[導(dǎo)讀]英特爾:DRAM內(nèi)存可能被淘汰 PRAM才是正道
4月19日消息,據(jù)國外媒體報道,英特爾日前表示,其所開發(fā)的相變隨機存取存儲器(PRAM)有潛力取代當(dāng)前的DRAM(動態(tài)隨機存取存儲器)。
在日前于北京召開的“英特爾信息技術(shù)峰會(IDF)”上,英特爾首席技術(shù)官Justin Rattner展示了新型PRAM內(nèi)存,并表示,PRAM有潛力取代當(dāng)前的DRAM。
Rattner還稱,英特爾開發(fā)PRAM已經(jīng)有十年的歷史了。據(jù)悉,PRAM是一種非易失性的內(nèi)存產(chǎn)品,它集DRAM內(nèi)存的高速存取,以及閃存在關(guān)閉電源后保留數(shù)據(jù)的特性為一體,因此被業(yè)界視為未來DRAM和閃存的替代品。
據(jù)英特爾稱,PRAM的讀寫速度相當(dāng)于閃存的1000多倍,而能耗只有當(dāng)前閃存的1/2。目前,英特爾與意法半導(dǎo)體攜手開發(fā)這種PRAM產(chǎn)品。
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