shù)可能會(huì)取而代之。盡管對(duì)閃存替代品的討論越來(lái)越激勵(lì)，閃存仍然受到市場(chǎng)的重視。未來(lái)的替代品不僅必須是類似閃存一樣的非易失性存儲(chǔ)器，而且在速度和寫周期上略勝一籌。此外，生產(chǎn)成本也應(yīng)該相對(duì)低廉。由于制造技術(shù)還不成熟，新的替代品不會(huì)對(duì)閃存構(gòu)成絕對(duì)的威脅。

制造工藝可以影響晶體管的密度，也對(duì)一些操作的時(shí)間有影響。譬如前面提到的寫穩(wěn)定和讀穩(wěn)定時(shí)間，它們?cè)谖覀兊挠?jì)算當(dāng)中占去了時(shí)間的重要部分，尤其是寫入時(shí)。如果能夠降低這些時(shí)間，就可以進(jìn)一步提高性能。90nm的制造工藝能夠改進(jìn)性能嗎?答案恐怕是否!實(shí)際情況是，隨著存儲(chǔ)密度的提高，需要的讀、寫穩(wěn)定時(shí)間是呈現(xiàn)上升趨勢(shì)的。前面的計(jì)算所舉的例子中就體現(xiàn)了這種趨勢(shì)，否則4Gb芯片的性能提升更加明顯。綜合來(lái)看，大容量的NAND型閃存芯片雖然尋址、操作時(shí)間會(huì)略長(zhǎng)，但隨著頁(yè)容量的提高，有效傳輸率還是會(huì)大一些，大容量的芯片符合市場(chǎng)對(duì)容量、成本和性能的需求趨勢(shì)。而增加數(shù)據(jù)線和提高頻率，則是提高性能的最有效途徑，但由于命令、地址信息占用操作周期，以及一些固定操作時(shí)間(如信號(hào)穩(wěn)定時(shí)間等)等工藝、物理因素的影響，它們不會(huì)帶來(lái)同比的性能提升。1Page=(2K+64)Bytes;1Block=(2K+64)B×64Pages=(128K+4K)Bytes;1Device=(2K+64)B×64Pages×4096Blocks=4224Mbits其中：A0～11對(duì)頁(yè)內(nèi)進(jìn)行尋址，可以被理解為“列地址”。A12～29對(duì)頁(yè)進(jìn)行尋址，可以被理解為“行地址”。為了方便，“列地址”和“行地址”分為兩組傳輸，而不是將它們直接組合起來(lái)一個(gè)大組。因此每組在最后一個(gè)周期會(huì)有若干數(shù)據(jù)線無(wú)信息傳輸。沒有利用的數(shù)據(jù)線保持低電平。NAND型閃存所謂的“行地址”和“列地址”不是我們?cè)贒RAM、SRAM中所熟悉的定義，只是一種相對(duì)方便的表達(dá)方式而已。為了便于理解，我們可以將上面三維的NAND型閃存芯片架構(gòu)圖在垂直方向做一個(gè)剖面，在這個(gè)剖面中套用二維的“行”、“列”概念就比較直觀了。