摘要： 設(shè)計(jì)使用宏晶科技的8 位單片機(jī)STC12C5A60S2 作為中央控制器， 結(jié)合NAND 閃存芯片K9F4008 存儲(chǔ)漢字庫(kù)的8×128 點(diǎn)陣LED 數(shù)字屏， 該點(diǎn)陣LED 數(shù)字屏具有存儲(chǔ)信息后離線顯示的功能。可應(yīng)用到多種顯示環(huán)境，尤其像汽車等移動(dòng)工具上的脫機(jī)顯示環(huán)境。

自上世紀(jì)90 年代以來(lái)， 隨著LED 顯示技術(shù)設(shè)計(jì)制造水平的不斷提高，LED 數(shù)字屏逐漸在生產(chǎn)和生活中大量使用，LED 數(shù)字屏以其特有的顯示介質(zhì)， 在大面積， 全天候， 高亮度和超高亮度顯示屏領(lǐng)域凸現(xiàn)優(yōu)勢(shì)。LED 顯示技術(shù)發(fā)展的十幾年中， 新器件和新技術(shù)不斷采用， 制造成本逐漸降低， 生產(chǎn)分工不斷細(xì)化， 但大量應(yīng)用的同時(shí)也暴露出LED 顯示技術(shù)的若干缺陷， 總體上技術(shù)尚未成熟， 標(biāo)準(zhǔn)尚未完全建立， 有許多方面值得進(jìn)行更深入的研究與改進(jìn)。

隨著大規(guī)模集成電路的迅猛發(fā)展， 微處理器的運(yùn)算、控制能力大大增加， 單片計(jì)算機(jī)已在很多工業(yè)及民用系統(tǒng)中承擔(dān)智能化的任務(wù)， 與迅猛發(fā)展的運(yùn)算速度相比， 其端口擴(kuò)展能力則遜色得多（ 數(shù)目有限且擴(kuò)展困難）， 因此研發(fā)過(guò)程中不得不在節(jié)省端口上投入大量精力， 目前國(guó)內(nèi)為解決端口擴(kuò)展問(wèn)題可采用軟件處理的方式，這樣加重了軟件編寫(xiě)的難度，或采用擴(kuò)展端口的專用芯片。這兩種方法將引起軟件成本的提高或硬件電路復(fù)雜度的提高，不利于一些小型系統(tǒng)的研發(fā)，STC12C5A60S2單片機(jī)具有多種串行傳輸模式， 在一定程度上解決了這個(gè)矛盾。

LED 數(shù)字屏應(yīng)用非常廣泛， 不僅能顯示文字， 還能顯示各種圖形、圖表， 甚至各種動(dòng)畫(huà)效果， 是廣告宣傳、新聞傳播的有力工具。

本文采用STC12C5A60S2 單片機(jī)、接口NAND 閃存和上位PC 機(jī)，實(shí)現(xiàn)了對(duì)16×128 點(diǎn)陣LED 數(shù)字屏的控制。

1 芯片選型

1.1 屏體

由于屏體是商業(yè)成品， 因此系統(tǒng)芯片的選型首選為能與屏體配合的芯片。屏體自備電源， 能直接將蓄電池的能量轉(zhuǎn)變?yōu)? V 的直流電源， 并且這個(gè)電源也通過(guò)屏體的接口電纜輸出到系統(tǒng)板上。因此系統(tǒng)可直接引用該電源， 不必自備電源電路。

1.2 單片機(jī)

綜合考慮屏體和系統(tǒng)需求， 選用國(guó)內(nèi)宏晶科技生產(chǎn)的單時(shí)鐘/機(jī)器周期（1T） 的單片機(jī)STC12C5A60S2。

STC12C5A60S2 是新一代高速8051 單片機(jī)， 其指令代碼完全兼容傳統(tǒng)8051, 但速度快8~12 倍。內(nèi)部集成MAX810 專用復(fù)位電路， 其工作電壓范圍是3.5 V~5.5 V,滿足要求的電壓。由于是單周期的8051 （ 傳統(tǒng)8051 是12 周期）， 可選擇較易于獲得準(zhǔn)確波特率的11.059 2 MHz晶振， 而不必?fù)?dān)心工作速度降低。

STC12C5A60S2 有60 KB 的用戶應(yīng)用程序空間，256 B的RAM 和1024 B 的XRAM.能滿足程序代碼的需求和緩沖區(qū)定義的需求。另有與程序存儲(chǔ)空間獨(dú)立的一片閃存區(qū)域， 可在應(yīng)用編程中作EEPROM 使用。

STC12C5A60S2 有雙UART 以及ISP 串口， 串口資源足夠系統(tǒng)使用。另外通過(guò)宏晶科技提供的軟件， 使用UART 可很容易地實(shí)現(xiàn)程序下載。STC12C5A60S2 有36個(gè)通用I/O 口， 大部分可位控， 并具有強(qiáng)推挽輸出的能力， 足夠系統(tǒng)使用。

STC12C5A60S2 有4 個(gè)16 bit 定時(shí)器和一個(gè)獨(dú)立的波特率發(fā)生器， 另外還有兩個(gè)PCA 模塊， 能獲得豐富的定時(shí)器資源。STC12C5A60S2 有PDIP-40 封裝的芯片， 易于快速進(jìn)入實(shí)驗(yàn)。

1.3 閃存

因?yàn)?6 ×16 點(diǎn)陣的漢字庫(kù)容量在250 KB 左右， 而MCS51 的尋址空間只有64 KB.接口大于64 KB 容量的普通存儲(chǔ)芯片就必須進(jìn)行總線擴(kuò)展， 采用兩次鎖存地址的方法來(lái)讀寫(xiě)， 既需要復(fù)雜的電路， 又占用較長(zhǎng)的存取時(shí)間。同樣，NOR 閃存與EPROM 的引腳結(jié)構(gòu)相類似， 有同樣的接口復(fù)雜性， 成本也十分高。要實(shí)現(xiàn)單片機(jī)與字庫(kù)芯片的簡(jiǎn)單接口（ 不需擴(kuò)展） , 只能選用串行結(jié)構(gòu)的存儲(chǔ)器或命令、地址和數(shù)據(jù)復(fù)用總線結(jié)構(gòu)的存儲(chǔ)器。

串行結(jié)構(gòu)的存儲(chǔ)器多為EEPROM, 沒(méi)有很大的容量， 不適合做字庫(kù)芯片。因此只有選用命令、地址和數(shù)據(jù)復(fù)用總線的NAND 閃存作為字庫(kù)存儲(chǔ)芯片。

字庫(kù)所需的容量不大， 但最好能5 V 供電， 且編程的緩存要求較小的芯片。SAMSUNG 公司出品的K9F4008W 是一款512 KB 的NAND 閃存， 僅有8 個(gè)IO端口， 且工作電壓范圍較廣（3 V~5.5 V）， 可以兼容3 V 和5 V 的硬件系統(tǒng)， 并且?guī)幊虝r(shí)僅需要32 B 的緩沖， 正適合作為字庫(kù)存儲(chǔ)的芯片。

因此， 閃存芯片的可電擦寫(xiě)特性頁(yè)非常適用于需要更換字庫(kù)的場(chǎng)合。故該芯片是十分理想的漢字庫(kù)存儲(chǔ)器。

2 電路設(shè)計(jì)

根據(jù)系統(tǒng)整體結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)的電路的原理圖如圖1 所示。

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3 總體設(shè)計(jì)

3.1 屏體接口模塊

屏體接口包括屏體接口頭文件、屏幕緩沖區(qū)的定義、屏體接口初始化、刷新定時(shí)器中斷服務(wù)程序和SPI中斷服務(wù)程序幾個(gè)部分。

屏體接口的頭文件screen.h 應(yīng)該使屏幕緩沖區(qū)對(duì)其他應(yīng)用可見(jiàn)， 并提供屏體初始化函數(shù)。具體定義如下：

　　#ifndef _SCREEN_H_

　　#define _SCREEN_H_

　　#include "incboard.h"

　　extern u8 xdata SCR_BUF[16][16];

　　void screen_init（void）；

　　#endif

這樣就把屏幕緩沖區(qū)的結(jié)構(gòu)暴露給應(yīng)用， 但應(yīng)用不必關(guān)心具體的屏幕刷新操作。

具體屏體接口的實(shí)現(xiàn)集中在一個(gè)文件screen.c 中定義。具體如下：

首先是屏幕緩沖區(qū)定義：

u8 xdata SCR_BUF[16][16]_at_0x0000;//~0x00ff 256Bytes其次是當(dāng)前顯示行和輸出列變量定義， 屬于靜態(tài)變量， 應(yīng)用程序不可見(jiàn)。

static u8 data row,col;

然后是屏幕初始化， 包括刷新定時(shí)器0 的初始化、SPI 的初始化、鎖存bLatch 信號(hào)的初始化、屏幕緩沖區(qū)的初始清零以及定時(shí)器和SPI 中斷的優(yōu)先權(quán)和使能位的初始化代碼略。

SPI 和定時(shí)器0 的中斷服務(wù)程序是屏體接口的關(guān)鍵。

定時(shí)器0 的中斷服務(wù)程序首先進(jìn)行掃描行增量取模運(yùn)算，并將掃描行輸出。然后依據(jù)掃描行取出屏幕緩沖區(qū)對(duì)應(yīng)行的第一個(gè)字節(jié)發(fā)送到SPI 端口。同時(shí)列增量。

　　void display_ONe_screen（void）interrupt 1 using 3{

　　row = （++row）&0x0f;

　　P0 = （P0 & 0xf0）|（（~row）& 0xf）；

　　col = 0;SPDAT = ~SCR_BUF[row][col++];

　　}

這樣編寫(xiě)的屏體驅(qū)動(dòng)， 應(yīng)用只要在初始化屏體后，向屏幕緩沖區(qū)中寫(xiě)入要顯示的數(shù)據(jù)即可， 而不必關(guān)心屏幕顯示的細(xì)節(jié)。

3.2 UART 接口

UART 接口負(fù)責(zé)與上位機(jī)的數(shù)據(jù)收發(fā)， 盡管發(fā)送可以同步進(jìn)行， 但接收必須異步進(jìn)行。因而UART 接口的核心仍然應(yīng)該是一個(gè)中斷服務(wù)程序。

UART 接口的頭文件uart.h 隱藏了接收緩沖區(qū)的信息， 用戶可調(diào)用的函數(shù)只有初始化、發(fā)送和接收。

　　#ifndef _UART_H_

　　#define _UART_H_

　　void uart_init（void）；

　　void uart_put_c（u8 ch）；

　　u8 uart_get_c（u8 *）；

　　#endif

UART 的接口實(shí)現(xiàn)首先定義一個(gè)接收緩沖FIFO, 以及對(duì)FIFO 的讀下標(biāo)uart_rd 和寫(xiě)下標(biāo)uart_wr, 他們都是文件內(nèi)可見(jiàn)的靜態(tài)變量：

　　static u8 xdata uart_buf[64];

　　static u8 uart_rd,uart_wr;

　　bit fSend

UART 的初始化包括進(jìn)行FIFO 的初始化和UART格式、波特率、中斷的初始化。代碼略。

UART 的ISR 主要是服務(wù)于接收， 無(wú)條件地將數(shù)據(jù)裝入FIFO, 并調(diào)整寫(xiě)入指針。

　　static void uart_isr（void）interrupt 4 using 1{

　　if（RI）{RI = 0;

　　uart_buf[uart_wr++] = SBUF;

　　uart_wr &= 0x0f;

　　}

　　}

提供給用戶的發(fā)送程序首先檢測(cè)發(fā)送結(jié)束標(biāo)記， 如果為0, 表示上次發(fā)送尚未結(jié)束， 直接返回錯(cuò)誤信息1。

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否則將要發(fā)送的信息發(fā)送并清零發(fā)送結(jié)束標(biāo)記。這樣設(shè)計(jì)的發(fā)送程序， 其目的是將發(fā)送等待不限制在接口底層， 而是給上層一個(gè)決定是否等待發(fā)送結(jié)束的機(jī)會(huì)。

　　u8 uart_put_c（u8 ch）{

　　if（！ TI）return 1;

　　TI = 0;SBUF = ch; return 0;

　　}

同樣， 接收程序也給上層一個(gè)選擇等待的機(jī)會(huì)。接收函數(shù)首先判斷接收FIFO 是否為空， 如果為空或輸入指針參數(shù)錯(cuò)誤， 則直接返回錯(cuò)誤， 否則才從FIFO 中讀取數(shù)據(jù)并將數(shù)據(jù)存儲(chǔ)到指針指向的地址， 然后返回成功。

　　u8 uart_get_c（u8 *ch）{

　　u8 i;

　　if（！ ch）return 1;

　　if（（i = （uart_rd+1）&0x0f） == uart_wr）return 1;

　　uart_rd = i; *ch = uart_buf[i];return 0;

　　}

3.3 閃存接口

閃存的存取有特殊的時(shí)序， 閃存的內(nèi)部結(jié)構(gòu)也和具體應(yīng)用要求有很大的不同。因此閃存的接口需要仔細(xì)設(shè)計(jì)。

K9F4008 閃存芯片的存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)組織如圖2所示。

K9F4008 閃存的存儲(chǔ)以塊為單位， 每個(gè)芯片共有128 塊。每塊有32 行， 每行有4 個(gè)幀， 每幀含有32 B.全部芯片為512 KB。

閃存接口提供的閃存初始化函數(shù)中就包括對(duì)這樣情況的處理。初始化函數(shù)要從閃存的第一個(gè)塊中讀出一個(gè)塊映射表， 該表下標(biāo)是邏輯扇區(qū)， 表內(nèi)每項(xiàng)存儲(chǔ)的是該邏輯扇區(qū)對(duì)應(yīng)的物理塊編號(hào)。初始化函數(shù)在必要時(shí)對(duì)閃存進(jìn)行讀寫(xiě)校驗(yàn)， 然后將壞塊從表中刪除。再尋找新的良好塊， 將其編號(hào)填入到對(duì)應(yīng)邏輯扇區(qū)的表項(xiàng)中。這樣對(duì)應(yīng)用來(lái)說(shuō)， 只見(jiàn)到連續(xù)的扇區(qū)編號(hào)， 而不知道扇區(qū)究竟對(duì)應(yīng)到那個(gè)塊。

閃存的接口頭文件Flash.h 如下：

　　#ifndef _K9F4008_H_

　　#define _K9F4008_H_

　　void read_log_page（u8 sector,u8 page,u8 xdata *buf）；

　　u8 prog_log_page（u8 sector,u8 page,u8 xdata *buf）；

　　void erase_log_blk（u8 sector）；

　　bit flash_init（void）；

　　#endif

實(shí)現(xiàn)閃存的接口， 首先就是依據(jù)說(shuō)明書(shū)的時(shí)序定義閃存的基本操作。這里是以宏定義實(shí)現(xiàn)基本操作的。

　　#define W_CMD（cmd_）

　　bCLE=1; bWE=0; P2=（cmd_）； bWE=1; bCLE=0

　　#define W_ADDR（addr1_,addr2_,addr3_）

　　bALE=1; bWE=0; P2=（addr1_）； bWE=1;

　　bWE=0; P2=（addr2_）； bWE=1;

　　bWE=0; P2=（addr3_）； bWE=1;

　　bALE=0

　　#define W_DAT（dat_） bWE=0; P2=（dat_）； bWE=1

　　#define wait_RB while（！ bRB）

　　#define l2p（x_） fat_tbl[（x_）]

　　3.4 EEPROM

內(nèi)部集成的EEPROM 是與程序空間分開(kāi)的， 利用ISP/IAP 技術(shù)可將內(nèi)部DATAFLASH 當(dāng)EEPROM,擦寫(xiě)次數(shù)10 萬(wàn)次以上。EEPROM 可分為若干個(gè)扇區(qū)， 每個(gè)扇區(qū)包含512 B.使用時(shí)， 建議同一次修改的數(shù)據(jù)放在同一個(gè)扇區(qū)， 不是同一次修改的數(shù)據(jù)放在不同的扇區(qū)， 不一定要用滿。數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器的擦除操作是按扇區(qū)進(jìn)行的。

　　sfr IAP_DATA = 0xC2; //Flash data register

　　sfr IAP_ADDRH = 0xC3; //Flash address HIGH

　　sfr IAP_ADDRL = 0xC4; //Flash address LOW

　　sfr IAP_CMD = 0xC5; //Flash command register

　　sfr IAP_TRIG = 0xC6; //Flash command trigger

　　sfr IAP_CONTR = 0xC7; //Flash control register

根據(jù)使用說(shuō)明對(duì)EEPROM 的寄存器進(jìn)行定義。