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[導(dǎo)讀]采用FPGA、DSP或微處理器設(shè)計是設(shè)計的關(guān)鍵部分,也最花費時間。系統(tǒng)級設(shè)計人員可以通過將主要精力集中于系統(tǒng)設(shè)計而受益匪淺,他們還需要解決諸如產(chǎn)品上市時間、實現(xiàn)小型化尺寸的問題。使用最新一代DC-DC非隔離式負(fù)載

采用FPGA、DSP或微處理器設(shè)計是設(shè)計的關(guān)鍵部分,也最花費時間。系統(tǒng)級設(shè)計人員可以通過將主要精力集中于系統(tǒng)設(shè)計而受益匪淺,他們還需要解決諸如產(chǎn)品上市時間、實現(xiàn)小型化尺寸的問題。使用最新一代DC-DC隔離式負(fù)載點(POL)電源模塊可以為他們帶來重要優(yōu)勢。

  這些模塊具有高度的集成和密度,先進(jìn)的封裝技術(shù)可以發(fā)揮高功率密度的優(yōu)勢,整體性能十分可靠——甚至可以滿足最苛刻的電源管理要求。使用電源模塊意味著需要最少的外部元件,因此設(shè)計人員可以迅速實現(xiàn)復(fù)雜的電源管理設(shè)計,并專注于核心設(shè)計。即使是在設(shè)計周期的中后期電源需求出現(xiàn)了變化時,電源模塊也可以應(yīng)對自如。

  在介紹電源模塊優(yōu)點的具體細(xì)節(jié)之前,讓我們來看看設(shè)計方面的問題。在采用一個分立式(非模塊)解決方案時,設(shè)計師必須考慮幾個問題。所有的問題都可能延緩設(shè)計進(jìn)程,拖延產(chǎn)品推向市場的時間。例如,選擇合適的PWM控制器、FET驅(qū)動器、功率FET、電感器,以滿足代表第一階段的具體電源要求,這通常是一個漫長的分立式電源設(shè)計周期。在選定了這些主要功率器件之后,設(shè)計人員必須開發(fā)一個補償電路,其依據(jù)是將要在一個給定的系統(tǒng)中使用的各種負(fù)載的輸出電壓規(guī)格。這可能非常單調(diào)和乏味,還要花很多時間——往往還需要返工。除了補償電路設(shè)計,還需要選擇功率級、驅(qū)動器、功率FET和電感器,以滿足功率效率的目標(biāo)。這可能需要根據(jù)不同的應(yīng)用需求進(jìn)行反復(fù)的元件選擇。

  在設(shè)計分立式電源之后,布板工作以及噪聲和散熱要求方面的問題增加了設(shè)計周期的復(fù)雜性??傊?,這是一個繁瑣的過程。

  但是像Intersil DC-DC POL ISL8200M這樣的電源模塊就可以改變這個過程,因為它集成了PWM控制器、驅(qū)動器、功率FET、電感器、支持分立元件的IC,還有優(yōu)化的補償電路。所有這些都集成在一個15×5mm QFN封裝內(nèi)。該電源可以根據(jù)其電流共享架構(gòu)的輸出功率要求進(jìn)行擴展,該模塊采用耐熱增強型封裝,高度僅為2.2mm,所以它可以安裝在PCB的背面。

  當(dāng)頂層PCB空間存在問題時,ISL8200M的2.2mm低高度QFN封裝就成為了一種優(yōu)勢。低高度封裝將滿足大多數(shù)PCB背面的間隙要求,尤其是因為QFN封裝不需要散熱器或氣流,可以覆蓋大部分工業(yè)溫度范圍的全輸出功率范圍。利用QFN封裝底部非常低的2C/W熱阻的θ J/C值,大部分的熱量都可以通過封裝底部和安全通孔消散掉,并下行至PCB的接地層。這是因為功率MOSFET和電感器等內(nèi)部高功率耗散元件直接焊接到了這些大型導(dǎo)電片(conducTIve pad)上,從而實現(xiàn)了從模塊到PCB的有效傳熱,以提高熱效率,最終可以將一個最高360W負(fù)載點電源解決方案安裝在PCB的背面。在需要一個復(fù)雜的電源設(shè)計和頂層PCB空間有限時,這是非常有效的方法,因為它減少了外形尺寸,同時實現(xiàn)了更高的系統(tǒng)功能。除了散熱能力,QFN封裝的封裝邊緣周圍有暴露的引線,為使用所有引腳進(jìn)行調(diào)試和焊點仿真驗證提供了便利。

  


 

  

 

  (圖字:最大負(fù)載電流(A);環(huán)境溫度(℃);圖32:降額曲線(12VIN))[!--empirenews.page--]
在系統(tǒng)設(shè)計周期中,負(fù)載電流要求可能會改變,但電源卻不需要改變。ISL8200M可以支持整個溫度范圍從低于10A一直到高達(dá)60A的負(fù)載電流。每個獨立的電源模塊可以單獨支持10A的輸出電流,但是,通過使用該模塊的專利均流架構(gòu),這些模塊可以并聯(lián)起來,提供高達(dá)60A的輸出電流。所以,一旦在設(shè)計中采用了ISL8200M,電源就可以迅速進(jìn)行修改,以滿足各種不斷變化的應(yīng)用需求。此外,由于采用了專利的模塊電流共享架構(gòu),在一個給定應(yīng)用需要一個高功率的解決方案時,如果布局限制成為了一個問題,并聯(lián)多個ISL8200M模塊將為克服這一挑戰(zhàn)提供靈活性。當(dāng)輸出電壓調(diào)節(jié)沒有受到所需的模塊連接布局的影響時,并聯(lián)連接模塊的主連接(main connection)解決了布局敏感性的問題。輸出電壓遠(yuǎn)端監(jiān)測和模塊之間的有功電流共享平衡可以降低PCB走線布局的敏感性,所以這種靈活性可用來應(yīng)對最復(fù)雜的電源設(shè)計和布局方面的挑戰(zhàn)。

  當(dāng)電源要求大于10A時,只需要5個主連接并聯(lián)多達(dá)6個模塊。輸入和輸出電壓軌需要連接起來,同時需要大容量電容以減少瞬變對電源的影響。建議對輸入電壓使用總共220uF的電容,而對輸出電壓使用總共330uF的電容。如果需要滿足苛刻的噪聲規(guī)格,可以增加旁路電容,以便濾除外部高頻噪聲。其次,還必須連接使能引腳,以便根據(jù)系統(tǒng)的要求禁用或啟用供電。連接的使能引腳可以作為一個重要的故障保護功能,即產(chǎn)品故障握手功能(products fault handshaking function)使用。如果模塊當(dāng)中的一個出現(xiàn)了故障,該模塊即被禁用,所有已連接的模塊也將被禁用,以防止負(fù)載或電源模塊出現(xiàn)過應(yīng)力的情況。然后應(yīng)連接CLCKOUT和FSYNC_IN引腳。連接了CLCKOUT引腳的模塊被認(rèn)為是主電源模塊,需要設(shè)置參考開關(guān)頻率。

  在一個有兩個模塊的操作中,與FSYNC_IN連接的模塊的開關(guān)頻率將為180°異相。對于并聯(lián)的兩個以上模塊,相位控制是根據(jù)數(shù)據(jù)表建議,通過在PH_CNTRL或相位控制引腳增加一個電阻分壓器來調(diào)整的。利用各自異相編程開關(guān)頻率的多相操作,能夠?qū)崿F(xiàn)降低外部噪聲或紋波。這減少了滿足給定負(fù)載點關(guān)鍵輸出的電壓調(diào)節(jié)要求所需的外部電容或電容器的數(shù)量。最后,ISHARE引腳之間必須連接起來。這個引腳是用來平衡每個模塊的負(fù)載電流。在這個連接接入了一個電阻RISHARE,以便設(shè)置總輸出電流。模塊ISET引腳的一個附加電阻用來建立一個內(nèi)部電壓,用于比較ISHARE總線,以幫助平衡每個模塊的輸出電流。與目前市場上的同類解決方案相比,由于模塊之間的連接少了很多,而且在設(shè)計周期中幾乎不必考慮布局的敏感性,并聯(lián)操作的ISL8200M大大降低了復(fù)雜性。

  一旦在設(shè)計中采用了像ISL8200M的電源模塊,就能夠迅速并聯(lián)6個模塊,實現(xiàn)高達(dá)60A的功率,這將加速未來的設(shè)計,或迅速適應(yīng)設(shè)計周期過程中設(shè)計要求的變化。

  

 

  部署在非隔離DC-DC POL電源中的電源模塊可以節(jié)省時間,減少研發(fā)成本,加速產(chǎn)品上市時間,并有助于設(shè)計人員將更多的精力集中在核心系統(tǒng)設(shè)計。上述電源模塊的高度集成的元件、耐熱增強型低高度QFN封裝,以及獲得專利的電流共享架構(gòu),都有助于加速設(shè)計周期。該電源模塊還提供了有一個在線仿真工具(iSim)和評估板。

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