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瑞薩科技公司(以下簡(jiǎn)稱瑞薩)推出12款第10代、面向服務(wù)器、通信設(shè)備和工業(yè)設(shè)備等應(yīng)用領(lǐng)域內(nèi)電源中使用的隔離DC-DC轉(zhuǎn)換器*1的功率MOSFET產(chǎn)品。新型功率MOSFET在降低開關(guān)損耗*2、提高能效的同時(shí),還具有很寬的電壓容差范圍(40V、60V、80V 和 100V)。上述產(chǎn)品將于2009年12月3日起投入批量生產(chǎn)。
這12款新產(chǎn)品采用的第10代制造工藝在早期的、重點(diǎn)實(shí)現(xiàn)低導(dǎo)通電阻*2的功率MOSFET(主要用于非隔離DC-DC轉(zhuǎn)換器)上已經(jīng)得到了普遍認(rèn)同。此項(xiàng)工藝在進(jìn)行了優(yōu)化后,更能實(shí)現(xiàn)比瑞薩先前產(chǎn)品低達(dá)50%的柵-漏極電荷(Qgd)*3。而柵-漏極電荷正是在功率MOSFET內(nèi)實(shí)現(xiàn)低開關(guān)損耗的一個(gè)重要特性。此外,新產(chǎn)品所采用的高性能封裝(瑞薩科技公司封裝編號(hào):LFPAK)還可降低封裝電阻、改善散熱特性、提升產(chǎn)品性能,從而使隔離DC-DC轉(zhuǎn)換器提高效率、降低能耗。
新型功率MOSFET具有如下特性:
(1)柵-漏極電荷比瑞薩早期的產(chǎn)品約低50%(電壓容差為100V的RJK1056DPB)
為了降低隔離DC-DC轉(zhuǎn)換器的能耗,需要柵-漏極電荷(Qgd)較低(這是降低開關(guān)損耗的一個(gè)重要因素)的功率MOSFET。這12款新型功率MOSFET采用瑞薩第10代針對(duì)該應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化的0.18μm 工藝制造而成。例如,電壓容差為100V的RJK1056DPB,其柵-漏極電荷為7.5nC,約為瑞薩早期產(chǎn)品HAT2173H(14.5nC)的一半。
(2)電壓容差范圍廣(40V、60V、80V 和 100V)
隔離 DC-DC 轉(zhuǎn)換器的輸入和輸出電壓取決于所使用的功率MOSFET的電壓容差。在隔離元件方面,隔離 DC-DC 轉(zhuǎn)換器由充當(dāng)輸入端的主電源和充當(dāng)輸出端的副電源組成。新型功率 MOSFET 系列包含專門用于滿足一次側(cè)需求、電壓容差為80V 和100V的產(chǎn)品,以及用于滿足二次側(cè)需求、電壓容差為40V和60V的產(chǎn)品。用戶可以選擇最符合其要求的產(chǎn)品。
(3)高性能封裝提升了產(chǎn)品性能
新型功率MOSFET采用瑞薩得到普遍認(rèn)可的LFPAK(瑞薩科技公司封裝編號(hào))*4高性能封裝。它提供了低封裝電阻和出色的散熱特性,能夠防止元件出現(xiàn)過(guò)熱的情況。與傳統(tǒng)的SOP-8或類似的封裝相比,該封裝本身就為產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)了低損耗。從內(nèi)部直接連接到導(dǎo)線框上,從而降低了封裝電感,保證了高頻操作的實(shí)現(xiàn)。
近日,瑞薩公司執(zhí)行副總裁 Sailesh Chittipeddi 接受了半導(dǎo)體知名技術(shù)分析機(jī)構(gòu) semiengineering(簡(jiǎn)稱 SE)的采訪,談?wù)摿私K端市場(chǎng)的變化,以及 MCU 的新的技術(shù)拓展和公司戰(zhàn)略。瑞薩科技表...
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