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正負5V<strong>基準源電路</strong>.gif

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輸出短路保護固定頻率折返,折返工作頻率高,輸出短路保護效果會降低;折返工作頻率低,系統(tǒng)甚至進入到非連續(xù)工作模式,雖然保護效果好,但有可能導致輸出短路消除后輸出電壓無法恢復正常。如圖1所示,輸入24V、輸出12V的 DCD...

關鍵字: 短路保護 工作頻率 非連續(xù)工作模式

為物聯(lián)網(wǎng)應用選擇電子元件的兩個關鍵標準是功率預算和性能。自從電子產(chǎn)品問世以來,就一直在這兩者之間進行權衡——要么獲得最佳功耗,要么獲得最高性能。根據(jù)應用程序,系統(tǒng)架構師對系統(tǒng)中的不同組件有不同的要求。例如,系統(tǒng)可能需要高...

關鍵字: 物聯(lián)網(wǎng)功耗 SRAM

盡管輸出電壓隨負載的變化在美學上令人不快,但該模型相對于前一個模型的優(yōu)勢是巨大的。它包含相同限制之間的輸出電壓,具有幾乎兩倍的 ESR,并且當我們將它們與允許的偏差進行比較時,誤差源和紋波電壓會變小,這通常是這種情況。將...

關鍵字: 開關電源 瞬態(tài)響應

開關電源通常具有嚴格的靜態(tài)調(diào)節(jié)規(guī)范。使用廣泛可用的精密基準,我們無需任何初始調(diào)整即可在工作溫度范圍內(nèi)輕松實現(xiàn) ±1% 的精度。我們還必須處理電源的動態(tài)調(diào)節(jié)規(guī)范,制造商通常將其指定為瞬態(tài)負載的最大允許偏差,該瞬態(tài)負載具有規(guī)...

關鍵字: 開關電源 瞬態(tài)響應

在閾值電壓或低于閾值電壓時,EPAD MOSFET 在稱為亞閾值區(qū)域的工作區(qū)域中表現(xiàn)出關斷特性。這是 EPAD MOSFET 傳導通道根據(jù)施加的柵極電壓快速關閉的區(qū)域。由柵電極上的柵電壓引起的溝道呈指數(shù)下降,因此導致漏極...

關鍵字: 超低壓 MOSFET 低功耗設計

ALD1148xx/ALD1149xx 產(chǎn)品是耗盡型 EPAD MOSFET,當柵極偏置電壓為 0.0V 時,它們是常開器件。耗盡模式閾值電壓處于 MOSFET 器件關斷的負電壓。提供負閾值,例如 –0.40V、-1.3...

關鍵字: 超低壓 MOSFET 低功耗設計

尋求在電路設計中實現(xiàn)更低的工作電壓和更低的功耗水平是一種趨勢,這給電氣工程師帶來了艱巨的挑戰(zhàn),因為他們遇到了基本半導體器件特性對他們施加的限制。長期以來,工程師們一直將這些特性視為基本特性,并可能阻止他們最大限度地擴大可...

關鍵字: 超低壓 MOSFET 低功耗設計

所以,我想說這個概念是完全可擴展的。因此,我們可以為低功率制作非常高的 RDS (on) 部件,或為高功率制作非常低的 RDS (on) 部件。通過簡單地重塑設計,它可以擴展到低電壓,但這個概念是成立的。這就是我們基本上...

關鍵字: 氮化鎵 功率器件

如今,無論生活亦或是工作環(huán)境中都充斥著大量不同頻率的電磁場,各個電子、電氣設備在同一空間中同時工作時,總會在它周圍產(chǎn)生一定強度的電磁場,比如電視發(fā)射臺、固定或移動式無線電發(fā)射臺以及各種工業(yè)輻射源產(chǎn)生的電磁場。

關鍵字: 射頻抗擾度測試 功率放大器

羅德與施瓦茨宣布進入源測量單元 (SMU) 市場,推出兩款新儀器,用于分析和優(yōu)化物聯(lián)網(wǎng) (IoT) 應用和半導體元件測試的電池壽命測試。

關鍵字: 電池壽命測試 物聯(lián)網(wǎng)

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