所以，我想說這個概念是完全可擴展的。因此，我們可以為低功率制作非常高的 RDS (on) 部件，或為高功率制作非常低的 RDS (on) 部件。通過簡單地重塑設(shè)計，它可以擴展到低電壓，但這個概念是成立的。這就是我們基本上認為我們已經(jīng)實現(xiàn)了最初目標的方式。

考慮過引入單片集成到功率晶體管中的柵極驅(qū)動器的主題，但我想說，這是一個非常好的低功耗解決方案(今天，我們知道市場正在告訴這一點)。但它可能會在高功率時變得有損。我會說，由于片上熱耦合，驅(qū)動器可能會因功率晶體管的自熱而遭受額外的損失。因此，我們認為最好讓我們的客戶繼續(xù)使用他們多年來一直使用硅的 MOSFET 驅(qū)動器，以保留對柵極驅(qū)動器的選擇。現(xiàn)在，最終每個柵極驅(qū)動器都可以與 E 模式 GaN 耦合，這基本上就像 MOSFET 一樣驅(qū)動 GaN。

我現(xiàn)在想評論的一個話題是熱管理方面的。雖然寬帶隙半導(dǎo)體、氮化鎵，但不僅如此，碳化硅解決方案也承諾更高的工作溫度和更高的效率。如我們所知，設(shè)計人員在將這些設(shè)備設(shè)計到系統(tǒng)中時還需要考慮熱管理問題?

那么，我們的技術(shù)策略是什么?我們?nèi)绾慰创S著功率密度不斷提高的熱管理需求對工藝和封裝技術(shù)未來發(fā)展的影響?

這是一個很好的觀點。當然，你知道，Maurizio，我們大多數(shù)參與 GaN 的人經(jīng)常強調(diào) GaN 的一個好處是，可以在比目前基于硅架構(gòu)的正常開關(guān)頻率高得多的情況下實現(xiàn)非常高的效率。當然，在這樣做時，我們說應(yīng)使用可表面貼裝的封裝，以減少電感并支持高頻。否則包裹會成為真正的瓶頸，對吧?因此，人們無法充分利用 GaN 的優(yōu)勢。

不幸的是，可用于大功率的 SMD 封裝并不多，制造電源的人們?nèi)匀环浅Ｒ蕾?TO-220、TO-247 等整體封裝。CGD 以 DFN 8×8、DFN 5×6 等 SMD 封裝進入市場，適用于中低功率應(yīng)用。但它也非常重要，特別是對于高功率部分，為了支持數(shù)據(jù)中心服務(wù)器對效率的高需求，所以假設(shè)超過 1 千瓦，開發(fā)熱增強 SMD 解決方案非常重要，我們正在這樣做與我們的組裝現(xiàn)場。當然，它們的熱阻非常低。我們將在適當?shù)臅r候分享這些。

原則上，主題是：使用 GaN，我們允許用戶縮小他的應(yīng)用程序，但熱量仍然存在。它必須以某種方式消散。我們正在走向死胡同嗎?所以，我想說，首先，我們使用 GaN 是安全的，因為人們應(yīng)該注意到 GaN 的開關(guān)損耗是迄今為止最低的。因此，輸出損耗明顯低于任何其他技術(shù)。柵極電荷比硅好10倍，低于硅和碳化硅。

因此，部分答案是，對于 GaN，我們必須處理低得多的熱量才能消散。但是當然，散熱這個話題很重要，我認為未來幾年我們將看到市場發(fā)展的方向之一可能是采用芯片嵌入等解決方案，它可以通過很多方式顯著降低熱阻PCB 內(nèi)部更有效的熱管理。但總的來說，我也會說來自 GaN 制造商的其他元素可以幫助改善 PCB 級別的冷卻。

我之前說過，我們正在將傳感和保護功能集成到 GaN HEMT 中。考慮集成電流感應(yīng)。通常，為了檢測電流，需要添加外部檢測電阻器，這當然會阻止將晶體管連接到接地層。通過將這一功能引入 HEMT，現(xiàn)在可以將 HEMT 源連接到地。通過這種方式，冷卻可以更加有效，因為現(xiàn)在我們可以根據(jù)需要設(shè)計冷卻路徑，并專注于實現(xiàn)較低的工作溫度，反之亦然。對于相同的熱量，我們可以使用更高的 RDS (on)。

這就是 50 伏以下 IC-GaN 技術(shù)中包含的全部內(nèi)容。所以，這是一個組合。晶體管技術(shù)可以改善冷卻或為用戶提供更多的自由度。但是，當然，從封裝的角度來看，仍然可以做很多事情來幫助 SMD 技術(shù)變得像通孔一樣具有性能。