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[導(dǎo)讀]LCD TV電源架構(gòu)的介紹 圖1所示為L(zhǎng)CD TV的電源架構(gòu),圖中架構(gòu)的輸入電壓為90-265V,輸入頻率從47Hz到63Hz,經(jīng)過(guò)調(diào)試整流后會(huì)經(jīng)過(guò)PFC架構(gòu),由于本文主要針對(duì)MOS,因此圖中

LCD TV電源架構(gòu)的介紹

圖1所示為L(zhǎng)CD TV的電源架構(gòu),圖中架構(gòu)的輸入電壓為90-265V,輸入頻率從47Hz到63Hz,經(jīng)過(guò)調(diào)試整流后會(huì)經(jīng)過(guò)PFC架構(gòu),由于本文主要針對(duì)MOS,因此圖中沒(méi)有表示出調(diào)試整流部分。PFC根據(jù)所使用的IC選擇采用DCM或者CCM。從PFC出來(lái)后有一個(gè)PWM,如果輸出功率小于65W,則PWM端采用Flyback或QR模式。現(xiàn)在LCD TV常用的是半橋共振和LLC架構(gòu)。5V一側(cè)有備用電源,目前LCD TV的備用電源通常采用的是IC綁定MOS。所不同的是逆變器部分,傳統(tǒng)輸出是24V,此處采用的則是LIPS架構(gòu),并從PFC端將400V電壓直接加到此處。電壓從24V增加到400V的好處是:電流相對(duì)變小,因此效率更好;而且24V逆變器采用的是全橋式架構(gòu),需4個(gè)MOS,而如果采用LIPS架構(gòu)則采用半橋架構(gòu),只需要兩個(gè)MOS,隨著MOS量的減少,成本也隨之降低。

圖2所示為一個(gè)實(shí)際的TV板。從圖1的電源架構(gòu)角度看,該電路板中有兩個(gè)STEP EMI內(nèi)核,圖中標(biāo)記了紅色的部分有一個(gè)PFC MOSFET,目前Vishay主推IRFP27N60KPBF,PWM的MOSFET采用的是半橋LLC架構(gòu),這一部分用500V MOS即可,該電路板使用的是IRFB840APBF。此外還有3組輸出,即5V、12V和24V,以及一個(gè)5V的備用電源。

拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)及工作原理

PFC即Power Factor Correction,是一個(gè)升壓式架構(gòu)。當(dāng)PFC控制器的電源大于70W小于200W時(shí),通常會(huì)采用DCM結(jié)構(gòu),這種結(jié)構(gòu)電壓比較高,通常需要選擇600或650V的MOS。當(dāng)電源大于200W時(shí),通常采用CCM結(jié)構(gòu)。對(duì)于一次側(cè)PWM拓?fù)浼軜?gòu),如圖3所示,一般采用的是Flyback架構(gòu)。電源為65W或90W以下的適配器會(huì)采用Flyback架構(gòu),26"和32"電視也可能采用Flyback架構(gòu)。半橋結(jié)構(gòu)需要兩個(gè)MOS,而全橋結(jié)構(gòu)需要4個(gè)MOS。其實(shí)半橋和全橋式架構(gòu)比較適用于大電源中。目前廣為接受的TV電源主要是LLC架構(gòu),是由兩個(gè)MOS Q1和Q2串聯(lián)Cr、Lr和Lm,以及一個(gè)變壓器組成,如圖3中右下圖所示。還有一些情況采用Forward和Double Forward構(gòu)架,由于Forward電壓非常大,可能達(dá)到900-1000V,因此電壓選擇要謹(jǐn)慎。而對(duì)于Double Forward而言,500V電壓足矣。

零電壓切換

由于共振切換方式中電壓電流交叉面積變小,相對(duì)開(kāi)關(guān)損耗變小,效率變高,溫度降低,因此通常采用共振切換的方式,目前最常用的是零電壓切換。由于采用LC架構(gòu),其共振頻率為 f_{r}=frac{1}{2πsqrt{L_{r}C_{r}}},當(dāng)操作頻率大于共振頻率時(shí),則操作在ZVS(零電壓切換)架構(gòu)上。從圖4中可以看到,當(dāng)電流增加時(shí)電壓為零,電壓增加時(shí)電流為零。只有在電流減小電壓增加的瞬間才有小小的切換損耗,而大部分時(shí)間無(wú)損耗,相對(duì)于共振損耗來(lái)講,這種情況損耗更小,因此ZVS架構(gòu)效率更好。

LLC共振轉(zhuǎn)換器

圖5所示為半橋共振LLC共振轉(zhuǎn)換器,這種架構(gòu)根據(jù) f_{r}=frac{1}{2πsqrt{L_{r}C_{r}}}計(jì)算出共振頻率的第一個(gè)點(diǎn)和第二個(gè)點(diǎn)。一般情況下希望將LLC共振設(shè)計(jì)在ZVS區(qū)域內(nèi)。如果在ZCS區(qū)域內(nèi)損耗比較大,只需將開(kāi)關(guān)頻率設(shè)計(jì)成大于共振頻率即可實(shí)現(xiàn)。圖5中右上角的圖表示了開(kāi)關(guān)頻率隨著電壓增益變換關(guān)系圖。共振LLC轉(zhuǎn)換器應(yīng)用于LCD TV時(shí)的優(yōu)點(diǎn)有:

1)高效率:初級(jí)MOS零電壓切換幾乎沒(méi)有損耗,而且次級(jí)整流二極管為ZCS切換,損耗較少,因此整體效率得到提升;
2)高電源密度;
3)良好的EMI(低dV/dt和dI/dt);
4)更好的交叉調(diào)整率;
5)較低的輸出紋波噪聲;
6)低熱擾動(dòng)
7)節(jié)約成本

LLC拓?fù)涞墓ぷ髟?

圖6所示為L(zhǎng)LC拓?fù)涞墓ぷ髟怼?梢钥吹阶筮厼閮蓚€(gè)MOS(高壓MOS和低壓MOS)串聯(lián)兩個(gè)電感,一個(gè)電容和一個(gè)變壓器。二次側(cè)部分有兩個(gè)整流二極管,為非同步整流方式。圖的右側(cè)為電流與電壓變化分段示意圖。在T0-T1階段,兩個(gè)MOS沒(méi)有導(dǎo)通,電流通過(guò)MOS的二極管逆流回去;在T1-T2階段,高壓側(cè)MOS導(dǎo)通,電流從VDC流到地,在二次側(cè)部分的二極管導(dǎo)通;T2-T3唯一改變的是二次側(cè)的二極管關(guān)斷,電流從Vout流出,兩邊為隔離狀態(tài),高壓側(cè)MOS還是導(dǎo)通,低壓側(cè)MOS還是關(guān)閉的;T3-T4階段高壓MOS關(guān)掉,低壓MOS沒(méi)有導(dǎo)通,但是電流通過(guò)低壓側(cè)MOS的二極管,二次側(cè)的二極管也導(dǎo)通;T4-T5階段低壓MOS完全導(dǎo)通,二次側(cè)的二極管也完全導(dǎo)通;T5-T6階段二次側(cè)二極管關(guān)斷,低壓MOS導(dǎo)通。

Vishay目前擁有的LCD TV電源的產(chǎn)品

Vishay目前主推的LCD TV高壓MOS為Gen6,是一種比較新的技術(shù),以6"晶圓制造,其中包括K-Series與L-Series,可以從器件命名的最后一個(gè)字母看到。K-Series比較適用于PFC AC/DC SMPS以及電機(jī)驅(qū)動(dòng),或者硬開(kāi)關(guān)全橋的初級(jí)開(kāi)關(guān)、半橋、正向式轉(zhuǎn)換器等。L-Series很適合AC/DC SMPS ZVS全橋中的初級(jí)開(kāi)關(guān)。圖7和圖8列出了1M的電壓產(chǎn)品。

應(yīng)用實(shí)例

圖9所示為一個(gè)采用LLC的LCD TV應(yīng)用,其中用紅色圈起來(lái)的部分為針對(duì)PFC的MOS和半橋共振的MOS所推薦的型號(hào)。在半橋共振部分,實(shí)際應(yīng)用中選擇500V的MOS即可。

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