航空產(chǎn)品制造企業(yè)目前仍主要采用二維工藝指導(dǎo)現(xiàn)場(chǎng)加工 ,但大部分葉輪零件幾何外形較為復(fù)雜 ,用二維工藝較難直觀、準(zhǔn)確地表達(dá)工藝內(nèi)容 ,且葉輪零件數(shù)控加工工序多 ,編制完成二 維工藝后 , 需重構(gòu)三維工序模型才能完成數(shù)控加工 , 存在大量的重復(fù)性勞動(dòng) 。鑒于此 ,利用企業(yè)MBD三維工藝設(shè)計(jì)平臺(tái)編制葉輪零件的三維工藝 , 真正將三維工藝技術(shù)推向下游車(chē)間 ,利用MBD三維工藝技術(shù)完成葉輪零件的加工制造 ,驗(yàn)證了三維工藝的實(shí)現(xiàn)路徑及優(yōu)越性 。
詳細(xì)研究了目前在國(guó)內(nèi)民航業(yè)廣泛使用的干線飛機(jī)A320、B777的電傳飛控系統(tǒng)架構(gòu) ,對(duì)上述電傳飛控系統(tǒng)的組成 、布局、架構(gòu)設(shè)計(jì)特征 、工作模態(tài)等進(jìn)行了梳理和分析 , 同時(shí)也總結(jié)了在飛控系統(tǒng)開(kāi)展工程設(shè)計(jì)過(guò)程中涉及的如基于模型的飛控系統(tǒng)開(kāi)發(fā)、飛控系統(tǒng)終極備份系統(tǒng)設(shè)計(jì)、機(jī)載系統(tǒng)適航技術(shù)、軟件形式驗(yàn)證等熱門(mén)技術(shù)問(wèn)題 ,對(duì)今后電傳飛控系統(tǒng)開(kāi)展系統(tǒng)設(shè)計(jì)具有良好的參考意義。
傳統(tǒng)的煙用復(fù)合內(nèi)襯紙存在含鋁量高 ,表面鋁層無(wú)法自然降解的問(wèn)題。為適應(yīng)環(huán)保要求 ,提出了滿足真空鍍鋁內(nèi)襯紙上機(jī)要求的設(shè)備改造方法和基于ZB421包裝機(jī)的真空鍍鋁內(nèi)襯紙包裝方法 , 可滿足ZB421包裝機(jī)的真空鍍鋁內(nèi)襯紙上機(jī)使用要求。
脈沖電流環(huán)路盡可能小如輸入濾波電容正到變壓器到開(kāi)關(guān)管返回電容負(fù)。
UPS的應(yīng)用場(chǎng)景日趨多樣化,每個(gè)場(chǎng)景都有其獨(dú)特的需求,對(duì)應(yīng)不同的方案。本文將聚焦UPS設(shè)計(jì)方案展開(kāi)講述。
它是按一定規(guī)律改變脈沖列的脈沖寬度或幅度,以調(diào)節(jié)輸出量和波形的,從而實(shí)現(xiàn)電動(dòng)機(jī)電壓和頻率的平滑變化。
Si IGBT是硅絕緣柵雙極晶體管的簡(jiǎn)寫(xiě)。碳化硅MOSFET是碳化硅金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管的縮寫(xiě)。
用于太陽(yáng)能光伏發(fā)電系統(tǒng)逆變器(含輸入直流斬波級(jí))的功率半導(dǎo)體器件主要有MOSFET、IGBT、超結(jié)MOSFET。其中MOSFET速度最快,但成本也最高。
逆變器是由具有中心抽頭變壓器,兩只開(kāi)關(guān)管V1、V2碭和兩只二極管D1、D2構(gòu)成的,是一種完全對(duì)稱的結(jié)構(gòu)形式。
電池供電的逆變器,為了減少回路中串聯(lián)的功率管數(shù)量,多采用推挽電路,其中的MOSFET多工作在硬開(kāi)關(guān)狀態(tài),硬開(kāi)關(guān)狀態(tài)有以下弊端
反激式開(kāi)關(guān)電源的電壓和電流的輸出特性要比正激式開(kāi)關(guān)電源的差。
該方案分為前后兩級(jí),前級(jí)采用推挽升壓電路將輸入的直流電升壓到350V左右的母線電壓,后級(jí)采用全橋逆變電路,逆變橋輸出經(jīng)濾波器濾波。
穩(wěn)定工作時(shí),第個(gè)開(kāi)關(guān)周期導(dǎo)通期間電感電流的增加等于關(guān)斷期間電感電流的減小。
通過(guò)特定的電路配置來(lái)實(shí)現(xiàn)電壓升高的電路。其工作原理復(fù)雜而精妙,涉及電子元件的充放電過(guò)程、電壓疊加以及能量轉(zhuǎn)換等多個(gè)方面。
boost升壓電路是一種常見(jiàn)的開(kāi)關(guān)直流升壓電路,它通過(guò)開(kāi)關(guān)管導(dǎo)通和關(guān)斷來(lái)控制電感儲(chǔ)存和釋放能量,從而使輸出電壓比輸入電壓高。