存儲(chǔ)器(Memory)是現(xiàn)代信息技術(shù)中用于保存信息的記憶設(shè)備。其概念很廣，有很多層次，在數(shù)字系統(tǒng)中，只要能保存二進(jìn)制數(shù)據(jù)的都可以是存儲(chǔ)器;在集成電路中，一個(gè)沒有實(shí)物形式的具有存儲(chǔ)功能的電路也叫存儲(chǔ)器，如RAM、FIFO等;在系統(tǒng)中，具有實(shí)物形式的存儲(chǔ)設(shè)備也叫存儲(chǔ)器，如內(nèi)存條、TF卡等。計(jì)算機(jī)中全部信息，包括輸入的原始數(shù)據(jù)、計(jì)算機(jī)程序、中間運(yùn)行結(jié)果和最終運(yùn)行結(jié)果都保存在存儲(chǔ)器中。

存儲(chǔ)器作為智能終端產(chǎn)品中的重要元件，一直是芯片行業(yè)的重要組成部分，也是我國發(fā)展半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的重點(diǎn)方向之一。今年以來在存儲(chǔ)器芯片領(lǐng)域受關(guān)注的行業(yè)事件中，東芝出售存儲(chǔ)芯片業(yè)務(wù)絕對(duì)要算在其中，且近日又有關(guān)于此事的消息傳出。

據(jù)報(bào)道，日本政府目前正在進(jìn)一步地參與到東芝出售存儲(chǔ)芯片業(yè)務(wù)的交易中，此前這筆交易因?yàn)榉N種原因進(jìn)展緩慢，已經(jīng)引發(fā)了投資者的不滿。

據(jù)悉，日本政府正在努力和東芝內(nèi)部達(dá)成意見一致，加速交易進(jìn)程。熟悉此次競購的消息人士稱，東芝存在“基礎(chǔ)性的公司治理缺陷”。

東芝作為全球閃存的發(fā)明者和領(lǐng)先企業(yè)，在市場份額上，僅次于三星電子名列全球第二。而此次出售存儲(chǔ)芯片業(yè)務(wù)的交易還導(dǎo)致東芝與合作伙伴西部數(shù)據(jù)之間發(fā)生了法律糾紛。東芝出售存儲(chǔ)芯片業(yè)務(wù)是為了彌補(bǔ)巨額虧損，避免被東京股票交易所摘牌。參與談判的銀行家和律師表示，考慮到交易的必要流程，東芝必須在8月底之前確定買家。

目前討論的焦點(diǎn)仍是來自由貝恩資本、日本政府基金INCJ，以及SK海力士所組成財(cái)團(tuán)提出的方案。

中國芯何時(shí)閃耀世界?

存儲(chǔ)器是現(xiàn)代信息技術(shù)中用于保存信息的記憶設(shè)備，存儲(chǔ)器芯片領(lǐng)域，主要分為兩類：易失性和非易失性。易失性：斷電以后，存儲(chǔ)器內(nèi)的信息就流失了，例如DRAM，電腦中的內(nèi)存條。非易失性：斷電以后，存儲(chǔ)器內(nèi)的信息仍然存在，主要是閃存(NAND FLASH和NOR FLASH)，NOR主要應(yīng)用于代碼存儲(chǔ)介質(zhì)中，而NAND則用于數(shù)據(jù)存儲(chǔ)。在整個(gè)存儲(chǔ)器芯片里面，主要有的三種產(chǎn)品是：DRAM、NOR FLASH和NAND FLASH。

在芯片行業(yè)，處理器等邏輯電路一直都占第一位，不過隨著數(shù)據(jù)的不斷爆炸性增長，市場對(duì)存儲(chǔ)芯片的需求在不斷增長，這導(dǎo)致存儲(chǔ)芯片市場的容量正在迅速增長，估計(jì)很快將超過邏輯電路。據(jù)IC insights的數(shù)據(jù)顯示2016年邏輯電路市場容量為883億美元，存儲(chǔ)芯片市場容量為743億美元，兩者的差距已縮小到20%以內(nèi)。其中，閃存芯片是一個(gè)發(fā)展前景廣闊的朝陽業(yè)務(wù)，目前智能手機(jī)、個(gè)人電腦配置的閃存越來越多。

目前國內(nèi)在用的NAND、DRAM芯片幾乎全部依賴進(jìn)口，以紫光為首的公司正在大力推動(dòng)國產(chǎn)NAND芯片，32層堆棧的3D NAND閃存已經(jīng)出樣，預(yù)計(jì)明年開始量產(chǎn)，2019年則要推出64層3D NAND閃存。

目前NAND閃存主要被三星、SK Hynix、美光、東芝等少數(shù)公司壟斷，然而隨著物聯(lián)網(wǎng)需求的發(fā)展，存儲(chǔ)芯片更成為電子行業(yè)的剛需。

中國也積極接入存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)，整合上游廠商發(fā)展出具中國自有技術(shù)并聯(lián)合中、下游的產(chǎn)業(yè)，形成群聚效應(yīng)，進(jìn)而推進(jìn)中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的進(jìn)一步成長。

目前發(fā)展最快的，是紫光主導(dǎo)的長江存儲(chǔ)科技在武漢投資240億美元建設(shè)國家存儲(chǔ)芯片基地，他們的主要產(chǎn)品就是國產(chǎn)3D NAND閃存。來自中科院的消息稱，長江存儲(chǔ)研發(fā)的3D NAND閃存已經(jīng)取得標(biāo)志性進(jìn)展，堆棧層數(shù)達(dá)到了32層。

相比國際大廠的研發(fā)進(jìn)度，三星、美光和東芝都開始向72層及以上的研發(fā)加快步伐，國內(nèi)的研發(fā)進(jìn)程還有一定距離。

不過，3D閃存工廠的生產(chǎn)裝備將在2018年Q1季度完成安裝，2019年則會(huì)完全量產(chǎn)。目標(biāo)是在2020年時(shí)技術(shù)上達(dá)到國際領(lǐng)先的存儲(chǔ)芯片供應(yīng)商的水平，實(shí)現(xiàn)存儲(chǔ)芯片的后發(fā)先至。

中國市場消耗了全球55%的存儲(chǔ)芯片產(chǎn)能，而國家存儲(chǔ)芯片基地更是在萬眾矚目下迅速壯大。在強(qiáng)大的市場需求及中國政府的財(cái)政支持下，我們希望能早日看到“中國芯”的產(chǎn)品出現(xiàn)在世界的舞臺(tái)。