瑞薩科技公司（以下簡稱瑞薩）與松下公司（以下簡稱松下）共同宣布，在瑞薩那珂分部（茨城縣日立那珂市）集中精力聯(lián)合開發(fā)領先的 SoC 工藝技術，并將其 28-32nm 工藝開發(fā)線投入運營。在瑞薩那珂分部，兩家公司正通過致力于對 300nm 晶圓產品線的聯(lián)合開發(fā)和提供聯(lián)合開發(fā)結構，進行 28nm 工藝技術的開發(fā)，旨在不久的將來將其投入批量生產。

早在1998年瑞薩還未正式成立之時，即已與松下約定聯(lián)合開發(fā)新一代 SoC 技術，并在瑞薩北伊丹事務所（兵庫縣依丹市）不斷開發(fā)面向 90nm、65nm、45nm 和 32nm 系列的半導體工藝技術。2008年10月，在將具有金屬/高k柵極堆棧結構與面向 32nm 系統(tǒng) SoC 工藝的超低k材料晶體管技術進行結合，而使互聯(lián)技術得到開發(fā)后，即確立了將其投入批量生產的目標日期。此后，在2009年7月，雙方又利用面向 28nm 工藝的金屬/高k柵極堆棧結構合作開發(fā)了 SRAM 單元?，F在，在這些成果的基礎上，兩家公司開始運營該生產線，以便在新近安裝于瑞薩那珂分部的 300nm 晶圓開發(fā)線內，利用 28nm 制造工藝技術聯(lián)合開發(fā)全集成技術。

在那珂分部的開發(fā)線中，除了從瑞薩北伊丹事務所轉移過來的部分開發(fā)線設備以外，兩家公司還安裝了全新的生產設備，以開發(fā)批量生產中實際所需的晶圓尺寸的產品，完成順利向批量生產階段的過渡，達到削減開發(fā)成本、縮短開發(fā)時間，從而提高開發(fā)和生產效率的目的。

28-32nm SoC 工藝技術作為聯(lián)合開發(fā)的成果，已經應用到兩家公司推出的先進移動應用和數字家電的 SoC 中。此外，這些產品也已在兩家公司的各個分部實現了批量生產。

從促進早期技術積累到取得如今的成果，兩家公司一直借助于這種長期的合作伙伴關系，進行持續(xù)有效地開發(fā)，并致力于將這些先進技術及早地投入到應用中去。