由場效應(yīng)晶體管組成的175MHz高頻功放電路
由場效應(yīng)晶體管組成的175MHz高頻功放電路如圖所示。
場效應(yīng)晶體管VT為3D04H,元件和參數(shù)采用
由場效應(yīng)晶體管組成的175MHz高頻功放電路如圖所示。
場效應(yīng)晶體管VT為3D04H,元件和參數(shù)采用
碳化硅結(jié)型場效應(yīng)晶體管(SiC JFET)相比其他競爭技術(shù)具有一些顯著的優(yōu)勢,特別是在給定芯片面積下的低導通電阻(稱為RDS.A)。為了實現(xiàn)最低的RDS.A,需要權(quán)衡的一點是其常開特性,這意味著如果沒有柵源電壓,或者JF...
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