輸出短路保護(hù)固定頻率折返，折返工作頻率高，輸出短路保護(hù)效果會(huì)降低；折返工作頻率低，系統(tǒng)甚至進(jìn)入到非連續(xù)工作模式，雖然保護(hù)效果好，但有可能導(dǎo)致輸出短路消除后輸出電壓無(wú)法恢復(fù)正常。如圖1所示，輸入24V、輸出12V的 DCD...

為物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用選擇電子元件的兩個(gè)關(guān)鍵標(biāo)準(zhǔn)是功率預(yù)算和性能。自從電子產(chǎn)品問(wèn)世以來(lái)，就一直在這兩者之間進(jìn)行權(quán)衡——要么獲得最佳功耗，要么獲得最高性能。根據(jù)應(yīng)用程序，系統(tǒng)架構(gòu)師對(duì)系統(tǒng)中的不同組件有不同的要求。例如，系統(tǒng)可能需要高...

盡管輸出電壓隨負(fù)載的變化在美學(xué)上令人不快，但該模型相對(duì)于前一個(gè)模型的優(yōu)勢(shì)是巨大的。它包含相同限制之間的輸出電壓，具有幾乎兩倍的 ESR，并且當(dāng)我們將它們與允許的偏差進(jìn)行比較時(shí)，誤差源和紋波電壓會(huì)變小，這通常是這種情況。將...

開(kāi)關(guān)電源通常具有嚴(yán)格的靜態(tài)調(diào)節(jié)規(guī)范。使用廣泛可用的精密基準(zhǔn)，我們無(wú)需任何初始調(diào)整即可在工作溫度范圍內(nèi)輕松實(shí)現(xiàn) ±1% 的精度。我們還必須處理電源的動(dòng)態(tài)調(diào)節(jié)規(guī)范，制造商通常將其指定為瞬態(tài)負(fù)載的最大允許偏差，該瞬態(tài)負(fù)載具有規(guī)...

在閾值電壓或低于閾值電壓時(shí)，EPAD MOSFET 在稱為亞閾值區(qū)域的工作區(qū)域中表現(xiàn)出關(guān)斷特性。這是 EPAD MOSFET 傳導(dǎo)通道根據(jù)施加的柵極電壓快速關(guān)閉的區(qū)域。由柵電極上的柵電壓引起的溝道呈指數(shù)下降，因此導(dǎo)致漏極...

ALD1148xx/ALD1149xx 產(chǎn)品是耗盡型 EPAD MOSFET，當(dāng)柵極偏置電壓為 0.0V 時(shí)，它們是常開(kāi)器件。耗盡模式閾值電壓處于 MOSFET 器件關(guān)斷的負(fù)電壓。提供負(fù)閾值，例如 –0.40V、-1.3...

尋求在電路設(shè)計(jì)中實(shí)現(xiàn)更低的工作電壓和更低的功耗水平是一種趨勢(shì)，這給電氣工程師帶來(lái)了艱巨的挑戰(zhàn)，因?yàn)樗麄冇龅搅嘶景雽?dǎo)體器件特性對(duì)他們施加的限制。長(zhǎng)期以來(lái)，工程師們一直將這些特性視為基本特性，并可能阻止他們最大限度地?cái)U(kuò)大可...

所以，我想說(shuō)這個(gè)概念是完全可擴(kuò)展的。因此，我們可以為低功率制作非常高的 RDS (on) 部件，或?yàn)楦吖β手谱鞣浅５偷?RDS (on) 部件。通過(guò)簡(jiǎn)單地重塑設(shè)計(jì)，它可以擴(kuò)展到低電壓，但這個(gè)概念是成立的。這就是我們基本上...

如今,無(wú)論生活亦或是工作環(huán)境中都充斥著大量不同頻率的電磁場(chǎng)，各個(gè)電子、電氣設(shè)備在同一空間中同時(shí)工作時(shí)，總會(huì)在它周圍產(chǎn)生一定強(qiáng)度的電磁場(chǎng)，比如電視發(fā)射臺(tái)、固定或移動(dòng)式無(wú)線電發(fā)射臺(tái)以及各種工業(yè)輻射源產(chǎn)生的電磁場(chǎng)。

羅德與施瓦茨宣布進(jìn)入源測(cè)量單元 (SMU) 市場(chǎng)，推出兩款新儀器，用于分析和優(yōu)化物聯(lián)網(wǎng) (IoT) 應(yīng)用和半導(dǎo)體元件測(cè)試的電池壽命測(cè)試。