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[導(dǎo)讀]  日前,本報記者獲悉,三星電子近期加快了產(chǎn)品技術(shù)研發(fā)步伐,先是在行業(yè)首次研發(fā)出了30納米級(1納米為10億分之一米)4Gb (gigabit)LPDDR3(Low Power Double Data Rate 3)移

  日前,本報記者獲悉,三星電子近期加快了產(chǎn)品技術(shù)研發(fā)步伐,先是在行業(yè)首次研發(fā)出了30納米級(1納米為10億分之一米)4Gb (gigabit)LPDDR3(Low Power Double Data Rate 3)移動DRAM技術(shù),接著是開發(fā)出基于20納米級(一納米為10億分之一米)64GbNAND Flash平臺的64GB(gigabyte)高性能內(nèi)存存儲卡(eMMC:embedded Multi Media Card),產(chǎn)品更新?lián)Q代速度在行業(yè)中首屈一指, 這意味著三星電子在搶占移動終端市場方面將進(jìn)一步有所突破。

  開發(fā)新一代LPDDR3移動DRAM技術(shù)

  關(guān)于新一代LPDDR3移動DRAM技術(shù),三星電子表示,這是繼去年12月在電子行業(yè)首次開發(fā)30納米級4Gb LPDDR2移動DRAM之后,不到九個月又成功開發(fā)出使用30納米級工藝的4Gb LPDDR3移動DRAM技術(shù)的新一代產(chǎn)品。據(jù)悉,三星電子計劃將從今年第四季度開始,為移動終端生產(chǎn)企業(yè)提供新一代LPDDR3移動DRAM樣品,并從明年開始,將新產(chǎn)品用于智能手機(jī)和平板電腦等各種高性能移動終端器上。

  


  根據(jù)記者的了解, 4Gb LPDDR3的啟動速度比現(xiàn)有的4Gb LPDDR2(800Mbps)快1.5倍, 數(shù)據(jù)傳輸量最高能夠提高到12.8GB/每秒。業(yè)內(nèi)人士分析,隨著數(shù)據(jù)傳送速度的加快, 高性能移動終端器的最高存儲容量也從2段積層4Gb LPDDR2的1GB(8Gb)擴(kuò)大到4段積層4Gb LPDDR3的2GB(16Gb),市場上大容量存儲器產(chǎn)品比重隨之有望快速增加。

  三星電子存儲事業(yè)部戰(zhàn)略營銷部洪完勛副社長表示,“繼今年3月在電子行業(yè)首次對30納米級4Gb LPDDR2移動DRAM投入量產(chǎn)之后,這次新開發(fā)出的新一代LPDDR3移動DRAM給客戶提供了行業(yè)最高水平的綠色存儲器”,洪完勛副社長同時表示, “為了能夠讓我們的企業(yè)客戶及時推出高性能新產(chǎn)品,今后,三星電子將切實加強(qiáng)技術(shù)合作,持續(xù)擴(kuò)大新一代移動存儲器市場”。

  


  根據(jù)市場調(diào)查機(jī)構(gòu)的報告資料,預(yù)計從2013年開始,LPDDR3移動DRAM市場趨于白熱化。出乎意料的是,三星電子從2012年開始提前一年就對4Gb LPDDR3產(chǎn)品投入量產(chǎn),從而將促使 Premium Mobile DRAM市場以更快的速度成長發(fā)展。

  (三星綠色存儲網(wǎng)站: www.samsung.com/GreenMemory )

  開發(fā)全球最快速度的內(nèi)存存儲卡

  此外,三星推出的64GB 內(nèi)存存儲卡(eMMC)是目前速度最快的常用內(nèi)存存儲卡,此產(chǎn)品也是針對移動終端市場而研發(fā)。記者了解到,該產(chǎn)品厚度僅為1.4mm、重量0.6g,卻能存16000多首MP3歌曲。因此有業(yè)內(nèi)專家表示,基于此優(yōu)勢,該產(chǎn)品在智能手機(jī)、平板電腦等高性能移動終端器上的使用頻率將會日趨增多。

  據(jù)了解,三星電子此次開發(fā)的20納米級64GB eMMC產(chǎn)品,是一個符合最高性能高端移動終端器的“超高速”解決方案,在隨機(jī)讀取速度上實現(xiàn)了400 IOPS(Input/Output per Second) 的最快速度,比起原有的30納米級64GB eMMC產(chǎn)品的100IOPS速度快四倍。同時,在連續(xù)讀取速度和寫入速度上實現(xiàn)了80MB/s、40MB/s,比原有的高性能外存存儲器卡(24MB /s、12MB/s)快三倍,從而提高了產(chǎn)品的競爭力。

  資料顯示,自從2010年1月開始,三星電子在行業(yè)首次量產(chǎn)的30納米級64GB eMMC在開拓高容量內(nèi)存存儲卡市場之后,又在去年下半年量產(chǎn)了20納米級64GB eMMC,三星電子計劃在今年內(nèi)將高性能20納米級64GB eMMC量產(chǎn)生產(chǎn)率提高到60%左右,采取進(jìn)一步強(qiáng)化高端產(chǎn)品陣容的戰(zhàn)略。

  三星電子存儲事業(yè)部戰(zhàn)略營銷部金明鎬常務(wù)稱:“今年在業(yè)界量產(chǎn)的高性能20納米級64GB eMMC,進(jìn)一步擴(kuò)大了高端內(nèi)存存儲卡市場,三星電子今后也將適時量產(chǎn)出符合移動終端器企業(yè)要求的新一代高端eMMC產(chǎn)品,在移動存儲(storage) 市場上繼續(xù)加強(qiáng)競爭優(yōu)勢。”

  三星電子計劃在2012年使用JEDEC eMMC 4.5標(biāo)準(zhǔn),量產(chǎn)比20納米級64GB eMMC產(chǎn)品性能提高兩倍的大容量存儲器,創(chuàng)建一個最高性能的高端內(nèi)存存儲卡市場,擴(kuò)展NAND Flash市場范圍。

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