XH018 嵌入式閃存(eFlash) 工藝為高階系統(tǒng)芯片()提供業(yè)界最具性價比的高壓整合方案

2011年7月5日，德國艾爾(Erfurt) – Foundries 在XH018 0.18um高壓工藝上增加高可靠性的嵌入式閃存(eFlash)方案。此方案提供了業(yè)界最少的光罩版數(shù)，32層，其中包含數(shù)字、模擬、高壓元件、并閃存，而閃存只要額外2層光罩。對高階片上混合信號系統(tǒng)芯片()，此方案具有極高的性價比，其中的45V高壓元件與嵌入式內(nèi)存，、非揮發(fā)性隨機內(nèi)存() 、嵌入式閃存(eFlash)，更適用于高速微處理器、數(shù)字電源、和車用電子。

將于2011年7月13日舉辦一場免費的網(wǎng)絡(luò)研討會來討論此項 ”簡單且可靠的非揮發(fā)性內(nèi)存(NVM) – 0.18um的嵌入式閃存(eFlash)與嵌入式非揮發(fā)性內(nèi)存(eNVM)”

兩種不同的內(nèi)存模塊 – 8K x 32-bit 和 16K x 32bit –新的XH018嵌入式閃存(eFlash)方案

易于整合、快速存取，并且比非嵌入式內(nèi)存更耐用。此方案包含糾錯碼(ECC)的功能，允許程序在執(zhí)行的同時修正錯誤。在1.8V或3.3V工作電壓下，提供50nS快速讀取，并且不受溫度、工作電壓和工藝漂移的影響，而且支援低功耗(/MHz) 、高溫讀取(攝氏175度)的特性。

總裁Rudi De Winter表示：“客戶告訴我們，他們要用嵌入式閃存eFlash技術(shù)作為平臺來研發(fā)整個系列的產(chǎn)品。有了我們XH018嵌入式閃存(eFlash)方案，客戶可以非常容易地修改軟件來根據(jù)應(yīng)用改變產(chǎn)品的性能與定義。因此，客戶只要有一個高可靠性與高整合性的電路架構(gòu)，就

可以開發(fā)整個系列的產(chǎn)品。對于講求性價比與復雜性的片上系統(tǒng)芯片()，XH018嵌入式閃存(eFlash)方案提供一項完美且包含高壓制程的組合。”

XH018嵌入式閃存(eFlash)方案也結(jié)合已有的嵌入式非揮發(fā)性內(nèi)存(NVM)，包含一次性可編程(OTP)與非揮發(fā)性隨機內(nèi)存()。更提供編譯工具幫助工程師依據(jù)自身的需要來定義內(nèi)存的使用。

XH018嵌入式非揮發(fā)性內(nèi)存(NVM)的設(shè)計套件與IP已開放授權(quán)并可在X-FAB技術(shù)中心(X-TIC)下載使用，其中將于2011年第四季度開放授權(quán)。而整套的電路模塊正在進行地測試以通過最后的合格驗證。X-FAB計劃于2012年年初提供另外不同尺寸的內(nèi)存及高溫的特性數(shù)據(jù)。