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[導(dǎo)讀]為大幅度提高小功率反激開關(guān)電源的整機效率,可選用副邊同步整流技術(shù)取代原肖特基二極管整流器。它是提高低壓直流輸出開關(guān)穩(wěn)壓電源性能的最有效方法之一。

    摘要:為大幅度提高小功率反激開關(guān)電源的整機效率,可選用副邊同步整流技術(shù)取代原肖特基二極管整流器。它是提高低壓直流輸出開關(guān)穩(wěn)壓電源性能的最有效方法之一。

    關(guān)鍵詞:反激變換器;副邊同步整流控制器STSR3;高效率變換器

2.7 預(yù)置時間(tant)防止原邊和副邊共態(tài)導(dǎo)通

實現(xiàn)同步整流的一個主要難題,是確??刂艻C送出的驅(qū)動信號正確無誤,以?止在副邊的同步整流器與原邊開關(guān)管之間出現(xiàn)交叉的“共態(tài)導(dǎo)通”。其示意圖可見圖16中波形。當(dāng)原邊MOSFET導(dǎo)通時,圖16中電壓Vs傾向于負(fù)極性。如果副邊同步MOSFET關(guān)斷時帶有一些延遲,那么在原邊和副邊之間就會出現(xiàn)一個短路環(huán)節(jié)。為了避免這種不希望的情況發(fā)生,在原邊MOSFET導(dǎo)通之前,同步MOSFET必須是截止的,這表明有必要設(shè)置一定量的“預(yù)置”時間tant。

    圖17給出了詳細(xì)展開的正常工作情況時,CK時鐘信號與OUTGATE輸出驅(qū)動信號之間的定時關(guān)系圖。芯片內(nèi)部的定時tant提供了所需要的預(yù)置時間,從而避免了共態(tài)導(dǎo)通的出現(xiàn)。按表1的供電條件使用腳SETANT,tant有三種不同的選擇值。在腳SETANT外接電阻分壓器供電,可得到表1中所需的該腳電壓值和預(yù)置時間。

    芯片內(nèi)的數(shù)字控制單元產(chǎn)生這些預(yù)置時間,是通過計算在開關(guān)周期之中包含的高頻脈沖數(shù)目來完成的。由于該系統(tǒng)具有數(shù)字性能,在計數(shù)過程中會丟失一些數(shù)位,從而導(dǎo)致輸出驅(qū)動信號中發(fā)生跳動。表1中的預(yù)置時間值是一個平均值,考慮了這種跳動因素。圖18給出了OUTGATE關(guān)斷期間的跳動波形。

2.8 空載與輕載工作狀態(tài)

當(dāng)占空比<14%時,STSR3的內(nèi)部特性能使OUTGATE關(guān)閉,并且切斷芯片內(nèi)部大多數(shù)電路供電,從而減小器件的功耗。在這種條件下,變換器的低輸出電流,是由同步MOSFET的體二極管來完成的。當(dāng)占空比>18%時,IC再次起動,所以具有4%的滯后量。當(dāng)原邊的PWM控制器在極輕輸出負(fù)載下發(fā)生突發(fā)狀態(tài)時,這種特性仍能維持STSR3系統(tǒng)正確工作。

    輸出驅(qū)動器具有承受大電流的能力,源極峰值達(dá)2A,加散熱器后可達(dá)3A。因此同步MOSFET開關(guān)極快,允許并聯(lián)幾只MOSFET以減小導(dǎo)通損耗。在供電期間的高電平是Vcc,所以芯片只驅(qū)動具有邏輯電平柵極門限的MOSFET。

2.9 瞬態(tài)特征及實測波形

在負(fù)載發(fā)生大變化時,占空比可在幾個開關(guān)周期里從低值極快地變?yōu)楦咧?,反之亦然。但OUTGATE給出的預(yù)置時間,是根據(jù)計算開關(guān)周期(頻率),而非依據(jù)占空比。即使在占空比快速變化時,它也能正確地提供預(yù)置時間,從而始終為同步MOSFET提供正確的驅(qū)動。圖19給出了占空比在一個周期里從50%變成80%,隨即又返回50%時的測量波形。圖20給出了OUTGATE正確提供的預(yù)置時間,從圖中看到是131ns。

    2.10 同步整流控制器STSR3的典型應(yīng)用電路

圖21給出了STSR3的典型應(yīng)用電路板測試圖。該電路可替代反激變換器中的整流二極管,用外部時鐘檢測器進(jìn)行同步,可用于各種類型的反激變換器,例如AC/DC或者DC/DC。圖中的一些電路不是必需的,例如,當(dāng)原邊開關(guān)截止時如果沒有振鈴出現(xiàn),那么R24,D15,R25和C11就可以刪掉。用TO?220塑殼封裝的同步MOSFET可裝配在電路板上。ST公司提供的適合作同步整流的MOSFET產(chǎn)品型號、規(guī)格列在表2中。

表2 ST公司提供的專用于同步整流器超低導(dǎo)通電阻的MOSFET新品規(guī)格

P/N

VDss/V

RDS(on)@5V/mΩ

ID(cont)/A

STP100NF03L-03

30

4.5

100

STP80NF03L-04

30

5

80

STP90NF03L

30

12

90

STP85NF3LL

30

9

85

STP70NF3LL

30

12

70

STP100NF04L

40

5

100

STP80NF55L-06

55

8

80

STP60NF06L

60

16

60

STP80NF75L

75

13

80

STP40NF10L

100

36

40

該電路板,能在反激式變換器中,很容易地將二極管整流改變?yōu)镸OSFET同步整流。

    2.11 主芯片STSR3印刷電路板的設(shè)計布局

任何一種高頻開關(guān)電源,都需要一個良好的PCB設(shè)計布局,以實現(xiàn)整機系統(tǒng)性能的最高指標(biāo),并解決干擾的輻射傳導(dǎo)問題。電路板上元器件的排放位置、引腳走線和寬度等,都是主要的課題。本文將給出一些基本的規(guī)則,使PCB設(shè)計者能制作出良好的STSR3電路板布局。

圖21

    在PCB上畫線時,所有電流的走線都應(yīng)盡量縮短和加粗,使走線電阻和寄生電感為最小值,以增進(jìn)系統(tǒng)的效率和降低干擾的輻射傳導(dǎo)。電流返回的路徑安排是另一個有決定意義的課題。信號的地線SGLGND與功率地線PWRGND應(yīng)分別布線,并且都接芯片的信號地線腳。印刷電路板各元器件布局如圖22所示。

圖22

    由于腳INHIBIT接芯片內(nèi)部-25mV比較器,它對布線較敏感,所以要使板上接INHIBIT的連線盡可能縮短。作為經(jīng)驗,信號電流的走線應(yīng)遠(yuǎn)離脈沖電流或快速開關(guān)電壓的走線,以避免在它們之間出現(xiàn)耦合效應(yīng)。

    圖23給出了從元器件焊接的正面(即頂部端)看到的印制板銅箔(按1:1面積尺寸)的繪線布局;圖24則給出了印制板背面(即底部端)銅箔繪線,有十幾個園形穿孔點。

2.12 怎樣用STSR3控制板便捷替換原二極管

圖25給出了用簡便方法,在原有反激變換器上,去掉已安裝的副邊整流二極管,換上同步整流STSR3控制板的示意圖。如果原Vout等于或大于5V,就把新板上的Vs電壓線接到Vout;若它低于5V,仍把Vs接到MOS漏極。

圖25

3 結(jié)語

專用于控制同步整流的新器件已問世,它能提高AC/DC或DC/DC反激式變換器的效率。STSR3對于原邊PWM控制器是完全透明的,它工作在副邊。該器件能工作在?何拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),為同步MOSFET開關(guān)管提供正確的驅(qū)動信號。以上介紹的控制板在任意現(xiàn)存的反激變換器上,均能以簡單有效的方法實現(xiàn)同步整流。(續(xù)完)

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