芯片工藝技術(shù)進(jìn)程在2011年前，即可能遭遇瓶頸。相對納米科技已開始介入處理器、存儲器…等芯片工藝，凡小于100納米(nanometer)的零組件產(chǎn)品，都可以看見它們的身影。

　　基本上，芯片中的銅導(dǎo)線有其物理極限，所以芯片商需要借碳納米管在硅芯片上布線，然而布線空間和晶體管集中度有關(guān)。直到史丹佛大學(xué)與ToshibaRD推出1GHz碳納米管互聯(lián)CMOS電路后，納米芯片工藝問題才獲得緩解。

　　業(yè)者表示，具有11,000個晶體管芯片，擁有256個環(huán)形振蕩器，RD在設(shè)計芯片時，每個振蕩器都留有未連接位置，因此芯片還需要借納米管與振蕩器連接，每個納米管直徑為50至100納米。

　　納米管必須和19個環(huán)形振蕩器連接，并以1.02GHz頻率傳輸0和1訊號。其中19個環(huán)形振蕩器中有16個能以800MHz以上的速度運(yùn)行。芯片(芯片面積約為1/100平方英寸)中有1個missingconnection環(huán)形振蕩器陣列，它透過納米管材質(zhì)取代傳統(tǒng)銅線完成電路鋪陳，RD最終目標(biāo)是以1納米直徑的單壁納米管代替多壁納米管。

　　為簡化環(huán)形振蕩器運(yùn)作流程，多任務(wù)電路(multiplexingcircuitry)讓每個環(huán)形振蕩器都得以被搜巡。芯片表面會借液體浮力，讓數(shù)千個納米管漂浮于芯片上，同時向環(huán)形振蕩器提供交流電(AC)，以吸引漂浮中的納米管精準(zhǔn)對上電路中的縫隙，當(dāng)納米管嵌入橋接縫隙時，原供給環(huán)形振蕩器的交流電就會被自動切斷，再經(jīng)芯片表面干燥，整個芯片電路即告鋪設(shè)完成。