記者：英特爾公司近日宣布在晶體管發(fā)展上取得了革命性的重大突破，首款3-D晶體管進入生產(chǎn)技術(shù)階段。Intel新技術(shù)可以降低近一半的功耗，在這種情況下，有人稱在廣大的移動電子消費市場上，它能與ARM打成平手，你如何評價？

吳雄昂：這一聲明并不會給消費電子/移動產(chǎn)品市場的競爭帶來變化。

Finfet/3D晶體管技術(shù)的開發(fā)涉及業(yè)界多家企業(yè)，該創(chuàng)新并不是Intel獨有的。業(yè)界將在下一代產(chǎn)品中逐漸采用該技術(shù)，到那時，該技術(shù)會被應(yīng)用于SoC設(shè)計。

整個ARM生態(tài)系統(tǒng)在22nm節(jié)點上非常積極，并已經(jīng)開始投身20nm，而ARM也在積極開發(fā)針對這些節(jié)點的IP。我們在2011年5月4日已經(jīng)推出四款20/22nm的測試芯片（兩款22nm，兩款20nm）。ARM和所有的主流代工廠在20nm/22nm上都有合作。我們已經(jīng)宣布了與IBM合作，該合作將一直延續(xù)到14nm。同樣，ARM與臺積電也已經(jīng)宣布了針對20nm的IP開發(fā)合作。

在消費電子/移動產(chǎn)品領(lǐng)域，使用較之服務(wù)器/臺式電腦晚一代的工藝技術(shù)并不是一件新鮮事。但是更主要的是，在消費電子/移動產(chǎn)品領(lǐng)域，由于其市場規(guī)模以及產(chǎn)品價格的因素，更為重要的是能夠提供一個成本、性能和功耗的最佳組合。同時，代工廠的生產(chǎn)能力也非常重要。

此3D工藝技術(shù)在最初的幾代需要緊密耦合的設(shè)計流程，不適用于高度集成的移動片上系統(tǒng)設(shè)計，而高度集成的移動片上系統(tǒng)設(shè)計目前正在推動著廣泛的半導體行業(yè)內(nèi)的創(chuàng)新。

Intel的這一聲明與他們在工藝方面的創(chuàng)新歷史是相一致的。而ARM的創(chuàng)新則來自于我們的生態(tài)系統(tǒng)，涵蓋工藝、微架構(gòu)和片上系統(tǒng)(SoC)設(shè)計等多方面。

記者：ARM近期在云計算和服務(wù)器領(lǐng)域的最新發(fā)展是什么？

吳雄昂：對于這個問題我們暫時沒有太多的信息可以向媒體透露。