LAST POWER項目組公布了為期三年由歐盟資助的功率半導體項目開發(fā)成果。以研發(fā)高成本效益且高可靠性的功率電子技術為目標，涉及工業(yè)、汽車、消費電子、再生能源轉換系統(tǒng)和電信應用。項目開發(fā)成果讓歐洲擠身于世界高能效功率芯片研究商用的最前沿。

歐洲納電子計劃顧問委員會(ENIAC)聯盟(JU)是納米工業(yè)上市公司與私營企業(yè)的聯盟組織，于2010年4月啟動了LAST POWER項目，聚集了寬帶隙半導體(SiC和GaN)領域的私營企業(yè)、大學和公共研究中心。該聯盟成員包括項目協(xié)調人意法半導體(意大利)、LPE/ETC (意大利)、Institute for Microelectronics and Microsystems of the National Research Council –IMM-CNR(意大利)、Foundation for Research & Technology-Hellas – FORTH(希臘), NOVASiC(法國)、Consorzio Catania Ricerche -CCR(意大利)、Institute of High Pressure Physics – Unipress(波蘭)、 Università della Calabria(意大利)、SiCrystal(德國)、SEPS Technologies(瑞典)、SenSiC(瑞典)、Acreo(瑞典)、, Aristotle University of Thessaloniki - AUTH(希臘)。

碳化硅主要研發(fā)成果基于SiCrystal公司展示的偏軸2°截止角的150mm直徑的大面積4H-SiC襯底。在晶體結構和表面粗糙度方面，材料質量兼容項目啟動時的標準100mm 4°偏軸材料。在LPE/ETC，這些襯底用于中度摻雜的外延層的外延生長，適用于加工600-1200V JBS(結勢壘肖特基)二極管和MOSFET，項目組為在大面積(150mm)4H-SiC上生長外延開發(fā)了一個創(chuàng)新的CVD(化學汽相淀積)反應堆。

外延層質量讓意法半導體能夠在工業(yè)生產線上制造JBS結勢壘肖特基二極管。第一批晶圓特征分析顯示，電氣性能與先進的4°偏軸材料相當。在這種情況下，關鍵工序是在NOVASiC上實現化學機械拋光(CMP) - StepSiC ® 填充和平面化 ，對于外延層生長前的襯底制備和器件活動層表面粗糙度亞納米控制，該工序是一個關鍵問題。在這個項目內，同一企業(yè)還取得了用于加工MOSFET和JFET的外延生長能力。

項目組與意法半導體、IMM-CNR公司進行SiO2/SiC接口的合作研發(fā)，以改進4H-SiC MOSFET晶體管的溝道遷移率。

最后，項目組與Acreo、FORTH合作開發(fā)出了用于高溫4H-SiC JFET和 MOSFET的全新技術模塊，為可靠封裝解決方案模塑化合物和無鉛芯片連接材料研究提供CCR支持。

LAST POWER項目還從事在功率電子應用中使用基于GaN器件的研究。特別是意法半導體在150mm Si襯底上生長AlGaN/GaN HEMT外延層結構的開發(fā)取得了成功，外延層長至3µm，抗擊穿電壓能力高達200V。LAST POWER與IMM-CNR、Unipress和意法半導體合作，采用一種“無金”方法開發(fā)常關型 AlGaN/GaN HEMT器件。該制程模塊完全兼容意法半導體生產線要求的芯片制造流程，目前正在整合至HEMT生產線。項目成員在材料生長和制造工藝方面開展的卓有成效的合作互動，讓業(yè)界向單片集成GaN和SiC器件的目標邁出重要一步，這兩項技術在2°偏軸4H-SiC襯底上均取得成功。